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公开(公告)号：CN119392160A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411361621.2
申请日：2025-01-06
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种金属表面疏水氮化层的等离子体精准调控系统，包括反应腔体单元，控制单元、等离子体单元；反应腔体单元用于放置待处理的金属衬底材料，并用于对所述金属衬底材料进行等离子体精准调控的疏水氮化层制备；等离子体单元与反应腔体单元连接，用于对反应腔体单元在反应过程中提供等离子体；控制单元分别与等离子体单元、反应腔体单元连接，用于实现反应过程中的等离子体精准调控。本发明的方案通过在金属的等离子改性过程中，对金属表面的温度、磁场进行精确地调控，从而使得等离子体在改性过程中，一方面，促使氮化层形成微纳珊瑚阵列，增加氮化层的表面能，导致极性氮化层具备表面输水特性，一方面，温度和磁场的控制可以促进微纳珊瑚阵列的形成，抑制阵列团聚，进而实现表面疏水的极性氮化层，最终实现对金属表面的疏水氮化层的准确控制，且该表面疏水来源于表面微纳结构，而非材料本身，调控过程无需引入任何化学试剂，均一性良好，具有一定的实用前景。
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公开(公告)号：CN116334644A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202111591492.2
申请日：2021-12-23
Applicant: 南京理工大学
IPC: C23G5/00
Abstract: 本申请提供了一种金属表面除锈方法。传统等离子体的除锈方法采用氢气及氢气混合气作为等离子体气源，危害性大，污染严重，不利于工业生产。同时，现有除锈等离子体系统主要基于弧光放电等离子体，该等离子体系统稳定性差、除锈面积小，均一性低，难以规模化使用。本申请采用水蒸汽辉光放电等离子体系统，等离子体源为水蒸汽，成本低，危害性小。该系统可以高效去除3d轨道过渡金属的表面锈层，特别是金属铜，金属钴，不锈钢表面锈层。除锈后的金属表面光泽度高、均一性好、除锈面积大，可为工业生产提供重要技术支撑。
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公开(公告)号：CN114824185B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110126795.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/58 , H01M4/583 , C01B32/182
Abstract: 本发明公开了一种硫化亚锡/硫氮双掺杂石墨烯负极材料及其制备方法。本发明结合抽滤和高温煅烧的方法制备了具有三维结构的硫化亚锡/硫氮双掺杂石墨烯负极材料。本发明的硫化亚锡/硫氮双掺杂石墨烯负极材料在1A g‑1电流下充放电循环时，电池的首次容量达到1173mAh g‑1，甚至在500圈后电池的容量仍能保持530mAh g‑1。在倍率循环测试中，从高电流循环回到初始的0.5A g‑1低电流循环时，电池的容量依然有503mAh g‑1，首次赝电容高达93.9％，具有优异的循环稳定性和倍率性能。
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公开(公告)号：CN118588528A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410648293.8
申请日：2024-05-23
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01J37/32 , H01J37/244
Abstract: 本发明公开了一种多场耦合低气压等离子体界面调控系统，包括低气压等离子体放电模块、温度场控制模块、电场控制模块和磁场控制模块；其中低气压等离子体放电模块在温度场控制模块、电场控制模块和磁场控制模块的分别控制下进行等离子体反应；温度场控制模块、电场控制模块和磁场控制模块分别控制反应过程中的温度、电场和磁场参数。本发明的表面温度场控制模块能在反应过程中实现表面温度的同步控制，包括限制表面温度的无规律升高或降低，或控制反应温度维持在既定范围；表面磁场控制模块能在反应过程中实现离子与电子的定向偏转及偏转半径，进而实现表面结构的调控；表面电场控制模块能在反应过程中实现离子与电子的定向加速或减速，进而实现表面结构的调控；相较于现有商业化低气压等离子体放电系统，本方案将温度场、电场、磁场耦合于放电系统中，并加以控制，能对衬底表面进行更精细的加工与结构控制。
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公开(公告)号：CN117717984A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311772155.2
申请日：2023-12-21
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属硫化物微米粉体的等离子体精准改性系统，其中用待改性的微米粉体放置于粉体腔中，通过等离子体单元基于等离子体源进行放电辉光放电，生成低气压等离子体，所述等离子体中的活性粒子进入待改性的微米粉体中，与微米粉体相互作用，完成微米粉体的改性；控制单元控制粉体腔温度，并进行旋转，使得微米粉体在改性过程中均匀反应，且防止局部高温引发的改性失效以及微米粉体团聚。本发明的方案实现对金属氮化物微米粉体表面均匀准确改性，无需引入任何化学试剂，不对微米粉体的粒径造成损伤，尤其适用于对粉体颗粒尺寸有要求的微米粉体材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116135777A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111356281.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B21/06
Abstract: 本发明公开了一种制备高纯度制备金属氮化物的方法。本发明采用低气压射频等离子体对金属镍、镍钼合金表面进行氮化，制备氮化镍、氮化镍钼纳米珊瑚结构，此微纳结构可在工业产氢中作为高性能催化剂。低气压射频容性等离子体技术能在常温环境中原位制备氮化镍、氮化镍钼微纳珊瑚结构，相较于其他等离子体系统制备的金属氮化物薄膜结构，本发明所得氮化物具有更高的比表面积与电催化活性，此外，本发明采用的工作气氛为氮气，和现有工业中广泛采用的氨气煅烧相比，极大程度地降低了金属氮化物的生产成本。
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公开(公告)号：CN115196681A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210976817.7
申请日：2022-08-15
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01G39/02
Abstract: 本发明公开了一种N掺杂的三氧化钼及其制备方法，属于电磁波吸收材料技术领域，将三氧化钼置于反应容器中，抽真空后通入氮气等离子体，反应后，得到N掺杂的三氧化钼。本发明将三氧化钼通过简单的氮气等离子体处理即可得到N掺杂的三氧化钼，该方法快速、简洁，反应条件温和，并且不会产生多余的污染物，还可通过控制氮气等离子体和三氧化钼反应时间来调节N掺杂程度，制得的N掺杂的三氧化钼具有优异的吸波性能。
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公开(公告)号：CN117756117A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311383518.3
申请日：2023-10-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01B33/02
Abstract: 本发明提供一种氮气等离子改性的单质硅粉体的制备方法，其包括以下步骤：将微米级单质硅粉体置于等离子体设备腔室内，调整电极使得两端的正负极保持间距，除去腔室内的空气，再向腔室内通入氮气；待等离子体设备腔室内压力稳定后，打开高压放电源以稳定产生氮气等离子体气氛，并在该气氛下进行等离子体单质硅粉体的氮气等离子体改性处理，处理结束后，得到所述氮气等离子改性的单质硅粉体。采用本发明制备得到的氮气等离子体改性的单质硅粉体作为填料掺入环氧树脂中制成复合涂层，可以明显提高涂层的耐腐蚀性能，有较好的经济效益。
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公开(公告)号：CN115706259A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111174668.4
申请日：2021-10-09
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01M10/0562
Abstract: 本发明公开了一种高能等离子体界面修饰电解质的方法。所述方法采用高能等离子对固态电解质表面元素进行刻蚀、替换、沉积，在去除固态电解质表面Li2CO3、LiOH杂质的同时对固态电解质表面处理，能快速实现N、H等元素的掺杂或者氮化物、氢化物的转化合成，有助于形成富N、H的界面组分，与金属Li形成高离子电导率Li3N界面层。本发明极大地增强了固态电解质与固态电极之间的界面接触，降低固态电解质与固态电极之间的界面阻抗，并增强了两端以金属Li为电极的对称电池稳定性，降低了金属Li电极的极化。
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