一种甲脒基钙钛矿自整流阻变存储器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119697998A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411962629.4

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种甲脒基钙钛矿自整流阻变存储器件及其制备方法和应用,涉及半导体材料及功能器件技术领域。本发明的阻变存储器从下至上依次包括玻璃基底、底电极、甲脒基钙钛矿层和顶电极。其中:所述钙钛矿薄膜,采用溶液法在空气中制备钙钛矿薄膜的工艺。本发明基于甲脒基钙钛矿材料FAPbI3实现了自整流阻变存储器,丰富了钙钛矿体系阻变存储器的功能特征,拓展了自整流阻变存储器的材料选择范围。本发明采用的制备工艺流程简单、绿色环保、可操作性强,器件结构简单,开关比可达到104,整流比可达105,表现出优异的自整流阻变存储性能。

    一种高效FAPbI3钙钛矿薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119521999A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202311078421.1

    申请日:2023-08-25

    Abstract: 本发明公开一种高效FAPbI3钙钛矿薄膜及其制备方法与应用,包括以下步骤:S1.将碘化铅和碘甲眯溶解于溶剂中,得到钙钛矿前驱体溶液;S2.低温条件下,在钙钛矿前驱体溶液中加入氧化石墨烯‑聚丙稀酸溶液,搅拌均匀,得到离子重组钙钛矿前驱体溶液;S3.将离子重组钙钛矿前驱体溶液旋涂于具有电子传输层的导电基板表面,退火,得到活性薄膜;S4.在活性薄膜表面依次制备界面修饰层、空穴传输层、金属插层、金属电极层,即得高效FAPbI3钙钛矿薄膜;可减小钙钛矿薄膜缺陷的方法来提高FAPbI3钙钛矿太阳能电池的光电性能。

    一种无反溶剂全钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118574431A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202310175792.5

    申请日:2023-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种无反溶剂全钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法和应用,包括不同带隙钙钛矿层和钙钛矿器件的制备工艺,属于光电子材料与技术领域。宽带隙钙钛矿层使用绿色的离子添加剂作为溶剂,窄带隙钙钛矿发展基于两步顺序沉积的绿色环保制备方案,改善了目前全钙钛矿叠层器件基于反溶剂法的情况。其中,采用氯苯后处理的方法降低了宽带隙钙钛矿表面的粗糙程度,并通过优化互联层的厚度至45纳米提升全钙钛矿光电器件性能。基于本发明中的器件制备方法,提高了器件的光电转换效率。通过本发明提供的全钙钛矿叠层太阳能电池方法所获得的绿色环保制备方法有望在有机光电领域获得广泛应用。

    一种高效纯相甲脒基钙钛矿太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN117042559A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202310906112.2

    申请日:2023-07-21

    Abstract: 本发明公开一种高效纯相甲脒基钙钛矿太阳能电池及其制备方法,包括以下步骤:S1.获取沉积有电子传输层的ITO导电基板;S2.将FAI、PbI2、FAAc溶于DMF溶剂中作为甲脒基钙钛矿前驱体溶液,直接旋涂在所述沉积有电子传输层的ITO导电基板表面,加热退火,得到具有纯相甲脒基钙钛矿薄膜的ITO导电基板;S3.在所述纯相甲脒基钙钛矿薄膜表面旋涂空穴传输层,再干燥、氧化,而后再于所述空穴传输层表面依次真空蒸镀修饰层、电极层,即得所述高效纯相甲脒基钙钛矿太阳能电池;稳定性高、器件效率优且光学带隙窄。

    一种低温工艺制备高效稳定钙钛矿太阳能电池的方法

    公开(公告)号:CN116867334A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202210304919.4

    申请日:2022-03-25

    Abstract: 本发明涉及一种低温工艺高效稳定钙钛矿太阳能电池的方法及应用,属于光电子材料与器件领域。该发明中FAPbI3薄膜的制备采用低温工艺的反溶剂法,氯化甲胺作为添加剂与钙钛矿组分溶于DMF与DMSO混合溶液作为前驱体溶液旋涂在已经有SnO2电子传输层的FTO导电基板上,经过退火制备均匀致密的钙钛矿薄膜,整个过程在无水无氧的手套箱内进行。随后在薄膜上旋涂界面修饰层以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。制备的FAPbI3钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率,并且本发明采用的低温制备工艺可使甲脒基钙钛矿太阳能电池光电转换效率获得提升。

    一种空气中低温刮涂制备钙钛矿薄膜的方法及应用

    公开(公告)号:CN114937748A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210373399.2

    申请日:2022-04-11

    Abstract: 本发明公开了一种使用缩二脲和乙酸甲胺相结合,在空气中以低温刮涂制备钙钛矿薄膜的方法,可以降低钙钛矿的结晶势垒,使钙钛矿可以在较低的温度下实现快速结晶,可以增强钙钛矿晶体间的相互作用,提升工艺的空气加工稳定性。极大地提升了空气中刮涂制备高质量钙钛矿薄膜的工艺重复性,降低了钙钛矿的退火温度,从而减少了钙钛矿内部的缺陷态密度,提升了光伏器件的性能。整个制备过程在空气中进行、低温(不高于100℃)条件下快速(1‑5min)退火完成高质量钙钛矿薄膜的制备,满足了刮涂工艺对钙钛矿快速结晶的需求,光电转化效率可达到20.3%,该效率在空气中低温刮涂制备钙钛矿光伏器件中处于领先地位。

    一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效太阳能电池的方法及应用

    公开(公告)号:CN114284439A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202110117031.5

    申请日:2021-01-28

    Abstract: 本发明涉及一种在高湿度环境下制备CsPbI3钙钛矿薄膜及其高效的钙钛矿太阳能电池的方法及应用,属于光电子材料与器件领域。该发明中全无机CsPbI3薄膜的制备采用热旋涂技术将以醋酸甲胺作为溶剂的前驱体溶液旋涂在已经有电子传输层的FTO导电基板上,经过梯度退火,制备致密均匀的钙钛矿薄膜,整个过程在相对湿度为40%‑80%的空气中完成。随后在薄膜上旋涂界面修饰层以及Spiro‑OMeTAD作为空穴传输层,再利用真空蒸镀技术蒸镀MoO3修饰层以及金属电极以完成器件的制备。该方法在高湿度的空气中所制备的CsPbI3全无机钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转化效率。

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