一种利用分子和原子层沉积技术制备气体过滤膜的方法与应用

    公开(公告)号:CN108531891A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810482129.9

    申请日:2018-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种利用分子和原子层沉积技术制备气体过滤膜的方法与应用。该方法包括以下步骤:采用分子层沉积技术将氧化锡传感膜表面沉积一层MLD薄膜,然后煅烧除去其中的有机部分,形成Al2O3微孔膜;将上述材料置于ALD反应器的反应腔内,通过沉积形成ALD薄膜,根据需要循环ALD,即得气体过滤膜。本发明气体过滤膜测试气体时可以通过Al2O3层的微孔并且与敏感层接触导致传感器电阻的变化,通过继续堆叠非致密ALD薄膜,使得非致密ALD薄膜具有一定的厚度并且具有相对于第一部分较小的孔径,通过孔道阻力和不断缩小的孔径来阻挡大分子气体的扩散,有效地解决SnO2传感器H2选择性差的问题。

    一种高灵敏度乙醇气敏传感器的制备方法

    公开(公告)号:CN107300573A

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201710377744.9

    申请日:2017-05-25

    Abstract: 一种高灵敏度乙醇气敏传感器的制备方法。该方法包括以下步骤:取10-50mgSn3O4方片型材料与5-50ml乙二醇混合,搅拌均匀后加入5-30mg聚乙烯吡咯烷酮,继续搅拌,再滴入0.005-0.1mmol的氯铂酸溶液,搅拌得第一混合物;将第一混合物转移至方舟内,连同方舟一同干燥处理后,将方舟内的样品转移至管式炉中高温烧结得半成品;将半成品与去离子水混合后,再均匀涂布在三氧化铝/Au电极上晾干后,置于管式炉烧结得电极;将电极焊接在电极底座上,完成气敏传感器的制备。本发明气敏传感器制备过程简单,响应时间短,且工作温度较低,铂负载在层状Sn3O4/ SnO2异质结方片型气敏材料上制备的传感器可实现室温检测。

    一种纳米结构的侧壁成形制造方法

    公开(公告)号:CN104528634B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410782852.0

    申请日:2014-12-16

    Abstract: 本发明公开了一种纳米结构的侧壁成形制造方法,该方法可以人工制造任意尺寸和小于5nm的纳米点和线结构。低价的纳微米结构的制造方法:与传统的制造方法相比,“侧壁纳米结构成形”的方法,无需依赖昂贵的电子束曝光设备和高分辨率的深紫外光刻设备,做到低价的纳米结构产生方法,可广泛应用于纳米基础科学和应用研究和工业化生产中对纳微米结构制造的需求。宽的纳微米结构制造范围:因为侧壁纳米结构成形方法制备的纳微米结构取决于沉积的侧壁硬掩膜材料的厚度,这样利用这种方法可以制造任意尺寸的纳微米结构。

    气体分离膜及其制备方法、膜式气体分离装置

    公开(公告)号:CN104524990A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410776110.7

    申请日:2014-12-15

    Inventor: 章伟 蔡依晨 许泳

    Abstract: 本发明公开了一种气体分离膜及其制备方法,属于膜分离技术领域。本发明的气体分离膜,包括多孔基底,在多孔基底的至少一个表面上附着有氧化石墨烯与聚合物支化聚乙烯亚胺混合而成的复合膜。本发明的气体分离膜的制备方法,利用片状的氧化石墨烯材料分散于水溶液中,然后和聚合物支化聚乙烯亚胺溶液通过层层交叠的涂覆方法在多孔基底上制备单层或多层复合膜。本发明还公开了一种膜组件单元使用上述气体分离膜的膜式气体分离装置。本发明利用了层状石墨烯材料特有的分子传输特性,打破了气体分离膜中的渗透性和选择性之间的限制关系,展现出了优异的气体分离性能。本发明工艺简单经济,应用范围广,适于规模化制备。

    一种多核-壳结构的ZnO多孔材料的制备方法与应用

    公开(公告)号:CN108609647B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201810480085.6

    申请日:2018-05-18

    Abstract: 本发明公开了一种多核‑壳结构的ZnO多孔材料的制备方法与应用。该制备方法包括以下步骤:二水乙酸锌溶于甲醇溶液中,磁力搅拌10min后,超声处理10min,再继续磁力搅拌10min,作为溶液A;将水杨酸溶于甲醇溶液中,磁力搅拌20min,作为溶液B;将溶液A和溶液B混合,磁力搅拌10min后,再混合溶液转移至反应釜中,连同反应釜置于烘箱中160℃时反应24h,反应产物分别用乙醇和水离心洗涤3次后,于烘箱中于60℃干燥12h,得到浅黄色粉末;步骤4,将浅黄色粉末煅烧2h,即可。本发明制备方法简单,且所得多核‑壳结构的ZnO多孔材料应用领域广。

    一种大面积氧化锌纳微发电机的制造方法

    公开(公告)号:CN104037320B

    公开(公告)日:2017-05-10

    申请号:CN201410229816.1

    申请日:2014-05-28

    Abstract: 一种大面积ZnO纳微发电机的制造方法,在衬底上沉积Au电极;旋涂光刻胶,形成Y方向的光刻胶纳微米线结构;通过离子束刻蚀刻蚀掉没有光刻胶保护的Au电极材料,然后沉积硬掩膜材料氧化铝,刻蚀掉侧壁的氧化铝材料,以暴露光刻胶;用丙酮剥离掉光刻胶及上面的Al2O3,利用溶胶凝胶法沉积ZnO薄膜;用离子束刻蚀和丙酮进行光刻胶剥离形成ZnO纳米线;旋涂光刻胶,经曝光和成型后露出两端的ZnO纳米线;利用电子束蒸发沉积Pt电极;用丙酮剥离掉光刻胶,刻蚀去除Al2O3,压电纳米发电机结构;暴露压电纳米发电机到振动源,产生压电转换和纳微压电发电。达到低成本、高机械能‑电能转化纳米发电机的大面积可控生产和加工。

    磁隧道结结构、隧道磁阻元件

    公开(公告)号:CN105938872A

    公开(公告)日:2016-09-14

    申请号:CN201610383994.9

    申请日:2016-06-02

    Inventor: 章伟 杨楠 胡雪峰

    CPC classification number: H01L43/08 H01L43/02 H01L43/10 H01L43/12

    Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结结构,属于磁电子学技术领域。本发明磁隧道结结构包括以下几方面改进:导入超薄金属Mg层从而构成Mg/MgO/Mg三明治超晶格结构的绝缘势垒层;利用两种具有相反磁致伸缩特性的铁磁材料层所构成的超晶格结构作为钉扎型TMR结构的自由层;在自由层侧壁引入可对自由层中边缘微小磁畴实现钉扎作用的附加钉扎层。本发明还公开了一种隧道磁阻元件以及应用该隧道磁阻元件的隧道磁阻磁头、隧道磁阻传感器、磁存储单元。相比现有技术,本发明可有效降MTJ元件中的电磁噪声,大幅提高TMR传感器的灵敏度。

    一款高效率高可靠性光伏并网微型逆变电源

    公开(公告)号:CN104682750A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510130037.0

    申请日:2015-03-20

    CPC classification number: Y02E10/56 H02M7/48 H02J3/385

    Abstract: 一款高效率高可靠性光伏并网逆变电源,采用两相互补电流方法进行电流控制,通过检测基准电压控制信号Vsw1和Vsw2来控制开关器件M5和M6的导通和关断,再通过利用M3、M4和Lb构成的同步整流开关降压方式把第二相输出电流Iout2和第一相输出电流Iout1进行叠加,实现向电网传输能量。本发明不需要使用电解电容,光伏电池板两端输出电压或工作电压在相对稳定的外部环境下如光照稳定的情况下也是稳定的,保证了MPPT的实现和电池板输出功率最大化,同时可实现高可靠性和高转换效率。

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