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公开(公告)号:CN110161087A
公开(公告)日:2019-08-23
申请号:CN201910417148.8
申请日:2019-05-20
Applicant: 南京工业大学 , 安徽六维传感科技有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种氢气传感材料的制备与应用。该制备方法称取氧化锌分散在乙醇溶液中,先磁力搅拌10min后再超声10min,再搅拌10min,形成均匀的分散液,再加入PVP,磁力搅拌20min,作为溶液A;按照Zn2+/Sn2+摩尔比为30-60:1,配制不同浓度的二水氯化亚锡溶液,并在搅拌的过程中逐滴加入到溶液A中,继续磁力搅拌,将混合溶液转移至反应釜中,在烘箱中反应24h,然后将反应生成物用乙醇和水分别离心洗涤三次后,置于烘箱中于80℃干燥20h,得到浅黄色粉末;在煅烧得具有不同SnO2掺杂量的核-壳ZnO微米球。该材料采用水热法合成,对低浓度的氢气灵敏度高,选择性好,且制备过程简单。
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公开(公告)号:CN108572198A
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201810480317.8
申请日:2018-05-18
Applicant: 南京工业大学 , 安徽六维传感科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一氧化氮气敏材料及其在制备传感器上的应用。该一氧化氮气敏材料由In2O3和Nb2O5的WO3混合而成。此一氧化氮气敏材料在制备传感器上的应用包括以下步骤:称量In2O3,Nb2O5和WO3,混合后加入乙醇搅拌均匀,投入球磨机中磨碎得混合粉末;将混合粉末烘干后,加入粘合剂造粒;将母粒通过压片处理后烧结得一氧化氮气敏材料,备用;清洗平面电极,将一氧化氮气敏材料作为靶托和清洗完的平面电极装入脉冲激光沉积设备腔体内,调节,沉积薄膜;待沉积结束后,取出样品封装处理,即可。利用本发明一氧化氮气敏材料制备的传感器可以在较低的温度下检测ppb级的一氧化氮,且半导体型NO传感器体积小,制造工艺简单。
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公开(公告)号:CN108341426A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810481271.1
申请日:2018-05-18
Applicant: 南京工业大学 , 安徽六维传感科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种丙酮传感材料的制备与应用。该制备包括以下步骤:将二水氯化亚锡溶于去离子水中,再加入氢氧化钠搅拌均匀后,加入氯铂酸搅拌均匀得溶液A;将水杨酸溶于水和乙醇的混合溶液中,搅拌至完全溶解作为溶液B;边搅拌边将溶液B滴入溶液A中,当溶液B滴至一半时暂停滴加;30-45分钟后,继续向溶液A中滴加剩余的溶液B,滴加速度同步骤3的滴加速度,待滴加完成后继续搅拌,并将混合溶液转移至反应釜中烘箱中反应8-16小时后,将产物置于烘箱内干燥后的产物煅烧2-5小时,即可。该制备方法所得丙酮传感材料是一种三维多孔花状的SnO2结构,具有多孔、分层和掺杂效应,在较低温度下检测丙酮灵敏度高,选择性好。
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公开(公告)号:CN107445196A
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201710377742.X
申请日:2017-05-25
Applicant: 南京工业大学 , 如皋六维环境科技有限公司
CPC classification number: C01G19/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/22 , C01P2006/12 , G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种层状Sn3O4/SnO2异质结方片型气敏材料的制备方法。该制备方法以SnCl2▪2H2O和NaOH为主要原料,以水杨酸为形貌调控剂,以乙醇和高纯水为溶剂,利用水热合成法制备层状Sn3O4方片型材料,再通过控制烧结条件制备层状Sn3O4/ SnO2异质结方片型气敏材料。与现有工艺相比,本发明方成方法简单,反应条件温和,生产成本低,比表面积大,在气体传感器、电池、催化剂及光催化方面具有潜在用途。
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公开(公告)号:CN104649257A
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201410776794.0
申请日:2014-12-15
Applicant: 南京工业大学 , 南京益得冠电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多孔径石墨烯膜的制造方法。该方法利用能量束对具有晶格缺陷的石墨烯膜进行辐射,使石墨烯碳环六角结构中具有晶格缺陷的碳键合被打断,产生孔径,从而生成多孔径石墨烯膜;并通过调整晶格缺陷的浓度和/或能量束的辐射强度对所述孔径的大小进行控制。本发明还公开了一种基于上述方法制造的多孔径石墨烯的气体分离元件。本发明首次实际制备出了具有气体渗透孔径的石墨烯膜,成功实现了石墨烯膜在气体分离方面的应用;本发明可根据需要对孔径大小进行控制,且制备工艺简单,实现成本低廉,适于大规模工业应用;本发明的气体分离元件对气体分子具有极强的选择性和高渗透率,经实验验证,在常温下对H2/N2的分离系数高达260。
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公开(公告)号:CN104034763A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410230475.X
申请日:2014-05-28
Applicant: 南京工业大学 , 南京益得冠电子科技有限公司
Abstract: 一种混杂贵金属掺粒子和金属氧化物薄膜的集成气体传感器及其制备方法,包括基片、加热电极、导热绝缘层、检测电极、金属氧化物薄膜,加热电极制备在基片上、导热绝缘层位于加热电极和检测电极之间,金属氧化物薄膜覆盖在检测电极上,其特征在于:在金属氧化物薄膜上沉积有贵金属粒子,贵金属粒子为单原子覆盖在氧化物薄膜上,覆盖度为金属氧化物薄膜表面积的0.05%-10%,颗粒尺寸为0.2nm-0.4nm。本发明能有效提高金属氧化物薄膜气体灵敏度和稳定性,通过掺杂贵金属粒子,测试200ppm乙醇气体,灵敏度由纯金属氧化物的1.51提高到贵金属-金属氧化物的9.46;同时,金属氧化物薄膜的气敏反应温度只需要150℃。
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公开(公告)号:CN104034758A
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201410230643.5
申请日:2014-05-28
Applicant: 南京益得冠电子科技有限公司 , 南京工业大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种混杂石墨烯膜、贵金属粒子和金属氧化物材料的集成氢气传感器及其制备方法,传感器包括基片、加热电极、导热绝缘层、检测电极,加热电极位于基片上,导热绝缘层在加热电极与检测电极之间,还包括沉积在检测电极上的金属氧化物薄膜,金属氧化物薄膜表面上沉积的贵金属粒子,石墨烯膜覆盖在沉积有贵金属粒子的金属氧化物薄膜上。所述贵金属粒子为单原子覆盖在金属氧化物薄膜上,覆盖度为0.05%-10%,颗粒尺寸为0.2nm-0.4nm,随机均匀排列。所述金属氧化物薄膜厚度为10nm-2μm。所述石墨烯膜厚度0.5-1.2nm。本发明提供的集成氢气传感器能够同时实现对氢气检测和监测的高灵敏度和高选择性。
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公开(公告)号:CN107300573B
公开(公告)日:2020-04-28
申请号:CN201710377744.9
申请日:2017-05-25
Applicant: 南京工业大学 , 如皋六维环境科技有限公司
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种高灵敏度乙醇气敏传感器的制备方法。该方法包括以下步骤:取10‑50mg层状Sn3O4/SnO2异质结方片型气敏材料与5‑50ml乙二醇混合,搅拌均匀后加入5‑30mg聚乙烯吡咯烷酮,继续搅拌,再滴入0.005‑0.1mmol的氯铂酸溶液,搅拌得第一混合物;将第一混合物转移至方舟内,连同方舟一同干燥处理后,将方舟内的样品转移至管式炉中高温烧结得半成品;将半成品与去离子水混合后,再均匀涂布在三氧化铝/Au电极上晾干后,置于管式炉烧结得电极;将电极焊接在电极底座上,完成气敏传感器的制备。本发明制备过程简单,响应时间短,且工作温度较低,所得传感器可实现室温检测。
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公开(公告)号:CN105911103A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610226559.5
申请日:2016-04-13
Applicant: 南京工业大学 , 南京益得冠电子科技有限公司
IPC: G01N27/04
CPC classification number: G01N27/04
Abstract: 本发明公开了一种钉扎型自旋阀结构,包括依次设置的钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层;该钉扎型自旋阀结构还包括依次设置于自由层相对于隔离层的另一侧的保护层、附加钉扎层;所述保护层为非磁性材料;所述附加钉扎层可产生对所述自由层中边缘多磁畴实现钉扎作用的磁钉场。本发明还公开了一种生物磁传感器及一种生物分子检测方法。本发明通过在传统钉扎型自旋阀结构的自由层一侧引入附加钉扎层,来对磁传感器自由层中边缘多磁畴进行钉扎,从而有效抑制了磁传感器的磁噪声,提高了磁传感器的灵敏度;同时又具有制备工艺简单、生产成本低的优点。
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公开(公告)号:CN108572198B
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201810480317.8
申请日:2018-05-18
Applicant: 南京工业大学 , 安徽六维传感科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一氧化氮气敏材料及其在制备传感器上的应用。该一氧化氮气敏材料由In2O3和Nb2O5的WO3混合而成。此一氧化氮气敏材料在制备传感器上的应用包括以下步骤:称量In2O3,Nb2O5和WO3,混合后加入乙醇搅拌均匀,投入球磨机中磨碎得混合粉末;将混合粉末烘干后,加入粘合剂造粒;将母粒通过压片处理后烧结得一氧化氮气敏材料,备用;清洗平面电极,将一氧化氮气敏材料作为靶托和清洗完的平面电极装入脉冲激光沉积设备腔体内,调节,沉积薄膜;待沉积结束后,取出样品封装处理,即可。利用本发明一氧化氮气敏材料制备的传感器可以在较低的温度下检测ppb级的一氧化氮,且半导体型NO传感器体积小,制造工艺简单。
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