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公开(公告)号：CN117625390A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311645597.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种用于细胞共培养的实时观测系统，包括：微流控细胞共培养装置、注射泵、注出泵、集成观测装置及显示模块，所述集成观测装置的内部设置所述微流控细胞培养装置，所述注射泵连接所述微流控细胞培养装置的输入端，所述微流控细胞培养装置的输出端连接所述注出泵，所述集成观测装置连接所述显示模块。本发明提供的用于细胞共培养的实时观测系统，适用于对肿瘤细胞的共培养和全视野实时动态观测，结构简单，占用空间小，降低了对细胞共培养的培养成本和观测成本，提高了观测效率和准确率，便于使用。
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公开(公告)号：CN117420954A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311319320.9
申请日：2023-10-12
Applicant: 南京大学
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种处理带有奇数比特流的数据读出模块及设计方法。数据读出模块包括奇数流数据分块模块和奇数流数据选通模块；奇数流数据分块模块用于在奇数比特流数据读出时，根据输入数据位数和输出数据，设计数据的存储方案，对数据进行重组分块；奇数流数据选通模块用于在所述奇数流数据分块模块输出的分块数据基础上，根据数据筛选方式，对数据链路进行选通并输出数据流。本发明的提出能够使得数据读出模块在带有奇数比特数据流的情况下，以较高频率、较低硬件开支的情况下实现复杂功能的数据流处理，实现数据读出模块的功能实现以及硬件优化。
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公开(公告)号：CN117395526A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311233788.6
申请日：2023-09-23
Applicant: 南京大学
IPC: H04N25/57 , H04N25/63 , H04N25/618
Abstract: 本发明公开一种针对复合介质栅光敏探测器的加压方法。该方法包括：对于P型MOS电容，曝光时通过控制栅极加非负的电压、衬底加负电压形成耗尽区，实现对光电子的收集，而源极和漏极加非负的电压使源极和衬底、漏极和衬底的PN结反偏，降低暗电流，同时源极和漏极所加电压相同，以防止MOS电容产生亚阈值导通；加压的具体顺序为：首先对深槽隔离区加上负电压，然后依次对衬底、控制栅极、源极和漏极加压，其中，对深槽隔离区加的负电压数值比衬底加的负电压数值低。本发明的加压方法在保证探测器其他特性不恶化的同时，使复合介质栅光敏探测器获得了高满阱、低暗电流，提高了信噪比和动态范围。
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公开(公告)号：CN117367580A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311306630.7
申请日：2023-10-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种适用于梯度成像的SPAD阵列，涉及集成电路技术领域，包括依次连接的M×L列像素、比较模块阵列和总线电路；所述M×L列像素包括M×1输出列像素和L‑1个M×1前级列像素；列像素中每个像素单元均包括SPAD像素和计数器，SPAD像素与计数器连接；SPAD像素每探测一个光子产生一个脉冲，计数器用于对SPAD像素产生的脉冲个数进行计数；比较模块阵列包括M×1的比较模块，比较模块用于输出M×L列像素的原始计数值以及比较数据；总线电路用于读出比较模块产生的原始计数值以及比较数据。本发明提出的适用于梯度成像的SPAD阵列，具有更高的探测精确度，更适用于高读出速度和带宽受限的应用场景。
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公开(公告)号：CN117199093A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311171584.4
申请日：2023-09-12
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , G06N3/0464 , G01J11/00 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78
Abstract: 本发明公开了一种适用于卷积运算的SPAD阵列，属于单光子雪崩器件的集成电路技术领域，由M×N个二维排布的像素单元组成，像素单元包括SPAD、脉冲压缩电路、负脉冲矩阵产生电路、正脉冲矩阵产生电路、多输入上下计数器；SPAD探测光子信号并输出数字脉冲信号，脉冲压缩电路将SPAD输出的数字脉冲信号进行脉宽压缩，正、负脉冲矩阵产生电路将脉宽压缩后的一路信号序列拓展成多路正负脉冲矩阵，多输入上下计数器进行累加操作，实现将像素矩阵与特定卷积核相乘后信号序列的加法操作。本发明将SPAD探测器与卷积神经网络技术进行结合，实现一层卷积计算，具备电路结构相对简单、探测灵敏度高、运算实时性高、功耗较低等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116564985A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310587176.0
申请日：2023-05-24
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H04N25/63
Abstract: 本发明公开了一种有效降低暗电流的复合介质栅光敏探测器及其工作方法。其探测器单元包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，在P型半导体衬底中形成N型掺杂区，仅在N型掺杂区和复合介质栅MOSFET部分的源漏极底部之间保留部分P型半导体衬底。本发明通过将光电子收集区从衬底表面改为衬底内部，同时使栅氧界面和隔离结构侧壁处于空穴积累状，进而使得光电子收集区远离暗激发较为严重的栅氧界面和浅槽隔离侧壁，实现对暗电流的抑制，同时又不损失满阱容量。
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公开(公告)号：CN116314223A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310130225.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种有效降低随机电报噪声的复合介质栅光敏探测器。该探测器包括形成在同一P型半导体衬底上方的复合介质栅MOS电容和复合介质栅MOSFET部分，二者通过衬底中设置的浅沟槽隔离区实现功能区的分离；复合介质栅MOSFET部分包括复合介质栅结构、形成于衬底上方的鳍状结构以及埋层介质层，鳍状结构位于复合介质栅结构和埋层介质层之间；鳍状结构包括垂直于衬底的源极和漏极，其中，漏极与衬底相邻，源极位于漏极上方，源极和漏极中间为鳍状衬底。本发明有效提高了晶体管的沟道宽度，进而降低了光敏探测器的时域噪声，解决了当前由于光敏探测器尺寸减小所带来的噪声增加的问题。
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公开(公告)号：CN109884612B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201910174228.5
申请日：2019-03-07
Applicant: 南京大学
IPC: G01S7/4865 , G01S7/4863 , G01S17/26
Abstract: 本发明公开了一种多通道单光子雪崩二极管探测器的脉冲时间压缩方法，具体为：多路单光子雪崩二极管组成探测阵列，每路单光子雪崩二极管之间相互独立，且每路单光子雪崩二极管淬灭电路分别与一路脉冲时间压缩电路连接；每路单光子雪崩二极管经过各自对应的淬灭电路作用产生一路宽脉冲信号，宽脉冲信号再由脉冲时间压缩电路进行脉冲时间压缩，产生一路窄脉冲信号；总线电路将多路经脉冲时间压缩后的窄脉冲信号合并到一路总线上作为一个像素点对外输出。本发明的方法能有效避免多通道单光子雪崩二极管探测器因每一路死区时间对总线占用时间过长而导致的信号不可分辨、信号漏判误判等问题，同时能提高总线上信号的传输带宽。
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公开(公告)号：CN111554699B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010401621.6
申请日：2020-05-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/146 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种基于复合介质栅结构的光敏探测单元、探测器及其方法。其光敏探测单元包括具有感光功能的复合介质栅MOS‑C部分、具有读取信息功能的复合介质栅MOSFET部分以及具有复位功能的复位管部分，复位管部分包括在P型半导体衬底上方依次叠设的底层介质层、复位浮栅层、顶层介质层和复位栅；在P型半导体衬底中：靠近第一底层介质层的一侧设有N型连接层，N型连接层与N型注入层相连；N型注入层分别与N型源极区、N型漏极区、复合介质栅MOSFET部分下方的衬底、复位栅下方的衬底之间通过设置浅槽隔离区和P+型注入区隔开。本发明的光敏探测器减小了暗信号带来的固定图形噪声，具有良好的暗特性和弱光响应。
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公开(公告)号：CN116074650A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310045007.4
申请日：2023-01-30
Applicant: 南京大学
IPC: H04N25/76 , H04N25/532 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种全局快门图像传感器像素单元及工作方法。该像素单元包括感光收集存储区和信号读取区，感光收集存储区包括衬底感光收集区、第一级电容器、信号存储区、第二级电容器和全局快门开关；全局快门开关包括快门第一端口、快门第二端口和快门第三端口，快门第一端口与信号存储区相连；感光收集存储区还设有对外电压接口，包括像素栅极、像素衬底、快门驱动和快门电源，像素栅极与第二级电容器的第二端口相连，像素衬底与衬底感光收集区相连，快门驱动与快门第二端口相连，快门电源与快门第三端口相连；信号读取区包括读取场效应管，用于输出信号存储区所存储信号。本发明只需要通过两个晶体管的精简结构可实现图像传感器全局曝光的功能。
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