公开(公告)号：CN118116915B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410491715.5

申请日：2024-04-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  荣玉 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种梳齿状抗辐照GaN HEMT器件结构及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明通过在栅极金属层漏极侧设有与势垒层直接接触的分段间隔交替排布的第一肖特基金属层与第二肖特基金属层，源极上的互联金属层与第一肖特基金属相连形成了横向的梳齿状结构一，这样设计能够最大程度上避免了全部肖特基金属层与第二顶层金属层相连时源极上互联金属场板过短从而影响到器件的击穿能力的问题；第二顶层金属层与第二肖特基金属层相连形成了纵向的梳齿状结构二，这样设计能够避免全部肖特基金属层与源极相连时漏电过大的问题；上述结构设计，使得辐照产生的感生电荷能够从第一、二肖特基金属层流出晶体管，防止正电荷积累导致的辐照损伤现象。

公开(公告)号：CN118116915A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410491715.5

申请日：2024-04-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  荣玉 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: H01L23/552 ,  H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开一种梳齿状抗辐照GaN HEMT器件结构及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明通过在栅极金属层漏极侧设有与势垒层直接接触的分段间隔交替排布的第一肖特基金属层与第二肖特基金属层，源极上的互联金属层与第一肖特基金属相连形成了横向的梳齿状结构一，这样设计能够最大程度上避免了全部肖特基金属层与第二顶层金属层相连时源极上互联金属场板过短从而影响到器件的击穿能力的问题；第二顶层金属层与第二肖特基金属层相连形成了纵向的梳齿状结构二，这样设计能够避免全部肖特基金属层与源极相连时漏电过大的问题；上述结构设计，使得辐照产生的感生电荷能够从第一、二肖特基金属层流出晶体管，防止正电荷积累导致的辐照损伤现象。

公开(公告)号：CN113972263B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202111229966.9

申请日：2021-10-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  曾昶琨 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法。该器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、势垒层、组分渐变InGaN帽层和钝化层；组分渐变InGaN帽层厚度小于等于300nm，帽层内不进行掺杂，帽层中的In组分沿材料生长方向自下而上由0渐变增长至x，其中0＜x≤1。本发明采用极化掺杂技术，将传统的p型GaN帽层替换为渐变组分InGaN帽层，在无需杂质掺杂的情况下实现了p型掺杂，避免了杂质掺杂引入的栅区域可靠性问题，显著提升了器件的正向栅极耐压，可应用于高频功率开关电路中。

公开(公告)号：CN117110824B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311370126.3

申请日：2023-10-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  王文峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  周东 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了半导体器件原位测试系统，涉及半导体性能测试技术领域。本发明包括静态测试单元、静态测试通道、动态测试单元、动态测试通道和通道切换控制单元；静态测试单元经静态测试通道连接待测半导体器件，静态测试单元用于输出静态测试信号并显示待测半导体器件的静态测试数据；动态测试单元经动态测试通道连接待测半导体器件，动态测试单元用于输出动态测试信号并显示待测半导体器件的动态测试数据；通道切换控制单元分别连接静态测试通道和动态测试通道。本发明可以实现第三代半导体器件的静态特性、动态特性和退化特性测试。

公开(公告)号：CN116978850A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310959615.6

申请日：2023-07-31

Applicant: 合肥国家实验室 ,  南京大学

Inventor： 周玉刚 ,  刘泽翔 ,  郭焱 ,  陆海 ,  刘斌 ,  张荣

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种磁组装微器件转移组装结构及转移组装方法。磁组装微器件转移组装结构包括：具有微纳尺度的临时转移微器件，包括微器件和磁性连接层，磁性连接层可分离地固定在微器件上；磁平台，包括沿第一方向依次设置的磁性发生层和图案化软磁材料层，磁性发生层至少用于提供可调节的磁场，磁性发生层与位于磁场内的磁性连接层能够磁性吸引，图案化软磁材料层至少用于引导磁场中的磁力线，而使具有微纳尺度的临时转移微器件能够被磁性吸引固定在磁平台上，或者，使具有微纳尺度的临时转移微器件能够从磁平台上脱离。本发明通过磁吸方式选择性吸附或退吸带微器件能够完成RGB三色模块的选择性转移以及后续良率检测和修复工作。

公开(公告)号：CN112230115B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202011088858.X

申请日：2020-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 周峰 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  柏宇 ,  任芳芳

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种集成氮化镓二极管和三极管的雪崩测试电路及其控制方法，雪崩测试电路包括电源保护电路、测试电路和控制电路；电源保护电路与测试电路串联；电源保护电路包含直流DC电源、稳压电容C1、滤波电容C2、保护三极管Q3和保护二极管D3；测试电路包含待测二极管D1、待测三极管Q1、旁路三极管Q2、保护二极管D2和负载电感L1,负载电感L1存储的雪崩能量有两条泄放支路，保护二极管D2与两条泄放支路分别构成泄放回路；控制电路分别连接待测三极管Q1、旁路三极管Q2和保护三极管Q3的栅极。本发明实现了在固定电路中对氮化镓二极管和三极管的雪崩参数进行测量，提升了测试效率，降低了测试成本，并且利用泄放回路消除了雪崩能量对电路的冲击，保护了电源设备。

公开(公告)号：CN113972263A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111229966.9

申请日：2021-10-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  曾昶琨 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件及制备方法。该器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、势垒层、组分渐变InGaN帽层和钝化层；组分渐变InGaN帽层厚度小于等于300nm，帽层内不进行掺杂，帽层中的In组分沿材料生长方向自下而上由0渐变增长至x，其中0＜x≤1。本发明采用极化掺杂技术，将传统的p型GaN帽层替换为渐变组分InGaN帽层，在无需杂质掺杂的情况下实现了p型掺杂，避免了杂质掺杂引入的栅区域可靠性问题，显著提升了器件的正向栅极耐压，可应用于高频功率开关电路中。

公开(公告)号：CN113937174A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202111196401.5

申请日：2021-10-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 陆海 ,  王致远 ,  周东 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0312 ,  H01L31/103 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种基于选区离子注入的新型碳化硅基横向PN结极紫外探测器，包括从下到上依次相接的N型欧姆接触下电极、N型衬底和低掺外延层，低掺外延层为N型低掺外延层或P型低掺外延层；当为N型低掺外延层时，N型低掺外延层表面通过选区离子注入形成P型阱区域，P型阱区域上设有P型欧姆接触上电极，P型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极；当为P型低掺外延层时，P型低掺外延层表面通过选区离子注入形成N型阱区域，N型阱区域上设有N型欧姆接触上电极，N型欧姆接触上电极沿周边设有金属导电电极。本发明有效提升了探测器在极紫外波段的探测效率，同时显著提高了辐照稳定性以及温度稳定性。

公开(公告)号：CN109326659B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201811121284.4

申请日：2018-09-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 周东 ,  陆海 ,  苏琳琳 ,  徐尉宗

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/20

Abstract: 本发明公开了一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器及其制备方法，一种高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器，在上电极和上电极4H‑SiC欧姆接触层之间设有氧等离子体处理的4H‑SiC欧姆接触层。上电极为Ti单层金属或含Ti多层金属复合结构。本发明高响应度低暗电流PIN结构的4H‑SiC紫外探测器克服了传统PIN结构4H‑SiC紫外探测器响应度低的缺点，在不增加器件的外延技术难度、器件制备复杂程度及成本的前提下，有效提升器件的灵敏度，并保持极低的暗电流水平。

公开(公告)号：CN111564487A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010423278.5

申请日：2020-05-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 程亮 ,  陆海 ,  徐尉宗 ,  任芳芳 ,  周东

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件及其制备方法，基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN或GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层和厚绝缘栅介质层；厚绝缘栅介质层上刻蚀或腐蚀有源极区域和漏极区域，源极区域和漏极区域之间设有栅极区域，源极区域设有源电极，漏极区域设有漏电极，栅极区域设有栅电极，源电极、漏电极和栅电极一步成型，并一起经历欧姆电极的合金化退火工艺。本发明基于厚栅介质层电极一步成型的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件，源极、漏极、栅极同时蒸发同样的金属叠层，一步成型，大大简化了工艺制程，节省了成本，并且得到了高性能的AlGaN/GaN MIS-HEMT器件；可以应用于高效功率开关以及射频器件中。