公开(公告)号：CN1800445A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510095459.5

申请日：2005-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  王荣华 ,  夏冬梅 ,  刘成祥 ,  谢自力 ,  赵红 ,  修向前 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。

公开(公告)号：CN1036167C

公开(公告)日：1997-10-15

申请号：CN92109725.5

申请日：1992-08-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 张荣 ,  顾书林 ,  郑有炓 ,  韩平 ,  王荣华 ,  胡立群

IPC: H01L21/205

Abstract: 一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2-40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作、设备无须大的变动。

公开(公告)号：CN101519772B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200910030912.2

申请日：2009-04-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  吴军 ,  王荣华 ,  王琦 ,  于乐 ,  俞斐 ,  赵红 ,  华雪梅 ,  谢自力 ,  修向前 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/455

Abstract: CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法，让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体，并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后，在合适的温度下进行反应以外延生长薄膜材料。对于分解温度较高的反应源气体，在输运至石墨反应腔进气端前需对其进行加热而使其预分解，这个过程是通过在导引气体的细石英管周围配置石墨管感应件、经射频加热的方法来实现的。

公开(公告)号：CN100451162C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510095459.5

申请日：2005-11-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 韩平 ,  王荣华 ,  夏冬梅 ,  刘成祥 ,  谢自力 ,  赵红 ,  修向前 ,  朱顺明 ,  顾书林 ,  施毅 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/52

Abstract: 化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1-xGex:C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1-xGex:C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。