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公开(公告)号：CN111501086A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010558887.1
申请日：2020-06-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用高温回转炉生长高质量拓扑半金属InBi单晶的方法，块体是In、Bi元素以1:1化学计量比形成的化合物，是具有第二类狄拉克点的拓扑半金属材料，通过低场磁输运测试，块体单晶具有大的载流子浓度1018cm-3和高迁移率，14T未饱和磁阻MR的值到达12000％，低温1.5K、高场60T出项明显振荡；同时角分辨光电子能谱(ARPES)和X射线衍射光谱仪(XRD)的表征，证明了其很高的质量，ARPES分析在ΓXΓ和MXM方向上发现2条nodal-line。制备方法是高温融合后，以1℃/min的速率缓慢降温至室温结晶形成大块单晶，所获得的单晶表征ARPES和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的块体，同时材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN106784303B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201611035237.9
申请日：2016-11-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到105量级，在加压下还会呈现超导性质。将碲化钨薄膜生长在云母上有利于应力相关研究和开发柔性电子学的应用。薄膜的制备方法是激光分子束外延(L‑MBE)技术，在约4.6×10‑7mbar的本底真空下，在恒定温度的衬底上进行生长，随后在Te蒸气下高温退火。所获得的薄膜表征拉曼信号和XRD信号均与文献记载相吻合，确定为高质量的的薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116641132A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310431729.3
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有巨大拓扑霍尔效应的碲化铬薄膜的外延生长方法，属于电子材料技术领域，本发明方法首先准备好基片与铬碲元素化合物靶材，使用泵组将腔室内压抽至真空后，对基片进行加热至恒定温度，采用准分子激光器将激光聚焦到靶材上，沉积全程通过RHEED高能电子衍射仪保持实时原位监控，观察到沉积薄膜RHEED衍射斑点为清晰三维点阵图形后，将腔室内温度降至室温，取出基片对所得碲化铬单晶薄膜进行表征测试。测量结果表明，本方法为本技术领域内首次获得居里温度高于室温的碲化铬铁磁薄膜，其拓扑霍尔电阻率最大幅度值在现有观测到拓扑霍尔效应的所有碲化铬材料体系中最高，方法具有较高的制备效率，可拓展到制备其它高质量的碲化物薄膜。
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公开(公告)号：CN106756810A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710004091.X
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/28 , C30B23/02 , G01N23/227
Abstract: 先进材料的生长测试一体化系统，包括光源产生系统，真空传输系统，材料生长系统以及时间和自旋分辨的电子能谱测试系统；所述光源产生系统包括极紫外超短脉冲激光系统，光学参量转换系统，极紫外超短脉冲激光转换系统，时间同步装置，泵浦光和探测光合束器；所述时间和自旋分辨的电子能谱测试系统包括：合束输入窗口；真空测试腔；样品固定架；半球电子能谱分析仪，扫描电子显微镜；所述材料生长系统包括：第一和第二分子束外延生长系统；第一和第二脉冲激光沉积系统；真空传输系统包括超高真空样品输运小车和串联的超高真空管道，通过超高真空管道，在生长腔室与能谱探测腔之间来回传递；实现不同先进材料的生长和制备。
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公开(公告)号：CN106756810B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710004091.X
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/28 , C30B23/02 , G01N23/2273
Abstract: 先进材料的生长测试一体化系统，包括光源产生系统，真空传输系统，材料生长系统以及时间和自旋分辨的电子能谱测试系统；所述光源产生系统包括极紫外超短脉冲激光系统，光学参量转换系统，极紫外超短脉冲激光转换系统，时间同步装置，泵浦光和探测光合束器；所述时间和自旋分辨的电子能谱测试系统包括：合束输入窗口；真空测试腔；样品固定架；半球电子能谱分析仪，扫描电子显微镜；所述材料生长系统包括：第一和第二分子束外延生长系统；第一和第二脉冲激光沉积系统；真空传输系统包括超高真空样品输运小车和串联的超高真空管道，通过超高真空管道，在生长腔室与能谱探测腔之间来回传递；实现不同先进材料的生长和制备。
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公开(公告)号：CN108511324A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810299196.7
申请日：2018-04-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种γ相硒化铟纳米片的外延生长方法,纳米片的制备方法是化学气相沉积(CVD)技术，在46Pa附近的本底真空下，通过高纯氩气作为载体，在恒定温度的衬底上进行生长，之后再在氩气氛围下进行退火。本发明所得到的γ-In2Se3纳米片组分均匀，形貌为正六边形，尺寸大小在5μm左右，有利于对材料进行光刻等微加工工艺，为制备光电子、光伏等器件提供更简单易行的制备工艺。同时γ-In2Se3纳米片材料制备参数易调整，设备简单，易操作，生长过程可控，工艺重复性好，具有较高的制备效率。它在光电子学领域的独特优势将为新型光伏器件的应用打下基础。
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公开(公告)号：CN206408285U
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201720005833.6
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/28 , C30B23/02 , G01N23/227
Abstract: 先进材料的生长测试一体化系统，包括光源产生系统，真空传输系统，材料生长系统以及时间和自旋分辨的电子能谱测试系统；所述光源产生系统包括极紫外超短脉冲激光系统，光学参量转换系统，极紫外超短脉冲激光转换系统，时间同步装置，泵浦光和探测光合束器；所述时间和自旋分辨的电子能谱测试系统包括：合束输入窗口；真空测试腔；样品固定架；半球电子能谱分析仪，扫描电子显微镜；所述材料生长系统包括：第一和第二分子束外延生长系统；第一和第二脉冲激光沉积系统；真空传输系统包括超高真空样品输运小车和串联的超高真空管道，通过超高真空管道，在生长腔室与能谱探测腔之间来回传递；实现不同先进材料的生长和制备。
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