公开(公告)号：CN1900745A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610088286.9

申请日：2006-07-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  刘成祥 ,  赵红 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: G02B5/08 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5－50nm厚的低温LT－GaN、50－2000nm厚的高温HT－GaN和或加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN；最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5－50nm厚的低温LT－GaN/50－2000nm厚的高温HT－GaN/和或包括加入一层厚度为5－100nm的高温HT－AlN/最后为10－50周期的15－80nm高温AlN/15－100nm高温AlxGal－xN结构。

公开(公告)号：CN1763268A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510094184.3

申请日：2005-09-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  刘成祥 ,  韩平 ,  周圣明 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/205

Abstract: 一种a面和m面GaN薄膜材料的控制生长方法，在MOCVD系统中用铝酸锂做衬底生长a面或m面的GaN材料，在MOCVD系统中对生长的(302)和(100)铝酸锂衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，时间为10－60分钟，或然后通入氨气进行表面氮化，时间为10－60分钟；然后在500－1050℃温度范围通入载气H2和或N2，NH3气以及金属有机镓源，金属有机镓源流量为1－50sccm；NH3气500－7000sccm；N与Ga之摩尔比为500－3000，在(302)或(100)铝酸锂衬底上合成生长a面或m面的GaN材料，生长温度500－1050℃温度下，时间为10－60分钟。本发明GaN薄膜具有更好的应用价值，且薄膜厚度可以控制。

公开(公告)号：CN1900745B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200610088286.9

申请日：2006-07-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  修向前 ,  刘斌 ,  李亮 ,  刘成祥 ,  赵红 ,  郑有炓 ,  顾书林 ,  江若琏 ,  施毅 ,  朱顺明 ,  胡立群

IPC: G02B5/08 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L51/00 ,  H01S5/125 ,  H01S5/187

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 用于紫外探测器的高反射率分布布拉格反射镜结构：从基底到上部的结构为，5-50nm厚的低温LT-GaN、50-2000nm厚的高温HT-GaN和或加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN；最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN，其中Al组分x≥0.3。对反射波长小于360nm的紫外射线的DBR结构；该结构包括：5-50nm厚的低温LT-GaN/50-2000nm厚的高温HT-GaN/和或包括加入一层厚度为5-100nm的高温HT-AlN/最后为10-50周期的15-80nm高温AlN/15-100nm高温AlxGal-xN结构。

公开(公告)号：CN101777488A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010101550.4

申请日：2010-01-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘斌 ,  张荣 ,  谢自力 ,  李亮 ,  修向前 ,  华雪梅 ,  赵红 ,  陈鹏 ,  陈敦军 ,  陆海 ,  韩平 ,  郑有炓

IPC: H01L21/205 ,  H01L31/09

Abstract: 提高铝掺入效率获得高铝组分铝镓氮合金的生长方法，采用MOCVD在α-Al2O3衬底上外延生长AlxGa1-xN合金薄膜层，采用AlN缓冲层或插入层防止薄膜层产生裂纹，通过对Al/Ga摩尔比的控制，实现对AlxGa1-xN的Al组分进行调节，Al组分范围为0≤x≤0.8；Al组分的控制方法是：保持注入Al的摩尔量一定，降低Ga和Al摩尔比范围从5.8至0.46。本发明可获得Al组分x高达0.8的AlxGa1-xN合金，Al掺入效率提高9％；质量优良，AlxGa1-xN(0002)典型的X射线摇摆曲线半峰宽小于300弧秒；发光性能优良，阴极荧光谱展示了显著强烈的带边发光峰；表面光滑平整，典型粗糙度(RMS)小于0.8nm。