-
公开(公告)号：CN119170621B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411689923.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。
-
公开(公告)号：CN119287505A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411422569.7
申请日：2024-10-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米阵列的金刚石超表面制备方法，先在硅片表面刻蚀出向内凹进的纳米阵列，然后将带有纳米阵列的硅片放入金刚石纳米颗粒悬浮液中进行超声植晶，再在种晶后的硅片表面进行金刚石的生长，最后去除带有纳米阵列的硅片，获得具有表面纳米结构的金刚石。本发明提供的方法，通过直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构，再在硅上进行生长金刚石，避免直接在金刚石表面刻蚀制备纳米柱结构获得超表面，在实际生产过程中，由于单晶硅成本较低，直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构和片上生长金刚石工艺成熟，可操作难度低，最终获取金刚石超表面的成本和难度大大降低，有利于实现金刚石超表面的大量制备和后续器件研究。
-
公开(公告)号：CN116364745A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310288997.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L27/15 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/36
Abstract: 本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。
-
公开(公告)号：CN119993043A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510483433.5
申请日：2025-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种电流比例可调的像素驱动电路及其控制方法，驱动电路包括：脉冲宽度调制PWM电路模块、脉冲幅度调制PAM电路模块和电流镜电路模块；PWM电路模块包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第一电容；PAM电路模块包括：第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管和第三电容；电流镜电路模块包括：第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管；本发明降低像素驱动电路占用面积，增大透明显示屏透过率，提高分辨率。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119181750B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411679890.3
申请日：2024-11-22
Applicant: 南京大学
IPC: H10H29/03 , H01L21/683
Abstract: 发明公开了一种PI辅助Micro‑LED巨量转移方法，包括以下步骤：在衬底上制备Micro‑LED芯片；在第一基板表面设置结合层、UV解胶层；将第一基板与Micro‑LED芯片的n型电极和p型电极临时键合；将Micro‑LED芯片剥离至UV解胶层上；将Micro‑LED芯片表面形成PI固化膜；在第二基板表面设PI半固化膜，将PI固化膜与半固化膜键合，UV解胶层与Micro‑LED芯片分离，将Micro‑LED芯片转移到第二基板上；使Micro‑LED芯片转移到电路板上；去除PI固化膜和PI半固化膜。本发明能够满足巨量转移的大规模、高良率、低成本以及高速转移的需求，兼容各尺寸芯片转移。
-
公开(公告)号：CN116364745B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202310288997.4
申请日：2023-03-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种垂直型MOSFET与LED单片集成芯片及制备方法，其结构包括可用于GaN生长的衬底材料上依次外延MOSFET和LED结构，并通过半导体工艺流程制备出MOSFET和LED所需的栅介质层和金属电极层。本发明在可用于GaN生长材料上表面一次外延MOSFET结构和LED结构，MOSFET的漏电极与LED器件的p电极共用，使MOSFET结构与LED结构串联，通过MOSFET栅极调控通过MOSFET中的电流，即流过LED的电流，达到MOSFET调控LED发光的目的，形成垂直型MOSFET‑LED集成芯片。
-
公开(公告)号：CN115692538B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211400883.6
申请日：2022-11-09
Applicant: 南京大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/20 , H10F71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于Mxene‑铝铟镓氮异质结的自驱动紫外光探测器及其制备方法，其衬底材料为蓝宝石基片上外延生长的AlInGaN半导体，探测器表面分别为金属电极、Mxene薄层和测试电极，其中Mxene与AlInGaN构成异质结。Mxene和AlInGaN的功函数差使得异质结界面处产生肖特基势垒，可在零偏压下分离光生电子/空穴对，输出光电流，即探测器具备自驱动功能。Mxene薄层具有良好的紫外透光性，能够扩大器件的感光面积，同时探测器的负极退火后与AlInGaN形成欧姆接触，可快速收集电子，提高探测器的工作效率。本发明还提供了Mxene‑AlInGaN异质结的激光剥离转移方法，可进一步制得柔性自驱动紫外光探测器。
-
公开(公告)号：CN118039363A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410272256.1
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种利用极化电场的光电化学电池的光电阳极，在AlGaN/GaN异质结外延片上设置周期排列的圆柱金属电极。本发明提供的光电阳极结构，在AlGaN层与GaN层间有高浓度的二维电子气，受极化效应影响，A1GaN/GaN异质结由于导带不连续性在AIGaN/GaN界面处形成比较深的三角势阱，界面处的二维电子气被束缚在三角势阱中。在太阳光照射下产生光生电子空穴对，光生电子空穴对受极化电场作用分离，光生空穴向上移动，由周期排列的圆柱金属电极收集，加速光生空穴与电解液发生析氧反应；光生电子向下移动，汇入二维电子气，二维电子气通过金属电极通过外电路传导到铂对电极，与溶液发生析氢反应。
-
公开(公告)号：CN116470960A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310150490.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 南京大学
IPC: H04B10/077 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种LED调制带宽快速测试系统，包括直流电源；偏置器；激光器，用于激发LED样品发光，实现光信号‑电信号‑光信号的转变；透射组件，用于整体光线的聚焦；滤光片，用于排除激光对LED发光的影响；光电探测器，检测到LED发出的光信号，并转变为电信号输出；矢量网络分析仪，分析两端口信号以绘制频率响应曲线，从而得到LED的调制带宽。本发明可以实现在不封装LED情况下对其通信性能进行测试的功能，并且可以通过激光扫描实现同时测量多个LED的调制带宽的功能。利用本发明的装置可以实现快速测量，并且光激发可以达到对LED样品零损伤的效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.015 seconds)
