公开(公告)号：CN113337887B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110607629.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶煜聪 ,  路鑫宇 ,  殷梓萌 ,  郑凯文 ,  邹幸洁 ,  陈凯 ,  胡文晓 ,  刘斌

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。

公开(公告)号：CN113337887A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110607629.2

申请日：2021-06-01

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  叶煜聪 ,  陆鑫宇 ,  殷梓萌 ,  郑凯文 ,  邹幸洁 ,  陈凯 ,  胡文晓 ,  刘斌

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明公开了激光辅助MPCVD法增强单晶金刚石SiV色心的应用，以及具有SiV色心的单晶金刚石，其特征在于：所述SiV色心的形成系采用激光辅助MPCVD法在单晶金刚石衬底上生长硅掺杂的单晶金刚石而成。本发明方法采用激光辅助MPCVD法制备单晶金刚石，Si元素在制备过程中经等离子体辅助进入金刚石晶粒中，形成SiV发光中心，使单晶金刚石具有很强的SiV发光特性，该方法对设备要求较低、工艺简单、易于操作。

公开(公告)号：CN114059036B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202111396220.7

申请日：2021-11-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  郑凯文 ,  张东祺 ,  智婷 ,  谢自力 ,  刘斌

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C30B29/04 ,  C30B28/14 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明公开了铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用，具体为在蓝宝石衬底上生长铁薄膜，在铁薄膜上生长金刚石多晶薄膜，采用机械剥离的方式将金刚石多晶薄膜从蓝宝石衬底上剥离。可以使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上剥离。本发明利用铁薄膜来辅助剥离金刚石多晶衬底，生长过程中金属铁具有好的延展性，可以缓解蓝宝石与金刚石之间由晶格失配带来的应力，减少样品碎裂的概率。且铁金属层、金刚石层、蓝宝石之间的热膨胀系数差距较大，结合力较弱，便于采用机械剥离的方法实现金刚石多晶薄膜与蓝宝石衬底的分离，从而使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上完整剥离。

公开(公告)号：CN119287505A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411422569.7

申请日：2024-10-12

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  陈远 ,  于浩轩 ,  郑凯文 ,  智婷 ,  庄喆 ,  刘斌

IPC: C30B25/18 ,  C30B28/14 ,  C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米阵列的金刚石超表面制备方法，先在硅片表面刻蚀出向内凹进的纳米阵列，然后将带有纳米阵列的硅片放入金刚石纳米颗粒悬浮液中进行超声植晶，再在种晶后的硅片表面进行金刚石的生长，最后去除带有纳米阵列的硅片，获得具有表面纳米结构的金刚石。本发明提供的方法，通过直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构，再在硅上进行生长金刚石，避免直接在金刚石表面刻蚀制备纳米柱结构获得超表面，在实际生产过程中，由于单晶硅成本较低，直接刻蚀单晶硅制备纳米柱结构和片上生长金刚石工艺成熟，可操作难度低，最终获取金刚石超表面的成本和难度大大降低，有利于实现金刚石超表面的大量制备和后续器件研究。

公开(公告)号：CN114420686A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210092568.5

申请日：2022-01-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 张钊荣 ,  徐宇航 ,  申宜林 ,  张洋 ,  郑凯文 ,  陶涛 ,  许非凡 ,  余俊驰 ,  刘斌

IPC: H01L25/16 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种利用柔性纳米柱贴膜制备高分辨纳米像元显示阵列的方法，在衬底上外延并刻蚀GaN基LED纳米柱，将纳米柱转移到柔性临时衬底并去除原有衬底至N型GaN层，得到柔性纳米柱贴膜，将柔性纳米柱贴膜的N型GaN层表面与驱动电路基板通过In电极进行倒装键合，再去除柔性临时衬底，得到高分辨纳米像元显示阵列。本发明利用了柔性纳米柱贴膜方法实现巨量的纳米像元转移，通过高密度纳米阵列规避了巨量转移中的对准对位问题，在无需光刻对准的情况下，实现以单个In电极分别控制若干个GaN纳米柱发光，达成亚微米级分辨率的目标。

公开(公告)号：CN114059036A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202111396220.7

申请日：2021-11-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 陶涛 ,  郑凯文 ,  张东祺 ,  智婷 ,  谢自力 ,  刘斌

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C16/27 ,  C23C16/56 ,  C30B29/04 ,  C30B28/14 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明公开了铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用，具体为在蓝宝石衬底上生长铁薄膜，在铁薄膜上生长金刚石多晶薄膜，采用机械剥离的方式将金刚石多晶薄膜从蓝宝石衬底上剥离。可以使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上剥离。本发明利用铁薄膜来辅助剥离金刚石多晶衬底，生长过程中金属铁具有好的延展性，可以缓解蓝宝石与金刚石之间由晶格失配带来的应力，减少样品碎裂的概率。且铁金属层、金刚石层、蓝宝石之间的热膨胀系数差距较大，结合力较弱，便于采用机械剥离的方法实现金刚石多晶薄膜与蓝宝石衬底的分离，从而使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上完整剥离。