公开(公告)号：CN1489227A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN03132167.4

申请日：2003-07-04

Applicant: 南京大学

Inventor： 万建国 ,  刘俊明 ,  王广厚

IPC: H01L41/16 ,  H01L41/22

Abstract: 一种磁电复合材料，它是一个矩形片(1)，矩形片沿着长度方向被分成A1和A2两个区域，A1区由磁致伸缩材料构成，A2区由压电材料构成，A1区与A2区之间以粘结剂结合，在A2区，具有一对平面电极(4a和4b)，压电材料沿着厚度方向(5)极化。所述的磁致伸缩材料是具有磁致伸缩效应的合金或氧化物或者它们与聚合物复合形成的磁致伸缩复合材料。所述压电材料是具有压电效应的陶瓷或者压电陶瓷与聚合物形成的压电复合材料。对磁致伸缩复合材料矩形片2沿着长度方向施加直流偏磁场和小信号的交流磁场，磁电复合材料矩形片(1)在60kHz附近产生共振，并由压电复合材料矩形片3输出电压，实现磁－电耦合。

公开(公告)号：CN105679840B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201610222065.X

申请日：2016-04-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 颜志波 ,  刘俊明

IPC: H01L29/92 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C14/28

Abstract: 本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第一氧化物包括TiO2、HfO2、TaO2、SrTi1‑xNbxO3中的一种，0

公开(公告)号：CN101286545B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810098905.1

申请日：2008-05-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵世峰 ,  万建国 ,  刘俊明 ,  韩民 ,  王广厚

IPC: H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L41/16 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22

Abstract: 具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成，特征是：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜，R为稀土元素；具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜；两种薄膜的复合方式是：稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法：将RFe2团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面，形成RFe2纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层，又是RFe2纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效，具有较强的磁电效应。

公开(公告)号：CN1262514C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200410041727.0

申请日：2004-08-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 万建国 ,  刘俊明 ,  曾敏 ,  王广厚

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/26 ,  C04B35/624 ,  H01F1/34

Abstract: 磁电复合薄膜由锆钛酸铅铁电基体和均匀分布于其中的铁酸钴磁性颗粒所构成，其中铁酸钴颗粒在复合薄膜中的体积含量在20%～80%之间。该复合薄膜具有良好的铁电性和铁磁性，并具有磁电效应。铁酸钴颗粒在复合薄膜中的优化比例在40%～60%之间。在制备复合薄膜时，可通过在衬底上交替旋涂不同层数的锆钛酸铅和铁酸钴凝胶薄膜，以得到上述不同的铁酸钴体积含量；在高温退火处理过程中，由于锆钛酸铅铁电体层和铁酸钴层相互渗透并自发聚集，复合薄膜将形成连续的锆钛酸铅铁电基体相和均匀分布于其中的铁酸钴颗粒磁性体相。复合薄膜随铁酸钴体积含量的不同，可以表现出不同的磁电效应。本发明还提供了制备这种磁电复合薄膜的具体方法。

公开(公告)号：CN1603279A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410064900.9

申请日：2004-10-10

Applicant: 南京大学

Inventor： 袁国亮 ,  刘俊明 ,  王一平 ,  刘治国

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/32 ,  C04B35/36 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种磁电耦合陶瓷材料，化学式为Bi1－xAxFe1－yByO3，其中：0≤x＜0.5，0≤y＜0.2且x、y不能同时为0；A为三价稀土金属离子La、Nd、Td、Sm、Pr中的一种或两种；B为一种过渡金属离子Mn或Co；该材料具有如下物理性能：击穿电场大于150kV/cm，其电极化－电场回线的剩余极化在3～30μC/cm2之间。同时本发明还公开了该材料的制备方法，发明点在于：在烧结时，以30°度/秒以上的升温速度升温，在850℃至940℃之间烧结，然后快速降温。

公开(公告)号：CN1597612A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN200410041727.0

申请日：2004-08-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 万建国 ,  刘俊明 ,  曾敏 ,  王广厚

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/491 ,  C04B35/26 ,  C04B35/624 ,  H01F1/34

Abstract: 磁电复合薄膜由锆钛酸铅铁电基体和均匀分布于其中的铁酸钴磁性颗粒所构成，其中铁酸钴颗粒在复合薄膜中的体积含量在20％～80％之间。该复合薄膜具有良好的铁电性和铁磁性，并具有磁电效应。铁酸钴颗粒在复合薄膜中的优化比例在40％～60％之间。在制备复合薄膜时，可通过在衬底上交替旋涂不同层数的锆钛酸铅和铁酸钴凝胶薄膜，以得到上述不同的铁酸钴体积含量；在高温退火处理过程中，由于锆钛酸铅铁电体层和铁酸钴层相互渗透并自发聚集，复合薄膜将形成连续的锆钛酸铅铁电基体相和均匀分布于其中的铁酸钴颗粒磁性体相。复合薄膜随铁酸钴体积含量的不同，可以表现出不同的磁电效应。本发明还提供了制备这种磁电复合薄膜的具体方法。