基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117202688A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311305574.5

    申请日:2023-10-10

    Abstract: 本发明公开基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域;基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管包括从下至上依次包括:ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极;所述非铅钙钛矿发光层由经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液旋涂于空穴传输层表面;经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液由PEA、PFMA阳离子中的任意一种以及EDA、PEI、TFA阴离子中的任意一种,通过与CsI、CuI、CsCl、CuCl、CsBr、CuBr中的任意两种固体,以0.1‑0.8M的浓度溶解于N,N‑二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到,可以同时对非铅铜基钙钛矿中固有的铜离子缺陷和卤化物缺陷进行双重钝化。

    一种垂直结构的钙钛矿基纳米空气沟道晶体管及制备方法

    公开(公告)号:CN117059458A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202311002981.9

    申请日:2023-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种垂直结构的钙钛矿基纳米空气沟道晶体管及制备方法,包括自下往上依次连接的第一绝缘层、发射极、中间层和收集极,中间层包括自下往上依次连接的第二绝缘层、第一栅极和第三绝缘层;中间层上设有通孔结构,以使得所述发射极、中间层和收集极之间形成一个真空沟道,且发射极上设置有钙钛矿纳米线。本发明使用了钙钛矿纳米线作为发射材料,可以有效提升发射电流密度,弥补现有场发射器件的劣势。此外,电子在真空沟道中运动,能够缓解甚至避免太空辐射带来的影响的,具有耐高温、抗辐照的特性。

    一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN116314523A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310009528.4

    申请日:2023-01-04

    Abstract: 本发明公开一种碱离子钝化的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域,本发明的发光二极管从下至上依次包括ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极。本发明还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的非铅钙钛矿发光层由碱离子钝化的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成,通过引入碱离子以抑制非铅钙钛矿薄膜表面和晶界中的非辐射复合损失来增强发光效率,提高了非铅钙钛矿发光二极管器件的光电性能。

    基于红外光谱技术的肿瘤类器官成熟度检测系统及检测方法

    公开(公告)号:CN115718080A

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202211556834.1

    申请日:2022-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于红外光谱技术的肿瘤类器官成熟度检测系统及检测方法,所述检测系统包括检测仓、红外光源、红外光谱传感器、固定支架和用于放置类器官细胞培养板的位移平台,位移平台中心为通孔,用于光谱透射和校对类器官样本对准位置,红外光谱传感器位于位移平台下方,与红外光源准直;红外光谱传感器与嵌入式控制模块,将收集的光信号转换为电信号输入嵌入式系统。本发明解决了现有类器官检验实时监测量化困难的问题,具有自动定位、保证培育环境、检测鉴定类器官培育的成熟阶段、监测类器官的分化和量化生长进度的功能。

    一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法

    公开(公告)号:CN119008360A

    公开(公告)日:2024-11-22

    申请号:CN202411096031.1

    申请日:2024-08-12

    Abstract: 本发明提供了一种蜂窝状碳纳米阵列的X射线管和制备方法,所述X射线管包括阴极、栅极及阳极;本发明采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为X射线管的发射材料,依据场致发射原理,使其无需加热,响应时间能达到微秒级;并且蜂窝状的阵列使碳纳米管依靠彼此间的范德华力,克服场屏蔽效应,有效提升发射电流,提高成像质量;由于碳纳米管具有更高长径比,导电性更好,有效提升发射电流密度;所述结构可以通过改变对栅极施加的电场强度的大小来调控电子运动轨迹等参数。本结构采用新型蜂窝状碳纳米阵列作为阴极发射材料,具有发射电流大、电子运动轨迹可调的特点,并且结构简单易于加工,具有广阔的应用前景。

    一种FET氢气传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118090867A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410494694.2

    申请日:2024-04-24

    Abstract: 本发明公开了一种FET氢气传感器及其制备方法,涉及氢气检测设备技术领域,旨在解决现有技术中氢气传感器存在响应时间长、低灵敏度、高浓度检测分辨率低、成本高、选择性不足等问题,所述氢气传感器从下到上依次包括衬底、沟道层、栅介质层、FET电极、隔离层、缓冲层、氢气感应层和叉指电极,还提供氢气传感器的制备方法。本发明可提供多种氢气检测方案,从而有效实现低浓度氢气的高分辨率检测,具有广阔的应用场景。

    一种聚合物修饰的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN116261379A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310171995.7

    申请日:2023-02-27

    Abstract: 本申请公开了一种聚合物修饰的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域;本申请的发光二极管从下至上依次包括:ITO导电玻璃、空穴注入层、空穴传输层、非铅钙钛矿发光层、电子传输层、电极修饰层和金属电极;本申请还提供了所述非铅钙钛矿发光二极管的制备方法,本申请的非铅钙钛矿发光层由掺入聚合物聚环氧乙烷(PEO)修饰的非铅钙钛矿前驱体溶液和反溶剂通过抗溶剂结晶法制备而成,PEO的掺杂钝化了非铅钙钛矿的反位缺陷并促进了载流子的辐射复合,经过此方法得到的非铅钙钛矿薄膜显示出高的表面覆盖率和低的表面粗糙度,从而提高了非铅钙钛矿发光二极管的发光效率,最终呈现出高效且稳定的发光。

Patent Agency Ranking