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公开(公告)号：CN117096120A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311022871.9
申请日：2023-08-15
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01B3/20
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体封装结构的主体中设有芯片单元，主体上设有对芯片单元进行液冷散热的冷却腔。本申请还提供包括上述半导体封装结构的阀串结构。该半导体封装结构通过冷却腔对芯片单元进行液冷散热，能够提高半导体封装结构的散热能力和对短时电流过冲的耐受能力。该半导体组件通过散热腔中的绝缘油进行散热，提升了组件内部绝缘介质的介电强度，从而有效减小半导体组件的体积和寄生参数，另外还能够提升器件内部的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN119050091B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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公开(公告)号：CN119050091A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411509883.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种多界面互连构件及具有其的功率模块，多界面互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；第一界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第一界面互连段的下表面为第一互连面；第二界面互连段，位于主体段的侧部并与主体段连接，第二界面互连段的下表面为第二互连面；其中，主体段的下表面、第一界面互连段的下表面以及第二界面互连段的下表面中的至少一个设置有浸润槽。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块内利用率低的问题。
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公开(公告)号：CN119028954A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411509876.9
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/64 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，该功率器件包括：衬板，设置有导电层；芯片，设置在导电层上；控制组件，包括安装基板以及设置在安装基板上的电阻元件；其中，导电层上设置有安装位，安装基板在其厚度方向上的其中一个表面与安装位连接，电阻元件位于安装基板在其厚度方向上的另一个表面上。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的电阻元件的互连工艺失效风险较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116646258A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310592212.2
申请日：2023-05-24
Abstract: 本发明公开一种利用有机硅凝胶灌封IGBT器件的系统，涉及材料灌封技术领域，腔体上开设第一通孔、第二通孔和第三通孔，抽气泵的一端通过第一通孔与腔体的内部连通，抽气泵的另一端与第一三通阀的第一端连接，第一三通阀的第二端与废气处理装置连接，第一三通阀的第三端与第一绝缘气体存储容器连接；第二绝缘气体存储容器与第二三通阀的第一端连接，第二三通阀的第二端通过第二通孔与腔体的内部连通，第二三通阀的第三端与外界环境连接；硅凝胶注入装置通过第三通孔伸入至腔体的内部，实现对放置在腔体的内部的IGBT器件的灌封，本发明增设了两个绝缘气体存储容器和废气处理装置，提高了利用有机硅凝胶灌封得到的IGBT器件的耐压水平。
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公开(公告)号：CN119050110B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411540451.4
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，包括：功率单元、第一功率端子以及第二功率端子；功率单元包括：底板上具有沿第一预设方向间隔设置第一导电层和第二导电层，第一导电层与第二导电层导电连接；芯片设置在第一导电层上，芯片的第一侧与第一导电层连接，芯片的第二侧与第三导电层连接；绝缘层设置在第一导电层上；控制部与芯片连接，控制部设置在绝缘层远离第一导电层的表面上，芯片和第二导电层位于控制部的两侧；第一二极管设置在第二导电层上。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率器件散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN117825781A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410018645.1
申请日：2024-01-05
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明提供了一种传输线阻抗匹配的Rogowski电流传感器，属于电流测量领域，电流传感器包括Rogowski线圈、无源积分器、传输线驱动器、同轴传输线、驱动器电源连接线、阻抗匹配电阻及有源积分器；Rogowski线圈与无源积分器的输入端口连接，无源积分器的输出端口与传输线驱动器的输入端口连接，传输线驱动器的输出端口与同轴传输线连接，传输线驱动器的电源端与驱动器电源连接线连接；同轴传输线与有源积分器的信号输入端口连接；驱动器电源连接线与有源积分器的电源网络连接；阻抗匹配电阻并联连接于有源积分器的信号输入端口。本发明能够准确测量高频率的电流。
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公开(公告)号：CN117406052A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311323680.6
申请日：2023-10-13
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置，属于功率半导体技术领域，该方法包括：获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数kV、I GBT芯片导通电阻随温度变化的系数kR；获取基准温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I；获取待测温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I’；根据kV、kR、I、I'计算得到待测温度下I GBT模块内部个芯片的温度分布情况。该方法通过获取I GBT模块的电流分布情况来获取I GBT模块内部各芯片的结温情况，可操作性强，能够降低I GBT模块各芯片的获取难度，能够解决实际测量I GBT模块各芯片结温较为困难的现状。
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公开(公告)号：CN119050076B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411519126.X
申请日：2024-10-29
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括：封装壳，具有第一腔体，封装壳包括基板；半导体芯片，连接在基板上；端子部，与半导体芯片的电极电连接；其中，封装壳上设置有第一进口和第一出口，第一进口和第一出口均与第一腔体连通以使得绝缘散热介质能够通过第一进口进入至第一腔体内并通过第一出口流出至第一腔体的外部，半导体芯片浸没于绝缘散热介质。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的散热效果不理想的问题。
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