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公开(公告)号：CN118076118A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211706190.X
申请日：2022-11-23
Applicant: 华为技术有限公司 , 北京元芯碳基集成电路研究院
Abstract: 本申请提供了一种芯片及其制备方法、终端设备，涉及半导体技术领域，利用金属氮化物作为碳纳米管晶体管的材料，可以提高碳纳米管晶体管的性能、工艺热容限、以及工艺窗口。该芯片包括碳纳米管晶体管。碳纳米管晶体管包括沟道层、源极、以及漏极。沟道层的材料包括碳纳米管，源极和漏极的材料包括具有导电性的金属氮化物。
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公开(公告)号：CN117008873A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210467078.9
申请日：2022-04-29
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种概率比特单元电路、概率比特电路系统及其控制方法，用于实现概率比特单元电路之间的相互级联，从而提高计算并行度，降低迭代时延和功耗。本申请提供一种概率比特单元电路，其具体包括至少两个第一晶体管、概率比特器件、输出器件；其中，所述至少两个第一晶体管的栅极为所述概率比特单元电路输入端，所述输入端输入模拟信号；所述至少两个第一晶体管的源漏极中的一端与所述概率比特器件的底端以及所述输出器件的输入端相连，所述至少两个第一晶体管的源漏极中的另一端接地，所述输出器件的输出端输出数字信号。
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公开(公告)号：CN116936617A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210332164.9
申请日：2022-03-30
IPC: H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供一种全铁电晶体管、制作方法及电子设备，涉及集成电路技术领域，用于提高晶体管中电畴的翻转速度和晶体管的导通速度。该全铁电晶体管包括：铁电基底，以及位于该铁电基底上的铁电凸块、源电极、漏电极和栅电极；其中，该源电极和该漏电极位于该铁电凸块的第一侧面，该栅电极位于该铁电凸块的且与该第一侧面相背的第二侧面；该铁电凸块包括具有该第一侧面的第一界面层、具有该第二侧面的第二界面层、以及位于该第一界面层和该第二界面层之间的第三界面层，该第一界面层和该第二界面层均具有易失性的第一电畴，该第三界面层具有非易失性的第二电畴。
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公开(公告)号：CN116867341A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210290818.6
申请日：2022-03-23
Applicant: 华为技术有限公司 , 北京元芯碳基集成电路研究院
Abstract: 本申请实施例提供了氧化钇材料在制备晶体管中的应用，其中，氧化钇材料可以用作制备晶体管过程中的硬掩膜。采用氧化钇材料作晶体管制造过程中的硬掩膜，可以解决光刻胶作为晶体管的微结构的刻蚀掩膜时存在的抗刻蚀能力不足、残余物难以去除的问题，以及解决常规的无机硬掩膜存在的热预算过高、可能破坏晶体管结构的问题。本申请实施例还提供了晶体管及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118693164A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310320014.0
申请日：2023-03-23
IPC: H01L29/861 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/329
Abstract: 本申请提供一种半导体器件、其制作方法及电子设备，该半导体器件包括铁电结构和多个电极，铁电结构中的第一突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为[0°，90°)，铁电结构中的第二突出部内电畴的极化方向与本体内电畴的极化方向之间的夹角为(90°，270°)，第一突出部与本体之间的第一连接处与第二突出部与本体之间的第二连接处构成PN结，多个电极分别与第一连接处和第二连接处接触。如此，可以采用铁电材料构造出PN结，相比于传统的PN结，制作工艺更加简单，无需执行掺杂工艺，使得制作工艺温度较低，制作成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116867286A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210295574.0
申请日：2022-03-23
Abstract: 本申请实施例提供一种铁电存储器及其形成方法、电子设备。本申请实施例提供的铁电存储器的存储单元中，用于存储电荷的铁电隧道结包括堆叠在第一电极和第二电极中的至少一个电极与铁电势垒层之间的绝缘势垒插层，或堆叠在相邻的铁电势垒层之间的绝缘势垒插层。当电子在相邻的铁电势垒层之间迁移时，电子需要穿过绝缘势垒插层，绝缘势垒插层可以打破相邻的铁电势垒层之间的晶界的连续性，减弱电子在相邻的铁电势垒层之间的迁移；同理，电子在铁电势垒层与第一电极和第二电极中的至少一个电极之间迁移，当电子需要穿过绝缘势垒插层时，绝缘势垒插层可以减弱电子的迁移，相应的由于电子迁移所产生的漏电流降低。
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公开(公告)号：CN114975767A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110579887.4
申请日：2021-05-26
Abstract: 一种自旋波逻辑器件及相关电路。该自旋波逻辑器件包括沟道以及位于所述沟道之上的漏极和源极。所述源极用于产生自旋波信号。所述沟道用于将所述自旋波信号传输到所述漏极。所述漏极包括磁性隧道结或自旋阀结构，所述漏极用于根据所述自旋波信号呈现出不同阻态，其中，所述不同阻态用于指示不同的逻辑值。所述自旋波逻辑器件能够通过隧穿磁电阻或者巨磁电阻来探测磁子信号，防止断电后信息丢失，实现磁子信息的有效存储。
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公开(公告)号：CN114695651A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011641740.5
申请日：2020-12-31
Abstract: 一种整流器及其使用方法。所述整流器包括铁电层和设置于所述铁电层之上分离设置的第一电极和第二电极。所述整流器用于在所述第一电极和所述第二电极被施加大于第一预设电压的交流信号时，在所述铁电层的第一畴部和第二畴部的畴壁间形成导电通道，以使得所述大于所述第一预设电压的交流信号通过所述导电通道被输出。其中，所述第一畴部为所述铁电层中位于所述第一电极和所述第二电极之间的区域，所述第二畴部为所述铁电层中除所述第一畴部之外的其他区域。
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公开(公告)号：CN113270489A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110361894.7
申请日：2021-04-02
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种自旋场效应晶体管、制备方法以及电路，本申请提供的自旋场效应晶体管包括漏极、源极以及沟道层。漏极、源极均位于沟道层之上，源极和漏极均包括复合磁性薄膜，该复合磁性薄膜包括堆叠的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，第一磁性薄膜和第二磁性薄膜的材料不同。在本申请中，通过改变对源极施加的电流，可以改变漏极中的磁化方向，进而使得漏极和源极的磁化方向呈现不同的状态，实现自旋场效应晶体管的高低阻态。可见，自旋场效应晶体管在工作时，不再需要施加磁场，只需施加电流，工作方式较为简单，能够有效减少自旋场效应晶体管的功耗。
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公开(公告)号：CN120051200A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202311593617.4
申请日：2023-11-24
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了，一种阈值开关材料、阈值开关器件及其制备方法。该阈值开关材料的化学通式为(InxTe100‑x)100‑z(As100‑ySey)z，其中，x为元素In在元素In和元素Te中的原子百分比，y为元素Se在元素As和元素Se中的原子百分比，z为元素As和元素Se在阈值开关材料中的原子百分比，且30≤x≤50，50≤y≤70，50≤z≤90。本申请提供的阈值开关材料能够降低阈值电压漂移，从而提高阈值开关器件的稳定性。
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