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公开(公告)号：CN112748901A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911063067.9
申请日：2019-10-31
IPC: G06F7/58
Abstract: 本申请公开了一种随机数生成装置和方法，涉及硬件加密领域，用于稳定地产生随机数。随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM器件和第二RRAM器件，第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于根据第一RRAM器件的低阻态以及第二RRAM器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM器件的阻态高于第一RRAM器件的低阻态。
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公开(公告)号：CN118053903A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211424129.6
申请日：2022-11-15
Abstract: 本申请提供了一种逻辑器件、逻辑电路和组合电路，通过分布在凸块周围的至少四个电极不仅可以提高逻辑器件的可靠性，而且可以优化逻辑器件的开关速度。同时，通过逻辑器件可以进一步构造逻辑电路，实现逻辑与、逻辑或、逻辑非等功能。逻辑器件可以包括基底和至少四个电极。基底设有凸块，基底和凸块可以分别采用铁电材料。至少四个电极可以分布在凸块周围。至少四个电极中每个电极的第一表面可以分别与凸块接触，且每个电极的第二表面可以分别与基底接触。
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公开(公告)号：CN116981255A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202210399341.5
申请日：2022-04-15
Applicant: 华为技术有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本申请公开了一种存储器及其制造方法、电子设备。该存储器包括多个存储单元，该存储单元中的共振隧穿层包括沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一量子阱结构层，第二量子阱结构层以及第三量子阱结构层。其中，第三量子阱结构层的厚度大于第二量子阱结构层的厚度，且小于第一量子阱结构层的厚度。基于共振隧穿层中3个量子阱结构层的厚度关系，可以使该3个量子阱结构层能够产生共振，从而确保存储单元中的沟道与浮栅能够基于共振隧穿的方式实现双向的电子交换，有效提高了沟道与浮栅交换电子的速率。并且，沟道与浮栅基于共振隧穿的方式交换电子所需加载至控制栅极的电压较小，有效降低了对存储单元进行编程和擦除操作时的功耗。
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公开(公告)号：CN105577536A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610066882.0
申请日：2016-01-29
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04L12/705 , H04L12/721 , H04L12/26
CPC classification number: H04L45/28 , H04L43/0811 , H04L45/20
Abstract: 本发明实施例公开了一种报文处理方法，用于确定报文传输路径中是否存在路由环路。本发明实施例方法包括：网络设备接收第一报文；网络设备对第一报文进行解析得到第一报文的目的IP地址；若第一报文的目的IP地址与网络设备的IP地址不相同，则网络设备根据第一报文的目的IP地址生成第二报文，第二报文的目的IP地址与第一报文的目的IP地址相同；网络设备根据第二报文的目的IP地址发送第二报文；若网络设备在预置时间内接收到第二报文，则确定存在路由环路。本发明实施例还公开了一种网络设备，用于确定报文传输路径中是否存在路由环路。
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公开(公告)号：CN116867286A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210295574.0
申请日：2022-03-23
Abstract: 本申请实施例提供一种铁电存储器及其形成方法、电子设备。本申请实施例提供的铁电存储器的存储单元中，用于存储电荷的铁电隧道结包括堆叠在第一电极和第二电极中的至少一个电极与铁电势垒层之间的绝缘势垒插层，或堆叠在相邻的铁电势垒层之间的绝缘势垒插层。当电子在相邻的铁电势垒层之间迁移时，电子需要穿过绝缘势垒插层，绝缘势垒插层可以打破相邻的铁电势垒层之间的晶界的连续性，减弱电子在相邻的铁电势垒层之间的迁移；同理，电子在铁电势垒层与第一电极和第二电极中的至少一个电极之间迁移，当电子需要穿过绝缘势垒插层时，绝缘势垒插层可以减弱电子的迁移，相应的由于电子迁移所产生的漏电流降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114695651A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011641740.5
申请日：2020-12-31
Abstract: 一种整流器及其使用方法。所述整流器包括铁电层和设置于所述铁电层之上分离设置的第一电极和第二电极。所述整流器用于在所述第一电极和所述第二电极被施加大于第一预设电压的交流信号时，在所述铁电层的第一畴部和第二畴部的畴壁间形成导电通道，以使得所述大于所述第一预设电压的交流信号通过所述导电通道被输出。其中，所述第一畴部为所述铁电层中位于所述第一电极和所述第二电极之间的区域，所述第二畴部为所述铁电层中除所述第一畴部之外的其他区域。
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公开(公告)号：CN113270489A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110361894.7
申请日：2021-04-02
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 一种自旋场效应晶体管、制备方法以及电路，本申请提供的自旋场效应晶体管包括漏极、源极以及沟道层。漏极、源极均位于沟道层之上，源极和漏极均包括复合磁性薄膜，该复合磁性薄膜包括堆叠的第一磁性薄膜和第二磁性薄膜，第一磁性薄膜和第二磁性薄膜的材料不同。在本申请中，通过改变对源极施加的电流，可以改变漏极中的磁化方向，进而使得漏极和源极的磁化方向呈现不同的状态，实现自旋场效应晶体管的高低阻态。可见，自旋场效应晶体管在工作时，不再需要施加磁场，只需施加电流，工作方式较为简单，能够有效减少自旋场效应晶体管的功耗。
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公开(公告)号：CN109981323A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711461906.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种检测数据链路层组播路径状态的方法和网络设备。该方法中第一网络设备向第二网络设备发送检测报文，第二网络设备为第一网络设备在组播路径上朝向组播源的下一跳；随后第一网络设备从第二网络设备接收响应报文，响应报文包括多个顺序排列的设备标识，该多个顺序排列的设备标识用于标识组播路径上朝向组播源方向顺序排列的多个网络设备，其中最后一个设备标识是远端设备的设备标识，该响应报文指示组播路径中第一网络设备与远端设备之间的路径正常。本申请的技术方案可以快速获知处于正常状态的组播路径，有助于提高组播路径状态检测效率，加快故障定位速度。
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公开(公告)号：CN112748901B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN201911063067.9
申请日：2019-10-31
IPC: G06F7/58
Abstract: 本申请公开了一种随机数生成装置和方法，涉及硬件加密领域，用于稳定地产生随机数。随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM器件和第二RRAM器件，第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于根据第一RRAM器件的低阻态以及第二RRAM器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM器件的阻态高于第一RRAM器件的低阻态。
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公开(公告)号：CN116685147A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210166177.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H10B51/30 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请公开了一种存储器和一种存储器制备方法，能够提高存储器的保持特性和耐久性，增大读取窗口，提高存储阵列中多个采用二维材料情况下的该多个存储器的器件一致性。存储器包括：二维材料层、第一导体层；铁电层，位于二维材料层与第一导体层之间；电介质层，位于二维材料层与铁电层之间；源极和漏极，分别与二维材料层的两端电连接。
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