公开(公告)号：CN116189733A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111526612.0

申请日：2021-11-29

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 王欣然 ,  闫鑫 ,  于志浩 ,  宁宏凯 ,  罗时江 ,  赵俊峰

IPC: G11C11/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请实施例公开了一种铁电晶体管、数据读写方法、模型训练方法和器件，用于提高铁电晶体管的可靠性和耐用性。为解决上述技术问题，本申请实施例提供以下技术方案：铁电晶体管包括：衬底、背栅电极、背栅介电层、沟道层、源电极、漏电极、界面层、顶栅铁电层、顶栅电极；其中，背栅电极位于衬底的底部；背栅介电层位于衬底的上方；沟道层位于背栅介电层的上方；源电极和漏电极位于沟道层的上方的两侧；界面层位于沟道层的上方；顶栅铁电层位于界面层的上方，其中，界面层用于连接沟道层与顶栅铁电层；顶栅电极位于顶栅铁电层的上方。

公开(公告)号：CN116685147A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202210166177.3

申请日：2022-02-21

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 王欣然 ,  罗时江 ,  于志浩 ,  宁宏凯 ,  谢雨农 ,  唐文涛 ,  赵俊峰

IPC: H10B51/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种存储器和一种存储器制备方法，能够提高存储器的保持特性和耐久性，增大读取窗口，提高存储阵列中多个采用二维材料情况下的该多个存储器的器件一致性。存储器包括：二维材料层、第一导体层；铁电层，位于二维材料层与第一导体层之间；电介质层，位于二维材料层与铁电层之间；源极和漏极，分别与二维材料层的两端电连接。