一种验证机床精度的微调整平台

    公开(公告)号:CN112496864B

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202011279150.2

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 本发明涉及精度调整领域,尤其涉及一种验证机床精度的微调整平台。本发明提供一种可微调整的,并且能够实时观测调整状况的验证机床精度的微调整平台。一种验证机床精度的微调整平台,包括有机柜、X移动轴机构、Y移动轴机构和Z移动轴机构等;机柜上设有X移动轴机构,机柜上中部设有Y移动轴机构,机柜上后侧设有Z移动轴机构。与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过设有水平微调整机构和俯仰微调整机构,通过第一千分尺和第二千分尺的移动位置来确定机床需要调整的位置,能够更加精确的调整机床的精度。

    一种制作多位相衍射光学元件的工艺

    公开(公告)号:CN1402047A

    公开(公告)日:2003-03-12

    申请号:CN02138792.3

    申请日:2002-07-13

    Abstract: 一种制作多位相衍射光学元件的工艺,在初始的光学元件基片上首先溅射一层铬膜,当从背面对负性光刻胶曝光时形成掩蔽;各位相台阶的位置由第一块掩模版决定,后面的各制作步骤不再涉及确定台阶的位置,且后续的掩模版使用只要求与第一块掩模版确定的位相台阶位置粗略对准;在负性光刻胶掩蔽下刻蚀透紫外基底材料(如SiO2)时采用具有选择刻蚀比很大的反应离子刻蚀,使部分基底材料被刻蚀掉,而负性光刻胶被保留。对掩模版的制作精度除了第一块要求较高外,其余均要求较低,可降低掩模版的制作成本;只需考虑纵向刻蚀的误差对衍射效率的影响,而横向对准误差的影响无需考虑,通过反应离子刻蚀工艺的终点监控手段,可以高精度地控制纵向制作误差,因而可以得到比现有制作工艺更高的衍射效率。

    一种电子束熔化电镀丝材一体式复合增材制造装置及方法

    公开(公告)号:CN119237894A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411316501.0

    申请日:2024-09-20

    Abstract: 本发明属于增材制造及先进制造技术领域,其公开了一种电子束熔化电镀丝材一体式复合增材制造装置及方法。该电子束熔化电镀丝材一体式复合增材制造装置包括电子枪和电镀丝材供给系统;电子枪用于确保电子束的能量密度和扫描路径的精确控制;电镀丝材供给系统则包括送丝机构、丝材导向装置、电镀腔室和电流源,这些组件协同工作,以实现金属丝材的电镀处理和精确供给。该复合增材装置融合了电子束熔化的精密加热与熔融能力以及电镀金属丝材的多样化材料供给特性,构建了一个高度集成、多材料兼容的一体式增材制造平台。

    一种智能化丝杆润滑系统
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113217594B

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202110601748.7

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 本发明提出了一种智能化丝杆润滑系统,包括丝杆机构和润滑机构,所述丝杆机构包括丝杠,还包括振动传感器、位移传感器和控制系统,所述振动传感器用以实时检测丝杠上各摩擦点的磨损情况,位移传感器用以记录摩擦点的坐标信息,控制系统用以对振动传感器和位移传感器的数据进行筛选整理,判断摩擦点是否需要润滑,如需要润滑,则控制润滑机构对丝杠进行润滑,实现对丝杠工况运转条件下磨损情况的实时监测,并对摩擦点进行及时准确有效的润滑,解决了以往丝杆润滑机构和方法中润滑油的浪费严重,而且润滑效果差,无法做到对丝杠的及时、有效、准确润滑的问题。

    一种验证机床精度的微调整平台

    公开(公告)号:CN112496864A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN202011279150.2

    申请日:2020-11-16

    Abstract: 本发明涉及精度调整领域,尤其涉及一种验证机床精度的微调整平台。本发明提供一种可微调整的,并且能够实时观测调整状况的验证机床精度的微调整平台。一种验证机床精度的微调整平台,包括有机柜、X移动轴机构、Y移动轴机构和Z移动轴机构等;机柜上设有X移动轴机构,机柜上中部设有Y移动轴机构,机柜上后侧设有Z移动轴机构。与现有技术相比,本发明的有益效果是:通过设有水平微调整机构和俯仰微调整机构,通过第一千分尺和第二千分尺的移动位置来确定机床需要调整的位置,能够更加精确的调整机床的精度。

    一种制作多位相衍射光学元件的工艺

    公开(公告)号:CN1195240C

    公开(公告)日:2005-03-30

    申请号:CN02138792.3

    申请日:2002-07-13

    Abstract: 一种制作多位相衍射光学元件的工艺,在初始的光学元件基片上首先溅射一层铬膜,当从背面对负性光刻胶曝光时形成掩蔽;各位相台阶的位置由第一块掩模版决定,后面的各制作步骤不再涉及确定台阶的位置,且后续的掩模版使用只要求与第一块掩模版确定的位相台阶位置粗略对准;在负性光刻胶掩蔽下刻蚀透紫外基底材料(如SiO2)时采用具有选择刻蚀比很大的反应离子刻蚀,使部分基底材料被刻蚀掉,而负性光刻胶被保留。对掩模版的制作精度除了第一块要求较高外,其余均要求较低,可降低掩模版的制作成本;只需考虑纵向刻蚀的误差对衍射效率的影响,而横向对准误差的影响无需考虑,通过反应离子刻蚀工艺的终点监控手段,可以高精度地控制纵向制作误差,因而可以得到比现有制作工艺更高的衍射效率。

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