公开(公告)号：CN112909092B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110068578.0

申请日：2021-01-19

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  程丽 ,  龚清峰 ,  庄严

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管‑石墨烯共价异质结隧穿场效应晶体管，属于隧穿场效应晶体管技术领域，包括：栅区，源区，漏区，沟道区；所述沟道区包括沿源区至漏区方向依次排布的沟道一段、沟道二段和沟道三段；所述沟道一段和沟道三段均为弯曲的zigzag型石墨烯纳米带，所述沟道二段为碳纳米管；所述源区与漏区均为armchair型石墨烯纳米带；所述源区、漏区以及沟道区组成石墨烯‑碳纳米管共价异质结。如此，在隧穿晶体管处于开态时，armchair型石墨烯(源区)中电子能够通过无带隙的zigzag型石墨烯直接输运到碳纳米管(沟道)；此时，碳纳米管沟道与armchair型石墨烯之间不存在隧穿势垒，电子从源区输运到沟道的几率大大增加，隧穿晶体管器件的开态饱和电流增加一个量级。

公开(公告)号：CN109682866A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201910011383.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  吴硕 ,  程润虹 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明属于传感器技术领域，更具体地，涉及一种基于磷钼酸分子修饰的碳纳米管气敏传感器。该传感器按结构分为碳纳米管二端气敏传感器和三端气敏传感器。碳纳米管二端气敏传感器自下而上包括：衬底、薄膜电极和磷钼酸分子修饰的碳纳米管；其中薄膜电极位于衬底表面；磷钼酸分子修饰的碳纳米管架设在薄膜电极之间作为气敏传感器敏感元件。在上述衬底表面和薄膜电极之间另外自下而上依次设置有栅极和栅介质层，形成基于场效应的碳纳米管三端气敏传感器。通过采用磷钼酸分子对碳纳米管进行修饰制作气敏传感器，通过气体分子与磷钼酸分子之间高效地电子转移，显著地改变气体敏感元件的电阻，进而提高了气敏传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN109475037A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811530415.4

申请日：2018-12-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊紫兰 ,  韩睿 ,  朱宇

IPC: H05H1/24

Abstract: 本发明公开了一种等离子体活性增强法及发生装置，核心为在等离子体发生装置的等离子体发生端增加或者设计有聚焦等离子对应光波的聚焦单元，该聚焦单元设置为凹面反射镜，在反射镜的内侧可涂覆有金属膜或介质膜，使产生的等离子体在反射镜的作用下聚焦在反射镜焦点附近的区域，减小等离子体产生后向四周辐射造成的能量损耗，同时聚焦在焦点区域的等离子体密度较大，等离子体包含的光子、原子及分子等相互碰撞的几率增大，促进了等离子体间物理化学的反应，进而增强等离子体的活性。

公开(公告)号：CN106945404A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710200069.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  向耘宏 ,  蒋履辉 ,  喻研 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1601

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。

公开(公告)号：CN104681801B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510094943.X

申请日：2015-03-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  李阳 ,  辛超 ,  朱宇

IPC: H01M4/38

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni复合电极及其制备方法。复合电极包括Cu/Ni合金层和覆盖在Cu/Ni合金层上的石墨烯薄膜；其中，Cu/Ni合金层由Ni膜和覆盖在Ni膜上Cu膜发生Ni原子与Cu原子的相互扩散形成，Ni膜与Cu膜的厚度比为1:(3～10)。本发明避免了石墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏，减少了石墨烯缺陷的数目，通过调整Ni膜与Cu膜的厚度，采用分段升温的CVD工艺，获得高质量的石墨烯，增强了石墨烯对Cu/Ni合金的保护能力，得到的复合电极具有优异的抗腐蚀性能。

公开(公告)号：CN206664000U

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201720321370.4

申请日：2017-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  向耘宏 ,  蒋履辉 ,  喻研 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: B41J2/16

Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯-碳纳米管复合结构的热喷印头，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管-石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利