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公开(公告)号：CN104499045B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410854713.4
申请日：2014-12-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，属于晶体生长装置，克服使用现有泡生法装置需要人工干预完成放肩过程的问题。本发明包括炉体、坩埚、坩埚盖、炉盖和籽晶杆，炉体内敷设有侧壁保温层和底部保温层，围绕炉体内的坩埚设置有侧面加热器和底部加热器，并设置有侧反射屏、底部反射屏和上部反射屏；所述坩埚盖由顶部圆盘和下部圆柱连为一体构成，下部圆柱底端为内凹曲面；工作时，坩埚盖的内凹曲面与熔液接触，可以简化放肩过程，并抑制熔液自然对流和表面张力引起的流动。使用本发明，无需人工干预完成放肩过程，通过合理控制热场，能够把定向凝固过程与放肩过程统一起来，有效提高蓝宝石单晶的质量，并显著提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN104562185A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410829489.3
申请日：2014-12-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 一种提拉法晶体生长炉，属于提拉法单晶生长装置，解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆；坩埚内固定有坩埚整流筒，坩埚整流筒下端具有沿圆周均布的矩形孔；籽晶杆下部通过径向呈辐射状均匀分布的肋条与隔热环连接，所述隔热环为圆环形，其外径与内隔热层的内径相适应。本发明设计简单可靠，能够有效的调节冷却气和熔体的流场，进而改善温度场，提高生长过程的稳定性，有利于提高高质量单晶的生长效率，节约成本，适用于各种不同温度梯度生长条件的晶体制备。
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公开(公告)号：CN104514032A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410794501.1
申请日：2014-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/20
Abstract: 本发明公开了一种热场协调控制的提拉法晶体生长炉，包括绝热外壳及设置在绝热外壳内的生长室，生长室设置有坩埚，绝热外壳的外部设置有用于对坩埚进行加热的主电磁感应线圈，主电磁感应线圈的下方设置有副电磁感应线圈，主电磁感应线圈和副电磁感应线圈之间存在间距，有多根底部进气管和多根中部进气管平行伸入绝热外壳内，绝热外壳的顶部设置有气流出口，气流出口作为籽晶杆移动通道，绝热外壳内设置有用于削弱辐射传热的可伸缩遮热板和用于调整生长室局部温度的顶部辅助电阻加热器，所述可伸缩遮热板能调整伸入生长室的长度。本发明能有效的抑制晶体缺陷，提高晶体质量，也能显著的提高晶体成品率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN103741208A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310743129.7
申请日：2013-12-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种提拉法晶体生长炉，其特征在于，包括内部中空而形成炉腔（5）的炉体，置于该炉腔（5）中心的坩埚（2），该坩埚（2）与一同轴置于炉腔（5）内的籽晶杆（4）相连，用于在坩埚（3）内生长晶体（3）；其特征在于，位于所述坩埚（2）上部的所述炉腔（2）内壁具有一定锥度，形成圆台筒体结构。本发明的生长炉可以有效控制提拉法炉腔中流动传热的三维效应，在晶体周围组织较好的温度环境，同时使得晶体生长过程中固液界面处在较好的温度梯度。这种新型的炉腔结构能够减小晶体生长过程中位错或者破裂的产生，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN119321679A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411371000.2
申请日：2024-09-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于合金制造相关技术领域，其公开了一种提高物料温度均匀性的烧结装置、其应用及其设计方法，其中烧结装置包括反应炉体和温度调控单元，其中：反应炉体包括反应腔体和炉门；温度调控单元包括加热结构，反应腔体的内部在左右两侧分别设有加热结构，任一侧的加热结构沿前后方向设置，且任一侧的加热结构从前至后依次分为前方加热段、中间加热段和后方加热段，加热结构在所述中间加热段的设置密集度分别小于在前方加热段和后方加热段的设置密集度。本发明通过对反应腔体内部加热结构在不同区域的设置密集度进行调整，使得反应腔体内部的物料实现集中加热，有利于提高加热烧结时的物料温度均匀性，有效防止加热不均匀所带来的结构缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118722040A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410767793.3
申请日：2024-06-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于高熵合金制备技术领域，具体为一种基于喷墨打印制备高熵合金薄膜的方法及喷印系统。将金属氧化物粉末和有机溶剂混合，再加入粘合剂，混合均匀得到打印所需的油墨；将油墨喷印至基板表面，得到氧化物液膜；氧化物液膜中的易挥发溶剂挥发，从而固化形成氧化物薄膜，随后对其进行第一次热处理；接着在氢气环境下，对第一次热处理后的薄膜进行第二次热处理，金属氧化物粉末先被还原成金属，然后被烧结得到高熵合金薄膜。本发明通过油墨配方的优化和喷印系统结构的改进，提高金属氧化物粉末的分散均匀性，进而提高所得高熵合金薄膜的性能和打印效率，同时为高熵合金薄膜的制备提供了一种新的途径，有助于得到性能优异的高熵合金薄膜。
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公开(公告)号：CN110927837B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN201911350279.5
申请日：2019-12-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于液体透镜领域，并具体公开了一种基于漏电介质模型和摩擦发电的可变焦距液体透镜系统，其包括摩擦发电装置和悬浮液滴装置，摩擦发电装置包括相对设置的正电极和负电极，该正电极和负电极的相对面上分别设置有正极薄片和负极薄片；悬浮液滴装置包括正极板、腔体侧板、负极板、填充液体和悬浮液体，其中，正极板、腔体侧板、负极板依次连接共同组成一封闭的腔体，正极板表面布置有正极阵列单元，该正极阵列单元通过正极引线与正电极相连，负极板表面布置有负极单元，该负极单元通过负极引线与负电极相连；填充液体填充在腔体中，悬浮液体悬浮在填充液体中。本发明该液体透镜系统耐用性强、易操控、精度较高，且原材料成本低廉。
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公开(公告)号：CN117344279A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311440934.2
申请日：2023-10-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于磁控溅射薄膜沉积相关技术领域，并公开了一种用于大面积薄膜制备的磁控系统。该磁控系统包括沉积基片和移动靶，沉积基片与移动靶相对设置，移动靶包括靶材、供气环和动态磁体，该靶材与电场阴极连接使得靶材作为磁控溅射的阴极靶材，供气环用于向靶材周围提供反应气体，动态磁铁设置在移动靶中，用于在靶材周围提供磁场范围可调的磁场；当移动靶的中心与沉积基片的圆心在同一水平线上时，磁场范围最小，在沉积基片上形成的沉积斑面积最小，当移动靶沿着沉积基片的半径方向远离该沉积基片的圆心运动时，磁场范围逐渐增大，在沉积基片上形成的沉积斑面积逐渐增大。通过本发明，解决现有技术中大面积薄膜制备的沉积均匀性难以调控的问题。
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公开(公告)号：CN114000191A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111269150.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B23/06
Abstract: 本发明公开了一种用于分子束外延均匀加热的系统及加热方法，属于晶体薄膜外延生长技术领域，包括样品台、加热组件和隔热组件；样品台内部设有隔热组件，其底部用于放置衬底基片；加热组件包括电机、加热器支架和红外线辐射加热器；加热器支架的一端与所述电机的输出轴相连，其另一端依次穿过样品台、隔热组件后与红外线辐射加热器相连；电机用于驱动加热器支架旋转从而带动红外线辐射加热器转动以对位于样品台底部的衬底基片的一面加热。本发明通过驱动加热器支架旋转带动红外线辐射加热器转动，在沉积过程中可以使衬底温度保持均匀稳定，操作简单，普适性广，加热均匀性高。
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公开(公告)号：CN113735422A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111014372.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于非接触式红外测温相关技术领域，并公开了一种石英玻璃拉制过程中在线监测温度的测温系统及方法。该系统包括吊拉炉和红外热像仪，吊拉炉用于石英玻璃的吊拉成形，该吊拉炉中石英玻璃发生初始塑性变形的区域的一侧设置有观察窗口，红外热像仪设置在该观察窗口外，用于监测吊拉炉中保温层上的温度和石英玻璃融化区域的温度；红外热像仪与控制器连接，当其测量获得保温层的温度后，将测量获得的温度传递给控制器，并在该控制器中进行多物理场模拟，以此获得模拟的石英玻璃融化区域的模拟温度，利用该模拟温度对监测的融化区域温度进行修正，以此作为真实的融化区温度。通过本发明，解决吊拉炉内温度测量不准确以及测量困难的问题。
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