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公开(公告)号：CN118724053A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410715447.0
申请日：2024-06-04
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C01G21/21 , B82Y40/00 , B82Y20/00 , B82Y15/00 , G01V8/10 , C09K11/66 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 本申请公开了一种硫化铅纳米立方体量子点、制备方法及应用，该制备方法通过将ZnS量子点溶液和PbS量子点溶液按一定比例进行混合，在混合反应的过程中，ZnS在非极性溶剂中产生较高浓度的硫源，硫源会与PbS量子点吸附的配体反应，生成额外的PbS附加在PbS的量子点表面；同时由于PbS量子点的表面配体的减少，少量的配体就可实现钝化，有利于PbS(100)面的生长，最终形成PbS立方体量子点。该制备方法制备的PbS立方体量子点尺寸小，具有较强的量子限域效应，非常适用于红外探测器、太阳能电池、近红外激光器等光学器件，另外，该制备方法，流程简单，稳定性好，适合PbS立方体量子点的大规模制备。
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公开(公告)号：CN108447915A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810174504.3
申请日：2018-03-02
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种薄膜场效应晶体管(TFT)型气体传感器及其制备方法，其中该传感器为底栅顶接触式结构或底栅底接触式结构的薄膜场效应晶体管；以底栅顶接触式结构的薄膜场效应晶体管为例，该晶体管自下而上包括衬底、栅极绝缘层、沟道有源层，沟道有源层为量子点薄膜，其上方沉积有源电极和漏电极；衬底还引出有栅电极。本发明通过对薄膜场效应晶体管型气体传感器其内部组成及结构、相应制备方法的整体工艺及各个步骤的参数进行改进，以量子点薄膜同时作为沟道有源层和气体敏感层，利用栅极偏压的调控综合多参数的气体响应，制备出高灵敏、低功耗和高选择性气体传感器，达到检测低浓度目标气体如NO2、H2S的效果。
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公开(公告)号：CN108444927A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN117185342A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310908014.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种PbS纳米立方体量子点的制备方法，该方法包括铅前体制备、成核、持续注射生长、终止反应几个步骤，该方法通过对铅硫比、温度和注射速度进行精细调节，实现了在一步合成过程中制备高度均一的立方体PbS量子点。本发明所制备的PbS纳米立方体量子点具有干净的晶面，适用于理论和实验研究以及配体强弱的表征，相较于现有方法，本发明能够原位可调控纳米立方体的尺寸，解决了现有方法无法实现尺寸可调的问题，同时通过本发明的制备方法，可以获得尺寸可调、小尺寸的PbS纳米立方体，为光电器件等领域的应用提供了新的材料选择，并为进一步研究PbS量子点的特性和性能奠定了基础。
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公开(公告)号：CN115215887A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210812965.5
申请日：2022-07-11
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于发光材料技术领域，具体公开了一种热致变色发光材料及其制备方法，其中该具有热致变色发光性质的材料，化学式为(C11H26N)2Cu2I4。它具有明显的热致变色发光特性，在室温时在365nm紫外光激发下表现为蓝光发射，而当温度上升至100℃时，在365nm紫外光激发下将表现为暖白光发射，尤其可作为热致变色发光材料应用；并且，该材料的制备工艺简单、成本低、重复性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113337277B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110548572.3
申请日：2021-05-20
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于半导体材料制备与应用技术领域，公开了一种有机‑无机杂化铜基卤化物闪烁体及其制备与应用，其中闪烁体的化学通式为AxCuyXz，其中，A为[(CH3)(CH2)n]4N+，Cu为一价铜离子Cu+；X为卤素，选自Cl、Br、I中的至少一种。本发明与现有技术相比，能够有效扩展单晶闪烁体的种类，实现了发射光谱在可见光区域内可调，且荧光量子产率(PLQY)高达96.7％，能够应用于高能射线探测、X射线医学成像与安检、无损检测、工业探伤等领域。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明得到的柔性薄膜，尤其可应用于柔性X射线成像，得到很高的成像分辨率与极佳的成像效果。
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公开(公告)号：CN111348674B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010054655.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明属于类钙钛矿纳米晶技术领域，公开了一种Cs3Cu2X5纳米晶的制备方法及产物，其中制备方法是通过向热注入法制备Cs3Cu2X5纳米晶的前驱液中额外引入卤化铟InX3或卤化锌ZnX2，利用热注入法制备纳米晶的工艺制备得到Cs3Cu2X5纳米晶，其中X选自Cl、Br、I。本发明通过对纳米晶制备方法中关键的调控纳米晶生长的前驱物进行改进，以卤化铟或卤化锌作为前驱物中的添加剂，配合以铜元素作为铅元素的替代物，完成无铅金属卤化物发光纳米晶的制备，本发明制备过程易于实现，成本低，同时还能够解决含铅卤素钙钛矿纳米晶存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN108444927B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810200969.1
申请日：2018-03-12
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
Abstract: 本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
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公开(公告)号：CN108538953A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810277619.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 深圳华中科技大学研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C09K11/56
Abstract: 本发明属于日盲紫外探测技术领域，更具体地，涉及一种基于硫化锌量子点的日盲紫外探测器及其制备方法。其包括对金属电极，所述对金属电极之间的距离为2～300μm，所述对金属电极之间为硫化锌量子点薄膜；所述硫化锌量子点薄膜厚度为50～200nm，所述硫化锌量子点薄膜采用的硫化锌量子点为激子吸收峰小于280nm的胶体量子点；所述硫化锌量子点为长链羧酸包覆的硫化锌量子点所述硫化锌量子薄膜为经过配体交换的电学耦合的薄膜，量子点薄膜与金属电极形成良好的电学连接。
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公开(公告)号：CN113943225B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111131204.5
申请日：2021-09-26
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: C07C211/63 , C07C209/68 , C07C209/84 , C09K11/06 , C08J5/18 , C08L25/06 , C08L33/12 , C08K5/17 , C30B7/06 , C30B29/12 , G01T1/202
Abstract: 本发明属于闪烁体材料制备与高能射线探测领域，公开了一种零维有机锰基金属卤化物β射线闪烁体及其制备方法，其中β射线闪烁体的化学通式为A2MnBr4，其中，A为甲基三丁基胺根离子(C13H30N+)或苄基三丁基胺根离子(C19H34N+)中的任意一种，Mn为二价锰离子Mn2+。可通过室温溶剂挥发法制备得到单晶，利用超声破碎法制备得到纳米晶以及纳米晶柔性复合膜β射线闪烁体。本发明与现有技术相比，能够有效扩展β射线闪烁体的种类，且具有高效环保，稳定，对高能电子束的耐辐照性强，荧光量子产率高，无自吸收等特点。并且，本发明制备工艺简单，成本低，能够实现大规模工业化生产。基于本发明制备的纳米晶柔性复合膜，尤其可应用于柔性β射线探测。
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