公开(公告)号：CN114705705A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210369982.6

申请日：2022-04-08

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈修国 ,  杨天娟 ,  张家豪 ,  马健源 ,  刘世元

IPC: G01N23/201 ,  G06F30/25 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种二维斜交光栅结构的X射线散射场计算方法和装置，属于小角散射技术领域，所述方法包括：S1：确定二维斜交光栅结构的第一斜交方向、第二斜交方向及结构特征参数；第一斜交方向和第二斜交方向上均存在周期排列的相同光栅单元；S2：以其中一个光栅单元中心为坐标原点、第二斜交方向为x轴建立直角坐标系；获取第一斜交方向与坐标系上y轴的夹角；S3：基于小角X射线散射原理和二维斜交光栅结构的分布特征构建二维斜交光栅结构对应的通用X射线散射场计算模型；将结构特征参数和夹角输入通用X射线散射场计算模型得到二维斜交光栅结构的散射强度。本发明能够提高二维斜交光栅结构散射强度的计算准确率。

公开(公告)号：CN116068865A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202310094923.7

申请日：2023-01-18

Applicant: 华中科技大学 ,  上海精测半导体技术有限公司

Inventor： 陈修国 ,  杨天娟 ,  张家豪 ,  刘硕 ,  刘世元 ,  李仲禹

IPC: G03F7/20 ,  G06F30/23 ,  G06F17/16 ,  G06F17/11 ,  G16C60/00 ,  G06F111/14

Abstract: 本发明公开了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化方法及系统，属于光刻技术领域，方法包括：步骤S1、确定纳米结构的待测形貌参数以及散射测量的参数提取过程中固定不变的参数；步骤S2、基于所述待测形貌参数和所述固定不变的参数，构建散射测量中衡量测量信号和理论信号之间拟合误差的评价函数；步骤S3、基于所述评价函数，得到所述待测形貌参数的误差传递矩阵；步骤S4、计算在不同的测量条件下，所述待测形貌参数的误差传递矩阵的条件数，条件数最小的测量条件即为最优配置。本发明还提供了一种基于条件数的纳米结构散射测量配置优化系统。本发明为实现高测量精度、准确度和鲁棒性好的纳米结构散射测量提供了一种新的测量配置优化方案。

公开(公告)号：CN114593700B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202210272322.6

申请日：2022-03-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈修国 ,  张家豪 ,  杨天娟 ,  马健源 ,  刘世元

IPC: G01B15/00 ,  G01B15/04 ,  G06F17/14 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明属于X射线关键尺寸测量方法领域，具体涉及一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法，包括：将位于XOZ坐标系中的曲线与XOZ坐标系的X坐标轴所围成的区域，描述为纳米结构周期单元的截面轮廓，X坐标轴代表纳米结构周期单元在实体空间周期性排布的方向，Z坐标轴代表与纳米结构所位于的基底平面相垂直的方向；上述曲线通过在XOZ坐标系中选点计算生成；通过非均匀快速傅里叶变换计算截面轮廓在倒易空间中特定坐标位置处的倒易空间数值，作为纳米结构的形状因子以计算纳米结构散射场。本发明适用于任意截面面型的纳米结构，解决了现有只能通过简单几何形状叠加来描述截面轮廓所存在的建模困难和拟合程度差问题。

公开(公告)号：CN114608494A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210330679.5

申请日：2022-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘世元 ,  陈修国 ,  杨天娟 ,  马健源 ,  刘章勇 ,  张家豪

IPC: G01B15/04 ,  G01B15/00

Abstract: 本发明属于半导体测量技术领域，具体涉及一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置，包括：对待测样品的纳米结构周期单元的三维形貌进行描述，并用以建立三维形貌的透射小角X射线散射场模型；对三维形貌进行透射小角X射线散射场测量，得到散射图谱，其中采用的定位系统能够大范围变化入射角和方位角，能够实现多角度散射图谱测量，在此基础上在参数提取中通过特定公式在图谱中直接提取三维形貌周期信息，提取方式高效、准确，上述公式是通过将不同旋转角度ω下的Δqxz用余弦函数进行拟合得到。本发明方法是一种全新的高效实现复杂IC纳米结构三维形貌快速、非破坏性、精确测量的方法。

公开(公告)号：CN114593700A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210272322.6

申请日：2022-03-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈修国 ,  张家豪 ,  杨天娟 ,  马健源 ,  刘世元

IPC: G01B15/00 ,  G01B15/04 ,  G06F17/14 ,  G06F17/18

Abstract: 本发明属于X射线关键尺寸测量方法领域，具体涉及一种用于X射线关键尺寸测量的纳米结构散射场计算方法，包括：将位于XOZ坐标系中的曲线与XOZ坐标系的X坐标轴所围成的区域，描述为纳米结构周期单元的截面轮廓，X坐标轴代表纳米结构周期单元在实体空间周期性排布的方向，Z坐标轴代表与纳米结构所位于的基底平面相垂直的方向；上述曲线通过在XOZ坐标系中选点计算生成；通过非均匀快速傅里叶变换计算截面轮廓在倒易空间中特定坐标位置处的倒易空间数值，作为纳米结构的形状因子以计算纳米结构散射场。本发明适用于任意截面面型的纳米结构，解决了现有只能通过简单几何形状叠加来描述截面轮廓所存在的建模困难和拟合程度差问题。