公开(公告)号：CN111933707B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010671333.2

申请日：2020-07-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴燕庆 ,  张誉宝 ,  李学飞

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。本发明中HBT器件部分采用二维材料，减小渡越时间；具有肖特基势垒拥有更小的正向压降和更快的恢复速度；无源器件部分采用共面波导结构，可避免打孔，简化了工艺。

公开(公告)号：CN109994539A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201910252565.1

申请日：2019-03-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴燕庆 ,  胡奔 ,  李学飞

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法，所述碳化硅结势垒肖特基二极管包括：从下到上依次分布的阴极电极、碳化硅衬底、第一漂移层和第二漂移层，以及第一场限环、第二场限环、钝化层和阳极电极；所述第一场限环深度小于所述第一漂移层，间隔分布在所述第一漂移层中，与所述第一漂移层上表面平齐；所述第二场限环宽度小于所述第一场限环，深度与所述第二漂移层相同，间隔分布在所述第二漂移层中；所述第一场限环与所述第二场限环数量相同，对应呈倒T形或L形分布；所述阳极电极位于主结上方，所述钝化层位于所述阳极电极两侧。本发明的肖特基二极管击穿电压提高，且制备的工艺难度减小。

公开(公告)号：CN111933708A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010752951.X

申请日：2020-07-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴燕庆 ,  詹丹 ,  李学飞

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种氮化镓MIS-HEMT钝化设计及其制备方法，其中，钝化结构包括两次叠层的掺硅氧化铪HfSiO材料以及P型CuO。优选的，MIS-HEMT器件采用凹槽栅结构；栅介质采用高介电常数掺硅氧化铪材料；源漏电极制备采用低温无金接触工艺。本发明通过对钝化结构的关键组成、具体构造，配合氮化镓MIS-HEMT器件的栅介质材料进行改进，利用两次叠层高介电常数材料(HfSiO)与低介电常数P型氧化物材料(CuO)构建钝化结构，本发明与现有技术相比能够实现更好的电学性能。

公开(公告)号：CN111446302A

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN202010054657.1

申请日：2020-01-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 李学飞 ,  童安泽 ,  吴燕庆

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明公开了一种柔性横向肖特基整流二极管、制备方法及系统，属于半导体器件技术领域，所述方法包括：在刚性衬底上生长二维过渡金属硫化物材料；控制二维过渡金属硫化物材料的生长过程的温度，使生长过程结束后，产生包含金属相和半导体相的二维材料；将二维材料转移至柔性衬底上；分别在所述二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，得到横向的肖特基整流二极管。本发明通过使同种二维过渡金属硫化物材料之间形成半导体相与金属相的横向异质结，并分别在二维材料的金属相和半导体相上生长金属电极，使得生成的横向肖特基整流二极管具有非常小的寄生电容，截止频率高，能够在高频下工作。