公开(公告)号：CN111933707A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010671333.2

申请日：2020-07-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴燕庆 ,  张誉宝 ,  李学飞

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。本发明中HBT器件部分采用二维材料，减小渡越时间；具有肖特基势垒拥有更小的正向压降和更快的恢复速度；无源器件部分采用共面波导结构，可避免打孔，简化了工艺。

公开(公告)号：CN111933707B

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202010671333.2

申请日：2020-07-13

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 吴燕庆 ,  张誉宝 ,  李学飞

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/16 ,  H03F1/26

Abstract: 本发明公开了一种异质结双极晶体管HBT及包括HBT的低噪声放大器，所述HBT包括：从下到上依次分布的衬底、介质层、发射极主体、基极主体、集电极主体；所述发射极主体和所述集电极主体为以MoS2为代表的n型二维过渡金属硫化物，所述基极主体为p型单层石墨烯Gr；还包括：发射极电极、基极电极、集电极电极；其中，所述发射极电极和所述基极主体在所述发射极主体上，且二者互不接触；所述基极电极和所述集电极主体在所述基极主体上，且二者互不接触；所述集电极电极在所述集电极主体上。本发明中HBT器件部分采用二维材料，减小渡越时间；具有肖特基势垒拥有更小的正向压降和更快的恢复速度；无源器件部分采用共面波导结构，可避免打孔，简化了工艺。