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公开(公告)号：CN103714852B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310698161.8
申请日：2013-12-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸GST相变材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实现GST相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材料发生晶化或者非晶化；对上述连续脉冲的幅值、宽度和间隔进行调节，实现连续单调变化的非晶化率。本发明能够提高对相变材料非晶化率控制的稳定性。
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公开(公告)号：CN119077139A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411100930.4
申请日：2024-08-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本申请属于灰阶图激光打印领域，具体公开了一种灰阶图激光打印方法、装置、电子设备和存储介质，该方法包括：获取目标灰阶图的各个像素的灰阶值；基于所述各个像素的灰阶值，驱动激光直写装置对所述目标灰阶图进行打印，其中，打印过程为从第一行像素开始进行逐行打印，直至最后一行像素打印完成，所述激光直写装置在打印同一行的灰阶值相同的连续像素时参数保持不变并持续进行刻写，该方法可以显著提升打印效率。
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公开(公告)号：CN118938514A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410972516.6
申请日：2024-07-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种电致重构的滤波阵列，属于彩色滤波技术领域。本申请滤波阵列的顶层，多个顶电极条等间距平行排布；所述滤波阵列的底层，多个底电极条等间距平行排布；顶电极条和底电极条的方向相互垂直交叉；顶电极条和底电极条的交叉处通过中间层隔开；红色滤光器和蓝色滤光器均匀分布在中间层的四周；所述中间层包含有相变材料；顶电极条和底电极条对中间层施加电压脉冲，改变相变材料的相性，相变材料为晶态时，透过黄光；所述相变材料为非晶态时，透过绿光。由此本申请实现了一种可以动态调节进光量的彩色滤波器件。
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公开(公告)号：CN118139516A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202211544621.7
申请日：2022-12-02
Abstract: 一种相变存储单元及其制备方法，该相变存储单元包括相变薄膜，该相变薄膜包括依次层叠的第一相变诱导层、相变功能层以及第二相变诱导层，第一相变诱导层具有表面Te悬挂键。本申请还提供了应用该相变存储单元的相变存储芯片、相变存储器和电子设备，该相变存储单元中相变薄膜的生长速率可控性更强，相变薄膜具有较高的质量和均一性，而且相变薄膜的三层叠设结构有助于将相热量限制在相变功能层，有利于降低相变存储器的功耗、提高相变存储器的疲劳寿命以及操作速度。
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公开(公告)号：CN117198378A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311316198.X
申请日：2023-10-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的存储器阵列测试系统，用于对还未封装且未添加外围电路的存储器进行测试，包括：FPGA，作为整个测试系统的控制模块；激励源，用于输出对存储器单元的操作电压；读电路，用于读取选中存储单元的电阻值；阵列选通模块，包括行选通电路和列选通电路，用于选择阵列中的单个存储单元；上位机，用于根据用户操作输出对脉冲电压的脉宽与幅值，扫描电压的步进时间、步进电压与扫描点数，所选中存储单元的字线与位线的控制信号，并将接收来自FPGA的电阻数据以图表形式呈现。本发明在PCB上搭建测试电路，相较于传统的探针测试，有效降低测试时间，提高测试效率，为存储器阵列搭建外围集成电路前进行原型验证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116577943A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310450432.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种滤色片结构及其像素阵列切换控制方法，滤色片包括可切换像素和不可切换像素两种像素，可切换像素由下至上依次为透明衬底、金属层、透明导电介质层、相变材料层、透明导电介质层、相变材料层、透明导电介质层、金属层共同构成Fabry‑Perot共振腔，可通过施加电脉冲使两层相变材料先后结晶，从而产生非晶‑非晶，非晶‑结晶，结晶‑结晶等至少三种不同状态来改变Fabry‑Perot共振腔的光学厚度，以在选择性透过绿色、黄色和全域光至少三种状态间自由切换。本发明提供的透射式滤色片的像素排列方式能够通过电操作在红绿绿蓝、红绿白蓝、红黄黄蓝至少三种像素阵列间原位动态切换，能够根据使用者需求切换为最佳的像素排列。
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公开(公告)号：CN116449629A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310440275.6
申请日：2023-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种像素结构及其显示驱动方法，从下至上依次包括：第一金属层、第一透明导电介质层、第一相变材料层、第二透明导电介质层、第二相变材料层、第三透明导电介质层、第二金属层以及第四透明导电介质层；第一金属层的厚度在第一预设厚度范围内，为全反射层；第二金属层的厚度在第二预设厚度范围内，为半透明反射层；其他几层作为介质材料，与第一金属层和第二金属层构成Fabry‑Perot共振腔；当共振腔的物理厚度在第三预设厚度时，第一和第二相变材料层中任一层的结晶状态改变时，像素结构能够选择性反射不同颜色的光。本发明在单个显示像素上实现了多种反射颜色的原位切换，具有高像素密度的特点，能够有效提高反射式显示器件的图像分辨率。
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公开(公告)号：CN116246981A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310128119.6
申请日：2023-02-14
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种提高老化3D NOR FLASH芯片擦写速度的方法及系统，属于信息存储器领域，方法包括：当待测3D NOR FLASH芯片目标扇区处于正常工作状态时，根据预设程序对目标扇区循环依次进行写入、读取和擦除操作，每隔若干次循环次数，记录目标扇区当前写入和擦除的时长；基于目标扇区当前写入和擦除的时长，若判断待测3D NOR FLASH芯片的工作状态已达到老化阈值，则控制加热时长和温度，对待测3D NOR FLASH芯片进行加热操作，提升待测3D NOR FLASH芯片读写擦速度。本发明解决了芯片老化后，擦写速度退化下降导致工作效率变低的问题。
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公开(公告)号：CN115696011A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211330132.1
申请日：2022-10-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04N23/55 , H04N25/44 , H04N5/72 , G02B27/09 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种基于相变材料的电可控彩色滤光阵列及人工视觉系统，其中，该滤光阵列包括多个彩色滤光单元，各彩色滤光单元均包括金属层、底部透明导电层、硫系相变材料层和顶部透明导电层，彩色滤光单元的红绿蓝滤光功能根据底部和顶部透明导电层的厚度进行调整；且在阵列排布的彩色滤光单元中，每行彩色滤光单元中的顶部透明导电层均与一位线BL相连，每列彩色滤光单元中的底部透明导电层均与一字线WL相连，各彩色滤光单元中硫系相变材料层的状态转变通过调整施加其所在位线BL和字线WL上的电脉冲实现。本发明在具有稳定结构颜色的同时具有非易失、抗氧化、低串扰的效果，且集滤光和存储功能于一体，能有效提高图像传感器的处理速度。
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公开(公告)号：CN114629468A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210532086.7
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种脉宽可调的脉冲电压发生装置，包括：开关控制电路，用于产生控制信号；时钟产生电路，用于产生50MHZ时钟信号；可调脉宽产生集成电路，包括PLL锁相环、第一触发器、第二触发器、行触发器阵列、选择器和异或门，PLL锁相环用于将50MHZ时钟信号处理后输出400MHZ高速时钟信号和50MHZ时钟信号；第一触发器用于对控制信号进行上升沿同步处理输出同步信号；第二触发器用于对同步信号进行20ns延时处理；行触发器阵列中各触发器用于在400MHZ高速时钟信号的控制下输出步进精度为2.5ns的多个可调脉宽脉冲信号，然后通过选择器选择出所需脉宽的脉冲电压信号至相变存储器。本发明能产生20～100ns上升沿下降沿精度高的脉冲电压信号，且脉宽可调，灵活性高。
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