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公开(公告)号：CN114826150A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210065746.5
申请日：2022-01-20
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池缺陷导致性能损耗的自动评估系统，其中，输入模块，用于读取太阳能电池片的电致发光光谱、外量子效率和不同正向注入电流密度下采集的一组电致发光图像；电池边缘检测模块，用于确定太阳能电池在电致发光图像中的准确位置；电池缺陷恢复模块，用于识别太阳能电池表面的缺陷区，计算各个缺陷区的预测发光强度并对缺陷进行恢复；电池伏安特性计算模块，根据实际或者预测电致发光强度与电池内部电压的关系，得到太阳能电池实际或者预测的伏安特性曲线；电池性能损耗评估模块，根据实际或者预测的伏安特性曲线，获得电池实际或者预测的性能参数并进行对比，定量评估由于缺陷导致的太阳能电池性能损耗。
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公开(公告)号：CN114565560A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210067485.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池缺陷导致性能损耗的自动评估方法，所述方法包括：读取太阳能电池片的电致发光光谱、外量子效率和在不同注入电流密度下的电致发光图像，确定太阳能电池在电致发光图像中的准确位置；定义某一注入电流密度对应的电致发光图像中的缺陷区；计算各缺陷区的预测电致发光强度并替换缺陷区原始电致发光强度；分别根据注入电流密度和预测或者实际内部电压的关系曲线，输出太阳能电池的预测或者实际伏安特性，并进行性能损耗的对比和评估。本发明还公开了一种太阳能电池缺陷导致性能损耗的自动评估系统。本发明能够定量获得太阳能电池缺陷所引起的器件性能损耗情况，有利于制造人员对工艺的针对性改进，并降低高效太阳能电池的研发成本。
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公开(公告)号：CN109861076B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910051936.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路，包括触发信号模块及CMOS脉冲产生模块，所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块，CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出。本发明利用与门输入与输出之间竞争的关系，从而产生一个短脉冲。脉冲的幅度和脉宽能够通过调节变容管和MOSFET的偏压大小来控制。可以产生脉宽在80ps‑270ns范围，幅度最高达到1.8V的电脉冲信号。可以方便的应用于半导体激光器的驱动。
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公开(公告)号：CN107091822B
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201710150530.8
申请日：2017-03-14
Applicant: 华东师范大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种双光源激发光致发光检测半导体缺陷的装置，包括：第一激光光源、第二激光光源、半导体样品、第一透镜、第一分光片、第二分光片、反射镜、第一滤光片、第二滤光片、第二透镜、单色仪、光电探测器和计算机；第一激光光源激发半导体样品的光致发光；第二激光光源使半导体样品材料内的深能级缺陷电子态饱和；光电探测器最终探测单色仪出光口处光信号，得到双光源激发样品得到的光致发光光谱，对比单光源与双光源照射样品得到的发光光谱，确认半导体样品内的深能级缺陷是否是有效的载流子复合中心。本发明还公开了一种双光源激发光致发光检测半导体缺陷的检测方法。
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公开(公告)号：CN110175380A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910404627.6
申请日：2019-05-16
Applicant: 华东师范大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池的分布式电阻模型建立方法，其等效电路模型从上到下由三部分构成：顶层网格电阻结构、中间层二维阵列和底层网格电阻结构。其中，将单二极管模型等效为一个子电路，由N个分立的子电路互相并联组成L×W的中间层二维阵列，用于模拟太阳能电池的吸收层；顶层网格电阻结构和底层网格电阻结构分别用于模拟太阳能电池的栅电极以及背部电极引起的寄生电阻效应。本发明可用于模拟各种类型的太阳能电池处于LED工作模式下的性能。该模型充分考虑了太阳能电池中薄层电阻的分压作用，依据实际太阳能电池尺寸而定的二维阵列结构能够很好地模拟太阳能电池表面的不均匀性，适用于各种具备SPICE仿真功能的EDA工具。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109861076A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910051936.X
申请日：2019-01-21
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路，包括触发信号模块及CMOS脉冲产生模块，所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块，CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出。本发明利用与门输入与输出之间竞争的关系，从而产生一个短脉冲。脉冲的幅度和脉宽能够通过调节变容管和MOSFET的偏压大小来控制。可以产生脉宽在80ps-270ns范围，幅度最高达到1.8V的电脉冲信号。可以方便的应用于半导体激光器的驱动。
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公开(公告)号：CN106298450B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201610651489.8
申请日：2016-08-10
Applicant: 华东师范大学 , 徐州同鑫光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纳米级图形化蓝宝石衬底及其制备方法，1)在蓝宝石衬底上生长一层二氧化硅层；2)在二氧化硅层上自组装形成单层紧密排列的聚合物微球阵列；3)在聚合物微球阵列表面生长一层金属层；4)先后在750℃和1050℃高温下进行退火，得到非紧密排列的金属纳米球阵列；5)以金属纳米球阵列为掩模对二氧化硅层进行刻蚀，得到规则排列的二氧化硅纳米柱；6)以二氧化硅纳米柱为掩模对蓝宝石衬底进行刻蚀，除去二氧化硅纳米柱，最终得到所述纳米级图形化蓝宝石衬底(PSS)。本发明工艺简单、稳定性好、成品率高，适于制备各种晶圆尺寸的图形化蓝宝石衬底；获得的纳米级图形化蓝宝石衬底具有更高的光提取效率，对提高GaN基LED的发光效率具有重大的意义。
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公开(公告)号：CN106784225B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710024540.7
申请日：2017-01-11
Applicant: 华东师范大学 , 徐州同鑫光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于聚合物微球制备纳米级图形化蓝宝石衬底的方法，首先在蓝宝石衬底上生长一层二氧化硅层；然后在二氧化硅层上自组装形成单层紧密排列的聚合物微球阵列；接着对聚合物微球进行干法刻蚀以减小微球的直径，形成非紧密规则排列的聚合物微球阵列；然后以上述非紧密规则排列的聚合物微球阵列为掩模，对二氧化硅层进行刻蚀得到规则排列的二氧化硅纳米柱；最后以二氧化硅纳米柱为掩模对蓝宝石衬底进行刻蚀，得到所述纳米级图形化蓝宝石衬底。本发明的方法简单易行、重复性好、成品率高、生产成本低，适用于各种尺寸的图形化蓝宝石衬底的制备，适用于企业大规模生产。本发明还公开了所述纳米级图形化蓝宝石衬底在GaN基LED中的应用。
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公开(公告)号：CN105514228B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201610051094.4
申请日：2016-01-26
Applicant: 华东师范大学 , 徐州同鑫光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印技术制备图形化蓝宝石衬底的方法，在表面抛光的硅片基底上生长高纯度的金属铝膜；利用两次阳极氧化反应得到规则有序的多孔阳极氧化铝；以多孔阳极氧化铝当掩模对硅片基底进行干法刻蚀得到规则有序的多孔硅基底；在多孔硅基底上旋涂填充聚二甲基硅氧烷PDMS并进行固化、脱模，得到PDMS模板；利用PDMS模板通过紫外压印方法将图形转移到蓝宝石衬底上，采用刻蚀工艺得到图形化的蓝宝石衬底(PSS)。本发明的PDMS模板图形规则有序、均匀性好、易于脱模且可重复使用，配合紫外压印技术可实现6英寸及以上大尺寸PSS的制备。本发明的方法简单易行、可控性高、极大地提高PSS的生产效率，生产成本低。
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公开(公告)号：CN108615885A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810289518.X
申请日：2018-04-03
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨毡的处理工艺，包括以下步骤：(1)去除有机物；将石墨毡置于500-900℃温度中退火5-15分钟；(2)去除一般杂质；将步骤(1)处理后的石墨毡置于一号液(SC-1)，在70-80℃温度下处理5-10分钟，然后再用去离子水清洗5-10分钟；接下来采用二号液(SC-2)，在70-80℃温度下处理5-10分钟，然后再用去离子水清洗5-10分钟。(3)去除难去除的微量金属杂质；将经步骤(2)处理过的石墨毡置于微波炉中处理5-15分钟。本发明的技术方案具有以下技术效果：处理工艺简单，处理后的石墨毡去除了有机物杂质、金属杂质等，处理后的石墨毡用于锌溴或锌碘电池的制作。
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