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公开(公告)号：CN115295647A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211219235.0
申请日：2022-10-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种局域电场诱导的硅光电探测器及其制备方法，局域电场诱导的硅光电探测器包括：吸收层、第一欧姆电极层和第二欧姆电极层，第一欧姆电极层、吸收层和第二欧姆电极层依次层叠设置，吸收层的朝向第一欧姆电极层的一侧设有多个间隔设置的调制掺杂区，调制掺杂区被配置为诱导吸收层的光生载流子动量并收集载流子，以提高光电探测效率。本发明的局域电场诱导的硅光电探测器的光电转换效率高。
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公开(公告)号：CN115032913A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210577530.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型，该仿真电路包括：输入单元、雪崩触发压控开关、提供雪崩光电二极管击穿电压的电压源及第一电阻；输入单元包括光子入射单元、暗计数单元及后脉冲单元，输入单元输出端连接雪崩触发压控开关正极控制端；暗计数单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；后脉冲单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；电压源与雪崩光电二极管阴极、第一电阻输入端连接；雪崩触发压控开关输入端与第一电阻输出端连接，其输出端连接雪崩光电二极管阳极，负极控制端接地。本申请仿真电路能够模拟雪崩光电二极管的光子、暗计数及后脉冲特性，提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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公开(公告)号：CN114551629A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210441131.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种紫外‑可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域，紫外‑可见光波段可分辨光电探测器包括：衬底、光吸收复合层和光收集复合层，光收集复合层与光吸收复合层依次层叠设置在衬底上，光收集复合层用于收集光吸收复合层产生的载流子，以形成光电流；光吸收复合层包括依次层叠设置正极性光吸收层与负极性光吸收层，正极性光吸收层用于吸收可见光，产生的光电流方向为正，负极性光吸收层用于吸收紫外光，产生的光电流方向为负。本申请的紫外‑可见光波段可分辨光电探测器能实现紫外光和可见光的波段可分辨，结构简单、使用方便，在保密光通信等方向具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN109586146A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910023024.1
申请日：2019-01-10
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种太赫兹波发生器。该发生器包括衬底、N-型DBR反射镜、至少两个激光发射组件、钝化层、N-型电极、P-型电极、光栅层和非线性晶体；激光发射组件用于发射激光；N-型DBR反射镜沉积于衬底的任一端面上；每一激光发射组件沉积于每一凸起结构上；钝化层覆盖沉积在激光发射组件和N-型DBR反射镜表面上，且钝化层的第一部位处设有开口；非线性晶体相对开口、固定置于与开口相距预设距离的位置；N-型电极贯穿钝化层与N-型DBR反射镜电连接；P-型电极环绕开口、贯穿钝化层与激光发射组件电连接；且各个激光发射组件之间的连接方式为串联连接或并联连接。应用本发明实施例提供的发生器具有高的集成度。
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公开(公告)号：CN109192799A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811025273.6
申请日：2018-09-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供了一种石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器及其制备方法。其中，所述石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器包括：铜衬底、氧化亚铜层、石墨烯层以及欧姆接触电极；所述氧化亚铜层处于所述铜衬底和所述石墨烯层之间；所述欧姆接触电极设置于所述石墨烯层表面。本发明实施例提供的石墨烯-氧化亚铜量子点光电探测器选用以铜作为石墨烯的衬底，将氧化亚铜层作为光吸收面，实现了光电信号的转换，并且石墨烯层、氧化亚铜层以及铜衬底均具有良好的柔性以及电学性质，与现有的集成电路工艺兼容性较好，同时有适用于可能发生较大形变电子设备的潜力，如柔性可穿戴电子设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119364880B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411896873.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/14
Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。
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公开(公告)号：CN119364880A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411896873.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/14
Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。
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公开(公告)号：CN113838942B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110893871.0
申请日：2021-08-04
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232
Abstract: 本申请实施例提供一种超低噪声光电探测器。超低噪声光电探测器包括探测器本体和超表面微纳结构，所述超表面微纳结构与所述探测器本体的光敏面耦合，用于将目标入射光的大光斑尺寸变换为与所述探测器本体的光敏面相匹配的小光斑尺寸。本申请实施例提供的方案，通过超表面微纳结构实现目标入射光尺寸的缩小，从而减小了探测器中的电场体积，因此，在保证入射光通量的前提下，可以大幅减小噪声。由于超表面微纳结构的尺寸小、重量轻，可以非常方便地实现与其他半导体光电子器件的集成。
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公开(公告)号：CN118276618A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN116913938A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311139281.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供一种低噪声高密度集成光电探测阵列芯片及其制备方法，低噪声高密度集成光电探测阵列芯片包括：基体，包括在厚度方向上相对设置的第一表面和第二表面，具有由第一表面向第二表面延伸的浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构将基体分隔为阵列排布的多个像元；其中，浅沟槽隔离结构包括隔离层及包裹隔离层的界面态钝化层；增透层，形成在基体的第一表面，具有多个通孔，各通孔位于各像元内；第一欧姆接触电极，形成在各通孔内，并与基体的第一表面接触；第二欧姆接触电极，形成在基体的第二表面。本申请的低噪声高密度集成光电探测阵列芯片，可以解决器件后脉冲高、噪声大的问题，提升器件的工作性能。
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