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公开(公告)号：CN115032913A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210577530.7
申请日：2022-05-25
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05B17/02
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路及仿真模型，该仿真电路包括：输入单元、雪崩触发压控开关、提供雪崩光电二极管击穿电压的电压源及第一电阻；输入单元包括光子入射单元、暗计数单元及后脉冲单元，输入单元输出端连接雪崩触发压控开关正极控制端；暗计数单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；后脉冲单元输入端与雪崩光电二极管阳极、雪崩光电二极管阴极连接；电压源与雪崩光电二极管阴极、第一电阻输入端连接；雪崩触发压控开关输入端与第一电阻输出端连接，其输出端连接雪崩光电二极管阳极，负极控制端接地。本申请仿真电路能够模拟雪崩光电二极管的光子、暗计数及后脉冲特性，提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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公开(公告)号：CN114551629A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210441131.8
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种紫外‑可见光波段可分辨光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域，紫外‑可见光波段可分辨光电探测器包括：衬底、光吸收复合层和光收集复合层，光收集复合层与光吸收复合层依次层叠设置在衬底上，光收集复合层用于收集光吸收复合层产生的载流子，以形成光电流；光吸收复合层包括依次层叠设置正极性光吸收层与负极性光吸收层，正极性光吸收层用于吸收可见光，产生的光电流方向为正，负极性光吸收层用于吸收紫外光，产生的光电流方向为负。本申请的紫外‑可见光波段可分辨光电探测器能实现紫外光和可见光的波段可分辨，结构简单、使用方便，在保密光通信等方向具有潜在的应用前景。
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公开(公告)号：CN117913186B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202311810408.0
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本申请提供一种附着纳米天线的铝镓氮基发光单元及制备方法，属于半导体光源技术领域。该附着纳米天线的铝镓氮基发光单元包括：多个纳米天线及铝镓氮层；各纳米天线以预设间距周期性附着在所述铝镓氮层的表面。本申请的方法，通过在铝镓氮层上添加纳米天线，通过纳米天线的振荡形成局域电场，实现与深紫外光共振，增加铝镓氮的自发辐射率、提高铝镓氮层的外量子效率。
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公开(公告)号：CN118276618B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN117471265A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311408089.0
申请日：2023-10-26
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G01R31/26 , G06F30/367 , G01J1/44
Abstract: 本申请提供一种雪崩光电二极管仿真电路。该电路包括：光子入射单元、阴极、阳极、电流单元、触发开关以及自持开关；所述光子入射单元的输出端与所述触发开关的正极控制端连接，用于输出脉冲电压以模拟光子输出，所述脉冲电压用于控制所述触发开关的通断；所述电流单元的输入端与阴极连接，输出端分别与所述触发开关的输入端、所述自持开关的输入端连接，用于根据电流概率分布函数提供动态的雪崩电流；所述触发开关的输出端、所述自持开关的输出端与阳极连接，所述触发开关的负极控制端接地。由于本申请电路中的电流单元能够根据电流概率分布函数确定随机的电流值，能够有效模拟雪崩信号的随机性，从而提高了模拟雪崩光电二极管特性的准确率。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN116936654A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210335988.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种硅基集成光电探测器及其制备方法，包括硅光波导、波长转换波导和硅光电探测器，硅光波导用于接收并传输入射光，入射光其波长大于1100nm；波长转换波导设置于硅光波导的后方，用于波长下转换，将入射光转换为波长小于1100nm的转换光；硅光电探测器设置于波长转换波导的后方，用于将接收到的光信号转换为电信号。该结构可实现通信波段硅基集成光电探测，且由于硅材料晶格完整，探测的灵敏度高。
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公开(公告)号：CN116936653A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210333941.1
申请日：2022-03-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种片上集成硅单光子探测器及其制备方法，该片上集成硅单光子探测器包括氮化硅波导和硅导模探测器，氮化硅波导用于接收并传输入射光，入射光的波长为300nm‑1100nm；硅导模探测器的长度方向与氮化硅波导内的光传输方向一致，硅导模探测器的宽度方向与硅导模探测器通电时硅导模探测器内的电流方向一致；硅导模探测器与氮化硅波导间隔设置，且氮化硅波导位于硅导模探测器高度方向的上部，硅导模探测器用于接收氮化硅波导耦合来的入射光，以及当硅导模探测器通电时，用于将入射光转换为电信号。该片上集成硅单光子探测器解决了因硅材料对接近1100nm处的近红外光吸收系数小导致的探测效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN116598369B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310875967.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种低噪声单光子探测器及其制备方法，包括：衬底；钝化层，形成于衬底的第一表面；第一电荷层，形成于衬底内；第二电荷层，形成于衬底内且位于第一电荷层的背向钝化层的一侧，第二电荷层与第一电荷层接触，第一电荷层与第二电荷层的掺杂类型不同，第一电荷层和第二电荷层中的至少一个构造为适于束缚光生电荷，第一电荷层与第二电荷层中的至少一个的特征尺寸小于500nm；第一接触电极，第一接触电极与第一电荷层连接；第二接触电极，第二接触电极与衬底连接。根据本发明的低噪声单光子探测器，基于量子限制斯塔克效应，在光子入射前处于线性模式，在光子入射后触发雪崩效应，可以降低雪崩背景噪声，提高器件探测效率。
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公开(公告)号：CN116504866B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310777359.9
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种高时间分辨率单光子探测器及其制备方法，高时间分辨率单光子探测器包括：半导体基体，包括衬底和外延层；钝化层，形成于外延层的背向衬底的一侧；倍增层，形成于外延层内；第一欧姆接触层，形成于外延层内，第一欧姆接触层的两侧分别与倍增层和钝化层接触；第一欧姆接触电极，与钝化层同层布置，并与第一欧姆接触层连接；第二欧姆接触电极，与半导体基体连接。根据本发明的高时间分辨率单光子探测器，可以构建出弹道电场结构，为进入倍增层的载流子提供初始动能，变强场激发模式为利用弹道电场提高载流子动能的模式，在保证载流子碰撞概率的同时抑制散射随机性，保持低功耗、低噪声的高确定性输运，从而提高时间分辨率。
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