公开(公告)号：CN103714576A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201410008590.2

申请日：2014-01-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 曾慧 ,  张瑞 ,  穆志纯 ,  张保庆 ,  黄明明

IPC: G06T17/00

Abstract: 本发明一种基于局部加权非相似性度量的三维关键点检测方法，属于计算机视觉领域。其特征在于，提出了一种多尺度三维关键点检测方法。它首先确定每个三维模型点的多尺度局部邻域点；然后在每个尺度下分别计算每个三维模型点对应的形状索引值和局部加权非相似性度量值，进而确定每个三维模型点的检测尺度；最后在每个三维模型点的检测尺度下完成三维关键点检测。本发明所述的局部加权非相似性度量对于三维模型的旋转和平移变换具有不变性，且比已有的基于形状索引值标准差的非相似性度量具有更好的描述能力和抗噪声能力。应用本发明所述的方法，可获得分布比较均匀的三维关键点，有效减少后续三维模型识别或者注册的计算量。

公开(公告)号：CN111116201B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010015676.3

申请日：2020-01-07

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  赵昭 ,  张瑞 ,  吴茵 ,  石建磊

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 一种GeS基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。本发明采用固相反应法(SSR)结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备，以Ge粉、S粉及掺杂元素A作为原料，所述A为Se或Te，按照化学通式GeS1‑xAx(0≤x≤0.05)进行配比，利用低温固相反应制备成分均匀的前驱体粉体，再结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备多晶GeS基热电材料块体。本发明制备的多晶GeS热电材料沿垂直SPS压力方向上的功率因子0.02‑4μWm‑1K‑2，热导率为1.3‑2.5Wm‑1K‑1。平行SPS压力方向的功率因子为0.01‑2μWm‑1K‑2，热导率为0.5‑1.5Wm‑1K‑1。利用固相反应法结合SPS法制备多晶GeS块体热电材料具有过程简单便易操作，对设备和制备环境要求低，烧结温度低等特点。制备的多晶GeS热电材料有可能在温差发电和热电制冷等领域得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN111116201A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN202010015676.3

申请日：2020-01-07

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张波萍 ,  赵昭 ,  张瑞 ,  吴茵 ,  石建磊

IPC: C04B35/547 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 一种GeS基热电材料的制备方法，属于能源材料技术领域。本发明采用固相反应法(SSR)结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备，以Ge粉、S粉及掺杂元素A作为原料，所述A为Se或Te，按照化学通式GeS1-xAx(0≤x≤0.05)进行配比，利用低温固相反应制备成分均匀的前驱体粉体，再结合放电等离子体(SPS)烧结工艺制备多晶GeS基热电材料块体。本发明制备的多晶GeS热电材料沿垂直SPS压力方向上的功率因子0.02-4μWm-1K-2，热导率为1.3-2.5Wm-1K-1。平行SPS压力方向的功率因子为0.01-2μWm-1K-2，热导率为0.5-1.5Wm-1K-1。利用固相反应法结合SPS法制备多晶GeS块体热电材料具有过程简单便易操作，对设备和制备环境要求低，烧结温度低等特点。制备的多晶GeS热电材料有可能在温差发电和热电制冷等领域得到广泛的应用。