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公开(公告)号：CN117276349B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311569965.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 本申请公开了一种抗辐射动态阈值调制半导体器件、工艺、电路及芯片，属于半导体技术领域。抗辐射动态阈值调制半导体器件包括顺次层叠的衬底、底栅层、底栅介质层、外延层、顶栅介质层和顶栅层，外延层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，底栅层位于体区和漂移区的正下方，顶栅层位于体区和漂移区的正上方，底栅层和顶栅层在体区和漂移区内形成方向相反的电场。在器件开态时，导电沟道形成于器件内部，远离器件表面，从而不易受外界辐射干扰，器件更稳定；此外，通过采用双栅结构，能够通过器件设计，双栅动态调控获得电路所需的不同阈值电压，从而节约了调整工艺参数及工序的成本。
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公开(公告)号：CN118136615A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410546698.0
申请日：2024-05-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体集成电路技术领域，具体涉及一种薄膜电阻及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案，通过在薄膜电阻材料层下方设置包括一个或多个梳状结构层的梳状结构，可以有效地平衡电阻的生长应力，减少应力集中现象，增强薄膜电阻材料层的机械稳定性，充分提升电阻的平整度和均一性，降低材料表面缺陷；进一步地，在与衬底垂直的平面上，薄膜电阻材料层的边缘与梳状结构的边缘以及衬底的边缘对齐时，可有效避免光刻过程中由于不规则反射效应造成的电阻损伤，降低材料内部缺陷，从而综合提升温度稳定性，由此大幅度降低了电阻的温度系数，提升了电阻的精度水平，进而满足了芯片产品的应用需求。
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公开(公告)号：CN118011175A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410420863.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。
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公开(公告)号：CN118627291A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410747506.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种掺杂浓度文件生成方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取新拓扑结构网格中的所有节点坐标；基于原拓扑结构网格中所有图形网格内的指定点坐标构建KD树；基于所述KD树搜索出所述新拓扑结构网格中的每个节点坐标在所述原拓扑结构网格对应的目标图形网格；基于每个所述目标图形网格的节点掺杂浓度对新拓扑结构网格中的每个节点坐标进行插值，得到新拓扑结构网格中的所有节点坐标的掺杂浓度，以形成新掺杂浓度文件。相比现有技术采用顺序遍历原有拓扑结构的三角形网格方式，过程效率低、耗时长。本发明采用KD树的方式建立原有图形网格的快速搜索，实现新拓扑结构网格的节点在原有拓扑结构网格上的快速定位。
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公开(公告)号：CN118626374A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410745770.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117276349A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311569965.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L27/02
Abstract: 本申请公开了一种抗辐射动态阈值调制半导体器件、工艺、电路及芯片，属于半导体技术领域。抗辐射动态阈值调制半导体器件包括顺次层叠的衬底、底栅层、底栅介质层、外延层、顶栅介质层和顶栅层，外延层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，底栅层位于体区和漂移区的正下方，顶栅层位于体区和漂移区的正上方，底栅层和顶栅层在体区和漂移区内形成方向相反的电场。在器件开态时，导电沟道形成于器件内部，远离器件表面，从而不易受外界辐射干扰，器件更稳定；此外，通过采用双栅结构，能够通过器件设计，双栅动态调控获得电路所需的不同阈值电压，从而节约了调整工艺参数及工序的成本。
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公开(公告)号：CN119645393A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411637974.0
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种后处理仿真数据显示框架的搭建方法、装置和电子设备，属于计算机处理技术领域。方法包括：响应于控制台区域的配置指令，创建控制台区域；所述控制台区域用于接收对后处理仿真数据文件的可视化参数编辑命令；响应于数据显示区域的配置指令，创建数据显示区域；所述数据显示区域用于显示所述后处理仿真数据文件的可视化结果；响应于菜单栏区域的配置指令，创建菜单栏区域；所述菜单栏区域用于接收对所述后处理仿真数据文件的菜单操作命令。本发明用以解决如何能快速搭建出具备弹性化的软件原型，可以显著减少用户与设计者之间的理解误差、降低代码推倒重构风险，从而实现软件在正确的轨道上快速迭代开发的问题。
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公开(公告)号：CN119545855A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411404024.3
申请日：2024-10-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种非对称型混合多栅半导体器件及其制作方法、芯片，属于半导体技术领域。所述非对称型混合多栅半导体器件包括：衬底，包括第一高压阱区，第一高压阱区中设有沿目标方向依次连接的漏极区、第一漂移区和第二漂移区，第二漂移区的掺杂浓度大于第一漂移区的掺杂浓度；第二漂移区中的阱区中设有沿目标方向相间隔的第一源极区和第二源极区，第一源极区靠近第一漂移区一侧的阱区构成第一沟道区，第二源极区底部的阱区构成第二沟道区；第一栅极结构，覆盖第一沟道区；第二栅极结构，位于第一高压阱区内，且覆盖第二沟道区。本申请能够在提高器件的过电流能力的同时，维持了较小的器件面积，保证了器件集成度。
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公开(公告)号：CN116930594A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN119647241A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411631328.3
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N3/126 , G06N5/01 , G06N20/20 , G06F111/06
Abstract: 本发明提供一种器件结构及工艺条件优化方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域方法，包括：获取初始器件结构数据和初始工艺条件数据；将初始器件结构数据和初始工艺条件数据输入至一个或多个第一性能指标预测模型以进行模型训练，基于训练结果中初始器件结构数据的权重和初始工艺条件数据的权重筛选出目标器件结构数据和目标工艺条件数据；确定第一器件结构数据和第一工艺条件数据组成的数据对作为种群中的个体，以及确定第一性能预测结果作为个体的适应度；基于NSGA‑Ⅱ算法对多目标函数进行求解，得到种群的帕累托前沿解集，作为器件结构及工艺条件的优化结果。本发明用以解决现有器件结构优化过程存在设计时间较长与成本较高的问题。
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