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公开(公告)号:CN113325744A
公开(公告)日:2021-08-31
申请号:CN202110450232.7
申请日:2021-04-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05B19/042
Abstract: 一种面向DDR3存储协议的校准控制器,摒弃传统的时钟控制电路,采用负反馈结构减少时钟受工艺、温度、噪声引起的影响,结构包括数字延迟锁相环、镜像多相位延时链、多相位选择器、高精度相位插值器实现对时钟的精准控制、较低的相位误差和较少的锁定时间。本发明面向DDR3存储协议的校准控制器在最高频率800MHz条件下可以实现DDR3时钟的128级TAP的精准延时,最高延迟精度可达到9.77ps,保证采样时钟延迟数据有效窗口的中心位置,提高DDR3高频时钟采样的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号:CN113886166B
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202111015082.3
申请日:2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/267 , G06F11/22
Abstract: 本发明公开了一种用于可编程逻辑中可变位宽存储器的自动测试电路,包括地址数据产生器、位宽选择器和可变位宽比较器;地址数据产生器用于自动产生15位顺序可自动翻转地址信号和数据、写使能信号,并传输给位宽选择器;位宽选择器接收到来自地址数据产生器的信号后,根据位宽选择情况对接收到的信号进行转换,并将转换后的信号传输至每一个待测存储器;可变位宽比较器用于接收来自待测存储器的输出数据信号,根据选择的位宽对信号进行转换,并将转换后的信号进行比较,得到测试结果后输出结果。本发明能够使用较少的电路结构,实现对可编程逻辑内嵌存储器的自动全遍历测试,并可根据存储器宽度选择适合的位宽进行测试,具备较高的测试效率和灵活性。
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公开(公告)号:CN113886166A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:CN202111015082.3
申请日:2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F11/267 , G06F11/22
Abstract: 本发明公开了一种用于可编程逻辑中可变位宽存储器的自动测试电路,包括地址数据产生器、位宽选择器和可变位宽比较器;地址数据产生器用于自动产生15位顺序可自动翻转地址信号和数据、写使能信号,并传输给位宽选择器;位宽选择器接收到来自地址数据产生器的信号后,根据位宽选择情况对接收到的信号进行转换,并将转换后的信号传输至每一个待测存储器;可变位宽比较器用于接收来自待测存储器的输出数据信号,根据选择的位宽对信号进行转换,并将转换后的信号进行比较,得到测试结果后输出结果。本发明能够使用较少的电路结构,实现对可编程逻辑内嵌存储器的自动全遍历测试,并可根据存储器宽度选择适合的位宽进行测试,具备较高的测试效率和灵活性。
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公开(公告)号:CN112600547A
公开(公告)日:2021-04-02
申请号:CN202011439450.2
申请日:2020-12-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/017 , H03K19/0185
Abstract: 一种宽范围输入输出接口电路,属于集成电路领域;作为输出接口的情况下,利用辅助电压产生单元(103)的开启与关闭,通过双模式电平转换单元,使输出驱动单元(101)中PMOS晶体管栅源电压等于内核工作电源电压;作为输入接口的情况下,利用辅助电压产生单元(103)的开启与关闭,通过耐压输入缓冲器单元(104)和耐压输入缓冲器单元(105)的开启与关闭,使耐压输入缓冲器单元(104)中PMOS晶体管栅源电压等于输入输出接口电源电压。
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