-
公开(公告)号：CN106129047A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610499863.7
申请日：2016-06-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: H01L28/10 , B81C1/00103
Abstract: 本发明涉及一种平面螺旋电感的新型制作方法，采用玻璃或石英衬底进行平面螺旋电感的制作；采用MEMS技术，包括金属薄膜淀积工艺、介质层薄膜淀积工艺、厚金属层电镀工艺、厚胶光刻工艺、刻蚀工艺等实现平面螺旋电感的制作；平面螺旋电感与衬底之间不需要厚的绝缘层进行隔离；平面螺旋电感的平面形状、线圈厚度不受限制。本发明通过在玻璃或石英衬底上，利用MEMS技术实现平面螺旋电感的制作，避免了高频时线圈与衬底间的耦合和趋肤效应，能够实现高Q值的电感，同时电感线圈的金属层厚度不受限制，使得线圈的损耗低。工艺简单，能够满足信号隔离器、平面天线、微波基带线、平面螺旋电感谐振器等多种领域的需求，降低了工艺难度。
-
公开(公告)号：CN104458103B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410711006.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低漂移压力传感器及其制造方法，低漂移压力传感器包括衬底、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻、金属引线和PAD点，四个压敏电阻通过金属引线构成惠斯通电桥，四个压敏电阻放置在通过制作背腔形成的薄膜区域，且四个压敏电阻均沿同一方向放置。其制作步骤为：在衬底正面利用微加工光刻、注入工艺制作浓硼区、淡硼区，在衬底正面制作引线孔、金属引线和PAD点；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；划片。本发明压力传感器能够有效减小漏电，降低压力传感器的零点漂移，制造方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工工艺简单、成本低，且成品率高可批量生产。
-
公开(公告)号：CN103818874B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201410048811.9
申请日：2014-02-12
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及MEMS结构与处理电路集成系统的新型封装方法，该方法包括：（1）MEMS圆片上每个基底单元预留多个电路芯片放置区域，将电路芯片放置在MEMS圆片上，形成MEMS结构与处理电路的集成；（2）利用垂直互联技术，采用硅作为盖板，盖板上带有垂直通孔，通孔内部填充导电材料，形成结构的输入和输出端口；（3）盖板键合面有多个槽，用于提供MEMS器件工作所需的真空气密环境和电路所需的空间，盖板槽内部的吸气剂薄膜，用于维持真空度；（4）将盖板与MEMS圆片进行圆片键合，实现圆片级真空集成封装，该方法不仅工艺简单，适用范围广，效果显著，而且能够避免由于热膨胀系数带来的热应力，显著提高器件的温度系数。
-
公开(公告)号：CN104406644A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410738183.7
申请日：2014-12-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01F1/69
Abstract: 本发明公开了一种MEMS热式流量传感器及其制造方法，其中MEMS热式流量传感器包括衬底、第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线、钝化保护层和电极焊盘部。MEMS热式流量传感器的制造方法选用具有绝缘作用、高热阻、抗振动的材料作为衬底，并在衬底上溅射金属层或半导体层，并在金属层或半导体层上通过刻蚀形成第一组热敏电阻体、加热电阻体、第二组热敏电阻体、环境温度测量电阻体、引出线，同时通过二氧化硅或聚酰亚胺形成钝化保护层，并在引出线末端电镀金或铝形成电极焊盘部。本发明简化了加工工艺，降低了制造成本，制作了备用热敏电阻体和钝化保护层，提高了传感器的可靠性。
-
公开(公告)号：CN106768517A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611097457.4
申请日：2016-12-02
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高可靠高温压力传感器及其制造方法，高温压力传感器包括衬底、隔离层、四个压敏电阻、金属引线和PAD点，隔离层设置在衬底正面，衬底通过背面制作空腔形成敏感薄膜层。四个压敏电阻放置在敏感薄膜层对应区域，通过金属引线构成惠斯通电桥，惠斯通电桥通过PAD点与外部电路连接。其制作步骤为：在衬底上依次外延出P型和N型外延层，通过对外延层刻蚀制作压敏电阻；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；制作氧化硅介质层，腐蚀氧化硅形成引线孔；在外延层上制作金属引线和PAD点。本发明高温压力传感器金属欧姆接触性能好，能有效提高器件在高温环境下工作时的可靠性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103472260B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310355991.0
申请日：2013-08-15
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种MEMS叉梁电容式加速度计及其制造方法，该加速度计采用玻璃-硅-玻璃三层结构，包括依次设置的第一玻璃层、硅层和第二玻璃层，其中硅层包括矩形外框、悬臂梁、叉梁、质量块、硅岛和硅层电极引出区域，两根叉梁设置在两根悬臂梁中间，且两根叉梁位于两根悬臂梁、质量块、矩形外框围成的矩形框的对角线位置，每个叉梁均与矩形外框、两个悬臂梁和质量块连接，本发明通过对加速度计中的硅层结构进行创新设计，使得加速度计工作模态的频率与相邻模态频率相差十倍以上，有效抑制了交叉干扰，并降低尺寸误差，使器件整体性大大提高，此外本发明等厚的设计只需一次刻蚀就制作出硅层的敏感结构，大大降低了工艺难度，简化了工艺步骤。
-
公开(公告)号：CN104649217A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410815965.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种多MEMS传感器的单芯片加工方法，首先在第一衬底的背面加工第二处理电路模块与第二传感结构模块所需的腔体、键合区，在正面制作第一传感结构模块、金属焊盘和通孔；然后在第二衬底圆片的正面制作第二处理电路模块、第二传感结构模块、金属焊盘和键合区，在背面加工腔体；最后将集成了第一传感结构模块的第一衬底与集成了第二传感结构模块和第二处理电路模块的第二衬底在真空环境中进行硅-金属-硅键合形成键合片，按照划片道进行划片，形成多个片上微系统单芯片。本发明方法采用了双衬底方式，对传感器种类和电路种类几乎没有限制，集成度高，并且工艺兼容性强，非常适合用于微型传感器系统单芯片集成领域。
-
公开(公告)号：CN104458103A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410711006.X
申请日：2014-11-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种低漂移压力传感器及其制造方法，低漂移压力传感器包括衬底、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻、金属引线和PAD点，所述四个压敏电阻通过金属引线构成惠斯通电桥，四个压敏电阻放置在通过制作背腔形成的薄膜区域，且四个压敏电阻均沿同一方向放置。其制作步骤为：在衬底正面利用微加工光刻、注入工艺制作浓硼区、淡硼区；在衬底正面制作引线孔、金属引线和PAD点；在衬底背面制作空腔，从而形成薄膜层；划片。本发明压力传感器能够有效减小漏电，降低压力传感器的零点漂移，制造方法与标准体硅压阻式压力传感器的加工工艺兼容，器件加工工艺简单、成本低，且成品率高可批量生产。
-
公开(公告)号：CN101648695B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910092035.1
申请日：2009-09-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
Abstract: 本发明掩模层三维结构转移的MEMS体硅工艺方法，包括掩模层三维结构制备步骤和掩模层三维结构向硅衬底片转移步骤。在深槽结构加工之前完先制备硅衬底片的掩模层，然后针对硅衬底片上N个不同区域对应的N个加工深度对掩模层进行N次图形化处理从而形成掩模层的三维结构，然后把制备好的掩模层三维结构通过湿法腐蚀或干法刻蚀工艺转移到硅衬底片上，在硅衬底片上进行N次深槽结构加工，得到具有N个不同深度的MEMS体硅结构，N次深槽结构加工后去除所有掩模层，形成具有N个不同深度的MEMS体硅结构。本发明在降低了图形化难度的同时提高了图形化的精度。
-
公开(公告)号：CN102759636A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210176681.8
申请日：2012-05-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 一种电容式MEMS加速度计，包括依次设置的第一硅盖板层、中间硅层和第二硅盖板层，所述中间硅层包括第一硅岛和第二硅岛，所述硅岛形成在硅框架的内部，并与硅框架通过间隙间隔开；其中第一硅岛与第一硅盖板层金属电极接触，第二硅岛与第二硅盖板层金属电极接触；第一硅盖板层还包括在第一硅基底上形成的第一金属电极通孔、第二金属电极通孔和硅电极通孔，第一金属电极通孔与第一硅岛的位置相对应，第二金属电极通孔与第二硅岛的位置相对应；硅电极通孔与硅框架的位置相对应；每个通孔内壁有绝缘层，并充满金属导电材料。本发明能够将加速度计的所有电极在同一硅面引出，实现了加速度计的圆片级键合，并且可以采用倒装芯片技术进行封装。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.039 seconds)
