一种发光二极管超临界处理方法

    公开(公告)号:CN113437187B

    公开(公告)日:2022-01-25

    申请号:CN202110984706.6

    申请日:2021-08-26

    Inventor: 张冠张 李蕾 刘凯

    Abstract: 本发明提供的发光二极管超临界处理方法,通过根据发光二极管的半导体结构所具有的第一元素,选取第二物质;获取超临界态的第二物质;通过超临界态的第二物质对半导体结构进行晶体缺陷修复。可见,利用超临界态的第二物质具有的渗透性与流动性,通过超临界态的第二物质的元素,对发光二极管的半导体结构进行晶体缺陷修复,使得其半导体结构趋向于理想晶体结构,其光学性能更加贴近理想模型,由此,发光二极管的电光转换,以及产生的发光光谱,更加符合理想模型。

    一种有机半导体器件超临界处理方法

    公开(公告)号:CN113856237A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202110985897.8

    申请日:2021-08-26

    Inventor: 张冠张 李蕾 刘凯

    Abstract: 本发明提供了一种有机半导体器件超临界处理方法,包括:提供一有机半导体器件以及二氧化碳;获得超临界态的二氧化碳;通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。可见有机材料结构中的杂质,如聚合物单体分子、寡聚物等小分子或软交联剂杂质,会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。同时,水分子同样会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。因此,有机材料结构在有机半导体器件中发挥的电学性能,能够进一步靠近理想模型,杂质带来的影响下降。

    一种解方程的方法、系统和存储介质

    公开(公告)号:CN113591019B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202110667924.7

    申请日:2021-06-16

    Abstract: 本发明提供的一种解方程的方法、系统和存储介质,在坐标系中,对待解方程组中每个方程的曲线上的点赋予一个强度;其中,点的强度随时间逐渐衰减,且可叠加;预设时间后,获取所述每个方程的曲线上的点的强度;曲线的交点处即为方程组的解,由于点的强度可叠加,交点处的强度较高,而所有点的强度以相同的速率衰减,故将强度最大的点作为所述待解方程组的解。可见,本发明无需迭代计算,利用强度随时间逐渐衰减的特点,只需等待一定的时间即可得到待解方程组的解,而且跟待解方程组的复杂程度无关,功耗很低。

    用于遗忘计算的动态随机存储器、遗忘计算系统和方法

    公开(公告)号:CN118588126A

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202410640603.1

    申请日:2024-05-22

    Abstract: 本申请公开了一种用于遗忘计算的动态随机存储器和遗忘计算系统和方法,动态随机存储器包括存储器阵列、写行地址译码器、写列地址译码器、读行地址译码器、数据输入模块和数据输出模块。存储器阵列包括多个存储单元,每个存储单元用于存储用于遗忘计算的初始矩阵中的一个元素,每个存储单元包括开关管和数据电容,其中数据电容的电压值与该存储单元存储的矩阵元素的值有对应关系。由于遗忘计算的实现是通过控制存储单元中数据电容的电压值来实现的,不但能以存算一体的方式执行遗忘计算,还使得用于遗忘计算的运算装置计算速度更快、更节能。

    一种提升器件光学特性的处理方法

    公开(公告)号:CN116682881A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310481493.4

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 一种提升器件光学特性的处理方法,包括:提供一待处理器件以及第一流体,待处理器件为光学元件或光电子器件;对第一流体进行超临界处理,得到超临界态的第一流体;通过超临界态的第一流体对待处理器件处理,对待处理器件进行杂质萃取,或进行杂质萃取与进行晶体缺陷修复。本申请可以提高待处理器件的光学特性。

    一种可植入的电刺激设备、控制方法以及控制系统

    公开(公告)号:CN116650830A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310685825.0

    申请日:2023-06-09

    Abstract: 一种可植入的电刺激设备、控制方法以及控制系统,电刺激设备包括:电极探针,与控制电路电连接;第一电磁线圈,用于通过电磁感应与外部的终端设备进行无线通信,通过电磁感应接收外部的终端设备提供的电能;控制电路,与第一电磁线圈电连接,用于通过第一电磁线圈获取外部的终端设备提供的电能;还用于通过第一电磁线圈接收外部的终端设备发送的控制信号,在控制信号的触发下,通过电极探针释放对应该控制信号的电刺激信号。本申请可以实现通过电感线圈实现电刺激设备的控制与电刺激信号的释放,使用便捷。

    生物兼容器件性能的测试方法、生物兼容器件及制造方法

    公开(公告)号:CN116322226A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310312035.8

    申请日:2023-03-15

    Inventor: 张冠张 李蕾 黄培

    Abstract: 一种生物兼容器件性能的测试方法、生物兼容器件及制造方法,测试方法,包括:配置生物兼容材料的第一溶液,采用多种不同PH值的酸碱盐向分别第一溶液进行掺杂,调整第一溶液的PH值,得到多种PH值的第一溶液;采用经PH值调整的第一溶液,制成半导体器件的功能层,得到半导体器件,半导体器件为生物兼容器件;对半导体器件进行待测性能测试,得到待测性能与第一溶液PH值的相关性。通过多种PH值的生物兼容材料制成半导体器件的功能层,并对半导体器件进行测试,可以得到半导体器件待测性能与功能层PH值的相关性。为了后续调节生物兼容器件的性能提供参考标准,通过测试得到的相关性,对应制造的生物兼容器件可以更好的匹配当前的应用环境。

    一种有机半导体器件超临界处理方法

    公开(公告)号:CN113856237B

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202110985897.8

    申请日:2021-08-26

    Inventor: 张冠张 李蕾 刘凯

    Abstract: 本发明提供了一种有机半导体器件超临界处理方法,包括:提供一有机半导体器件以及二氧化碳;获得超临界态的二氧化碳;通过超临界态的二氧化碳对所述有机半导体器件进行杂质萃取。可见有机材料结构中的杂质,如聚合物单体分子、寡聚物等小分子或软交联剂杂质,会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。同时,水分子同样会被超临界态的二氧化碳从有机材料中脱除。因此,有机材料结构在有机半导体器件中发挥的电学性能,能够进一步靠近理想模型,杂质带来的影响下降。

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