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公开(公告)号：CN116454129A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310341507.2
申请日：2023-03-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L21/335 , H01L23/48
Abstract: 一种源漏端引入势垒的半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底；形成在衬底上的主动层；形成在主动层的栅介质层、源极与漏极；形成在栅介质层上的栅极；第一势垒层，第一势垒层具有预设宽度与预设厚度，第一势垒层部分包裹在源极与漏极的侧壁，部分嵌入主动层，第一势垒层的材料为高肖特基势垒材料。本申请能够实现晶体管具有存算一体能力。
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