公开(公告)号：CN101719497A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910238271.X

申请日：2009-11-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘文 ,  黄如 ,  王思浩 ,  黄德涛 ,  王健

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/552 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征在于，在和所述NMOS器件相邻的沟槽中，所述沟槽填充材料中嵌入一牺牲材料层，所述牺牲材料是掺杂了第三主族元素的硅。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业。

公开(公告)号：CN101577279A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910087223.5

申请日：2009-06-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 王文华 ,  黄德涛 ,  黄如 ,  王阳元 ,  薛守斌

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种抗辐照的多叉指CMOS器件，属于电子技术领域。本发明多叉指CMOS器件包括有源区、STI区、和连接所述有源区和所述STI区的栅极，所述栅极呈多叉指状，其特征在于，所述有源区沿着有源区横向的宽度大于所述栅极位于所述有源区范围内沿着有源区横向的宽度。优选地，相邻的两个叉指的根部内轮廓线不呈各个折角同时为90°的折线状，位于端部的两个叉指的根部外轮廓线不呈直角状。本发明多叉指CMOS器件可以有效的降低栅串联电阻，从而提高电路的性能；同时占用的版图面积减小，可提高芯片的集成度。