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公开(公告)号：CN107104048A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610099350.7
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的制造方法，该方法包括：在硅衬底上表面依次生长氮化镓缓冲层和铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上淀积氧化层；对左侧部分区域的氧化层进行刻蚀，形成源极接触孔；对右侧部分区域的氧化层进行刻蚀，形成氧化层开孔，在氧化层开孔内刻蚀铝镓氮势垒层、氮化镓缓冲层及部分硅衬底，形成漏极接触孔；制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的源极及漏极；制造集成肖特基二极管的氮化镓晶体管的栅极；在硅衬底下表面形成肖特基电极，以使在漏极中的源漏极金属层、硅衬底及肖特基电极形成肖特基二极管。降低了导通电压，减少了开关损耗，减少了无用功耗，进而提高了器件的转换效率及性能。
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公开(公告)号：CN107104047A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610099474.5
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓肖特基二极管的制造方法，该方法包括：在硅衬底上依次生长氮化镓缓冲层及铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上依次沉积氮化硅钝化层和PETEOS氧化层；制造氮化镓肖特基二极管的阴极；制造氮化镓肖特基二极管的阳极；对制造阳极后的氮化镓肖特基二极管进行退火处理。移除了阳极金属和铝镓氮界面附近的浅陷阱，减少了器件的阳极漏电现象，改善了器件的击穿电压，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN107104046A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201610099349.4
申请日：2016-02-23
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66143 , H01L29/872 , H01L2229/00
Abstract: 本发明提供的一种氮化镓肖特基二极管的制备方法，通过在氮化镓外延片的表面沉积钝化层；制备氮化镓肖特基二极管的阴极；在该钝化层的中心进行干法刻蚀，形成肖特基接触孔；在该肖特基接触孔内，该钝化层的表面和该阴极的表面沉积金属钛，形成欧姆金属层；对该欧姆金属层进行光刻，刻蚀和退火处理，形成呈栅状结构的欧姆金属结构；制备氮化镓肖特基二极管的阳极；其中，欧姆金属结构呈栅状结构，且被阳极包裹。从而实现在不影响氮化镓肖特基二极管输出性能的情况下，减小肖特基结面积，从而减小肖特基接触电阻，提高氮化镓肖特基二极管的器件性能和寿命。
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公开(公告)号：CN106935641A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511029476.9
申请日：2015-12-31
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/0657 , H01L2229/00
Abstract: 本发明提供了一种高电子迁移率晶体管和存储器芯片，其中所述高电子迁移率晶体管包括：基底；氮化镓层和氮化镓铝层，所述氮化镓层的一侧复合于所述基底的表层，所述氮化镓层的另一侧复合于所述氮化镓铝层的底部；介质层，复合于所述氮化镓铝层的顶层，所述介质层设置有至少两个贯通的接触孔；电极，所述电极包括漏极电极、栅极电极和源极电极，所述漏极电极和所述上述源极电极分别设置于对应的所述至少两个贯通的接触孔中对应的接触孔中，其中，介质层包括金属氧化层和/或无机氧化层，无机氧化层包括第一氧化硅层。通过本发明的技术方案，改善了高电子迁移率晶体管的界面态，有效地降低了上述晶体管的反向漏电流，同时提升了上述晶体管的可靠性。
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公开(公告)号：CN106601809A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510670636.1
申请日：2015-10-15
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/20 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/0611 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种氮化镓场效应晶体管，包括衬底、在所述衬底上依次形成的外延层、钝化层、第一氧化层、源极、漏极、栅极、第二氧化层及场板层；其中，所述场板层与所述源极通过金属引线电连接，所述场板层与所述栅极部分相对。本发明还提供了一种氮化镓场效应晶体管的制作方法。本发明将栅极和场板层部分相对设置，能够抑制电流崩塌来改善器件击穿特性，而且能够减小第一层场板和漏极之间的电场密度，从而改善器件的耐压。
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公开(公告)号：CN106601806A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510671955.4
申请日：2015-10-15
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/0607 , H01L29/40 , H01L29/41725 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延层、钝化层和第一绝缘层，形成在所述第一绝缘层上的栅极、源极和漏极，其特征在于，所述漏极包括形成在所述第一绝缘层上的欧姆接触电极和覆盖在所述欧姆接触电极上部的肖特基电极。本发明通过在欧姆接触漏端构上形成扩展的肖特基接触漏端，形成肖特基-欧姆接触漏端结构，从而改善了半导体器件的耐压性。
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公开(公告)号：CN106601791A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510671936.1
申请日：2015-10-15
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司 , 深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/1066 , H01L29/7783
Abstract: 本发明提供了一种金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管及其制作方法，该晶体管包括：衬底、依次设置在所述衬底上的外延片层、第一绝缘层、第二绝缘层，栅极、源极和漏极以及第三绝缘层；其中，所述栅极延伸到所述第二绝缘层的上表面形成栅场板。本发明通过将栅极延伸形成栅场板，从而降低了器件表面电场，改善了器件的击穿电压，提高了器件的耐压性。
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公开(公告)号：CN106298973A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510254663.0
申请日：2015-05-18
Applicant: 北京大学 , 北大方正集团有限公司深圳方正微电子有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/0688 , H01L29/66143 , H01L2229/00
Abstract: 本发明实施例公开了一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管。本发明实施例中，在硅衬底层上形成GaN层、势垒层和钝化层，至少刻蚀钝化层至势垒层，形成阳极接触孔；形成介质层，并对介质层进行刻蚀，形成薄层的阳极介质；阳极介质至少覆盖阳极接触孔部分底部并与阳极接触孔侧壁接触；在阳极接触孔内填充金属，形成阳极。本发明实施例在阳极边缘形成阳极介质，该阳极介质减小了金属与AlGaN层的接触面积，即减小了肖特基结的面积，从而有效降低了肖特基二极管的反向漏电流；另一方面，该阳极介质也避免了金属与钝化层之间因接触表面缺陷而造成的漏电，进一步降低了肖特基二极管的反向漏电流。
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公开(公告)号：CN101440359B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810241004.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 北京大学
IPC: C12N7/01 , C12N15/44 , C12N15/866 , C12N15/63 , A61K48/00 , A61K39/145 , A61P31/16
Abstract: 本发明公开了一种禽流感病毒疫苗及其制备方法。该禽流感病毒疫苗是以杆状病毒为载体，在其表面展示有H5N1型禽流感病毒HA蛋白胞外区的重组杆状病毒。本发明的疫苗具有以下优点：1)安全性高；2)免疫保护效果好；3)制备方法简单，易于大规模生产。本发明在禽流感防治领域具有较高的实际应用价值。
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