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公开(公告)号：CN102610399B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201210062615.8
申请日：2012-03-09
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种敏化太阳能电池封装系统和封装方法，该敏化太阳能电池封装系统包括：设置在操作仓内的吸附装置、压力装置、可移动的点胶装置和滴液装置，以及设置在所述操作仓外的控制装置；所述吸附装置包括可移动的上吸附单元和下吸附单元，所述上、下吸附单元分别通过压力装置产生负压，分别用于吸附上、下电极基板，所述下吸附单元设有胶体固化灯；所述点胶装置和滴液装置分别由所述控制装置控制，分别用于对所述下电极基板进行自动点胶和自动滴液，所述压力装置分别控制所述点胶装置的点胶压强和滴液装置的滴液压强。本发明封装工艺简单，封装自动化程度高，并同时提高太阳能电池的长期稳定性。
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公开(公告)号：CN102655211B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210084396.3
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，所述方法包括以下步骤：A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；C：采用丝网印刷机将配置好的金属氧化物浆料印刷到衬底和金属字线上，再经热处理得到阻变层；D：采用丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到阻变层上，经热处理得到金属位线。本发明中的制备方法采用溶胶凝胶与丝网印刷相结合的方法制造阻变存储器阵列，不需使用传统半导体制造工艺，因而降低了成本，其对工艺条件要求低，设备简单，工艺过程为低温过程，可与各种衬底材料和工艺兼容，且通过该方法制备的阻变存储器的特性和可靠性较好。
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公开(公告)号：CN102655211A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201210084396.3
申请日：2012-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，所述方法包括以下步骤：A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；C：采用丝网印刷机将配置好的金属氧化物浆料印刷到衬底和金属字线上，再经热处理得到阻变层；D：采用丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到阻变层上，经热处理得到金属位线。本发明中的制备方法采用溶胶凝胶与丝网印刷相结合的方法制造阻变存储器阵列，不需使用传统半导体制造工艺，因而降低了成本，其对工艺条件要求低，设备简单，工艺过程为低温过程，可与各种衬底材料和工艺兼容，且通过该方法制备的阻变存储器的特性和可靠性较好。
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公开(公告)号：CN101777574B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010034118.8
申请日：2010-01-15
Applicant: 北京大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种叠层结构复合型太阳能电池，其包括聚合物太阳能电池，以及形成于所述聚合物太阳能电池上的染料敏化太阳能电池。本发明的复合型太阳能电池与单独的染料敏化太阳能电池和聚合物太阳能电池相比，在保证了上述两种电池效率基本不变的基础上提高了光的吸收利用效率，从而可以提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106129257B
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201610761443.1
申请日：2016-08-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿薄膜光电晶体管及其制备方法，所述钙钛矿薄膜光电晶体管包括：覆盖有二氧化硅的硅衬底，所述硅衬底上表面的中间部分覆盖有金属氧化物层，所述金属氧化物层上的两端镀有源漏金属电极，中间为有机无机杂化钙钛矿层，所述硅衬底的上方设有一层钝化层，所述的钝化层将所述金属氧化层、所述有机无机杂化钙钛矿材料层全部覆盖。本发明可以将金属氧化物半导体与有机无机杂化钙钛矿相结合，并且制备工艺简单，器件成功率高，具有响应快速、宽光谱光探测的极大潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105098082B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510485940.9
申请日：2015-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，所述方法包括：在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层；采用超声喷涂方法在p型有机导电层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层；在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层；在n型有机导电层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果：利用超声喷涂方法制备，可以提高原料使用率，降低生产成本，实现大面积生产。
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公开(公告)号：CN103490769B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310479380.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/177 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻辑电路的信号；所述逻辑电路之间并联。本发明能够根据需要对逻辑电路进行设定，并通过逻辑电路和信号输出电路的连接关系实现复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN103490769A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310479380.7
申请日：2013-10-14
Applicant: 北京大学
IPC: H03K19/177 , H01L21/8247
Abstract: 本发明提供信息存储技术领域中的一种基于RRAM在FPGA中应用的1T1R阵列及其制作方法。本发明包括逻辑电路，用于实现设定的逻辑功能；信号输入电路，和所述逻辑电路连接，为所述逻辑电路提供信号；信号输出电路，用于输出所述逻辑电路的信号；所述逻辑电路之间并联。本发明能够根据需要对逻辑电路进行设定，并通过逻辑电路和信号输出电路的连接关系实现复杂的逻辑功能。
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公开(公告)号：CN102709312A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210125134.7
申请日：2012-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为In-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底未被栅电极所覆盖的部分的上方；氧化物薄膜沟道层设置在栅极绝缘层的上方；源极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的一侧；漏极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的另一侧。本发明基于In-X-Zn-O的薄膜晶体管，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的抑制能力，提高晶体的晶化温度以提高器件制备的一致性，减弱氧化物薄膜沟道层对薄膜晶体管阈值电压、漏电流Ioff以及开关比的影响。
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公开(公告)号：CN102646719A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210124214.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/77
Abstract: 本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为Sn-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底未被栅电极所覆盖的部分的上方；氧化物薄膜沟道层设置在栅极绝缘层的上方；源极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的一侧；漏极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的另一侧。本发明基于Sn-X-Zn-O的薄膜晶体管，增强了氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的抑制能力，减弱了对薄膜晶体管阈值电压、漏电流Ioff以及开关比的影响，提高了器件制备的一致性；以Sn取代In，降低了成本。
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