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公开(公告)号：CN104635984A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510030512.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明涉及一种单表面位置传感器及其定位方法，包含衬底层和感应电极；所述感应电极位于所述衬底层上方；传感器还包含摩擦层；摩擦层位于所述衬底层上方；摩擦层位于所述感应电极中间；各独立的所述感应电极通过相同的负载电阻接地；使被测物体与所述摩擦层产生至少一次接触和分离，在所述各个负载电阻上产生不同的电压输出；通过分析各个电极电压的比值确定被测物体的位置；本发明的益处为：本发明提出的单表面位置传感器为主动式传感器，相较于传统传感器减少了能量使用；本发明提出的单表面位置传感器可制作为柔性透明薄膜，可广泛应用于便携式电子设备及可穿戴设备；本发明提出的单表面位置传感器工艺简单，成本低，有利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102963863B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210532035.0
申请日：2012-12-11
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法，采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列，极大增大表面面积体积比；同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物，极大降低表面能，则所制备碳化硅材料具有超疏水特性，静态接触角CA>160°；再通过强碱性溶液腐蚀去除硅基底，则能够实现柔性碳化硅薄膜；且由于强碱性溶液腐蚀去除表面聚合物钝化层，形成裸露高密度碳化硅尖端阵列，则所制备柔性碳化硅薄膜具有超亲水特性，静态接触角CA
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公开(公告)号：CN102738300B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210187289.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池栅电极的制备方法，首先制备具有栅线图形的碳化硅模版，然后将碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极。该方法应用的模版材料PECVD-SiC应力小，制备的电池栅电极线宽得到了保证，因此减小了表面覆盖率；制备电极的过程影响因素较少，便于精确控制；工艺简单，提高了生产效率；SiC材料耐腐蚀性强，模版一次制得后可重复利用，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102723839B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210170631.9
申请日：2012-05-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种电磁式能量采集器，包括由柔性结构层形成的腔体，以及封装于所述腔体内的永磁体块；所述柔性结构层包括柔性基底，以及位于所述柔性基底上的平面线圈和永磁体阵列。所述永磁体阵列采用电镀方法制备，所述腔体优选采用折叠方式形成。本发明的能量采集器与IC工艺相兼容，可适用于需要器件变形的特殊环境；采用生物兼容性柔性材料作为柔性基底时，可以适合生物体应用，如内置生物传感器、生物医药监控和生物活体探测等。
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公开(公告)号：CN103546058A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310517077.1
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及微能源领域，具体涉及一种基于电磁与摩擦原理的复合式发电机，包含外壳及外壳内从上到下设有的顶部质量块、顶部永磁体、摩擦层、金属线圈、底部永磁体，外壳呈圆筒形，顶部质量块、顶部永磁体、摩擦层、金属线圈、底部永磁体均呈圆柱形，金属线圈外包裹有薄膜，本发明优点在于：本发明可作为传统电池的替代品为低功耗电子器件供能；实现了电磁式发电机与摩擦式发电机的优势互补，提高了发电机的能量转化效率；可靠性更强，分离速度更快；简化了器件的结构，有利于大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102868318A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210326051.4
申请日：2012-09-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种基于PVDF的微型复合式能量采集器及制备方法，利用柔性聚合物压电材料PVDF制备成悬臂梁结构，通过PVDF压电悬臂梁发生谐振，利用压电效应将振动能转化为电能；同时，与之固接的包含磁性纳米颗粒的PDMS质量块随着PVDF压电悬臂梁的振动也一起振动，使穿过电镀在基底上的平面螺旋线圈的磁通量发生变化，产生感应电动势，从而在外加负载上输出功率。本发明的复合式能量采集器采用聚合物压电材料PVDF来代替传统压电材料PZT，并通过压电式和电磁式两种方式进行能量采集，使得能量采集器的输出功率及效率可以显著提高，并且与生物兼容。
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公开(公告)号：CN102738300A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210187289.3
申请日：2012-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池栅电极的制备方法，首先制备具有栅线图形的碳化硅模版，然后将碳化硅模版与太阳能电池基片对准且贴紧固定，应用物理气相淀积法制备栅电极。该方法应用的模版材料PECVD-SiC应力小，制备的电池栅电极线宽得到了保证，因此减小了表面覆盖率；制备电极的过程影响因素较少，便于精确控制；工艺简单，提高了生产效率；SiC材料耐腐蚀性强，模版一次制得后可重复利用，降低了成本。
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公开(公告)号：CN102586890A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210074956.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于黑硅制备的设备，包括反应室(100)、气体流量控制装置(110)、压强调控装置(140)、冷却装置(150)线圈功率源组件、平板功率源组件，其特性在于：所述反应室(100)上方设置石英盖(101)，所述反应室(100)下部安装有用于放置待加工硅片样品的支撑台(102)；所述气体流量控制装置(110)，包括不少于两条用于通工作气体的气路(111)，所述压强调控装置(140)，包括：出气口(141)、机械泵(142)、分子泵(143)；所述冷却装置(150)直接连接到所述支撑台(102)。本发明制备高密度、高深宽比的黑硅，且制备效率高、成本低，控制自动化、简单方便。
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公开(公告)号：CN101881881B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010199618.7
申请日：2010-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种可变光衰减器件及其制备方法，该器件包括：硅基座以及与所述硅基座键合的玻璃基座，所述硅基座设置有垂直光反射面、以及以所述光反射面为一侧面的加热空腔，所述加热空腔与所述玻璃基座的部分上表面围成密封腔体，在所述密封腔体内的玻璃基座的上表面上设置有加热部件。本发明的可变光衰减器件可满足振动环境中对器件的可靠性要求、成本低、且性能高。
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公开(公告)号：CN102117850A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010543460.0
申请日：2010-11-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0216 , H01L31/18 , B82Y40/00 , C23F1/12
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种微纳复合结构的太阳能电池及其制备方法。其中，该微纳复合结构的太阳能电池的一侧设置有：在硅基衬底上表面制作的掺杂扩散层、在所述掺杂扩散层上腐蚀获取的微米尺度吸光层；以及在所述微米尺度吸光层上刻蚀获得的纳米尺度黑硅减反射层。本发明充分利用了纳米尺度黑硅材料的超宽带低反射率特性，与微米尺度吸光层结构转化效率高、开路电压高等优点相结合，在200nm～3300nm波长范围内实现了＜1％的极低反射率超宽带硅基太阳能电池，在拓展对太阳光谱的吸收范围的前提下，能保持高的转化效率。
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