公开(公告)号：CN102062662B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201010537800.9

申请日：2010-11-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐伟 ,  陈哲 ,  郑百祥 ,  刘雷 ,  张海霞

IPC: G01L9/12 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种单片集成SiC MEMS压力传感器及其制备方法。该压力传感器包括嵌置了CMOS处理电路的第一衬底、开有压力腔的第二衬底和两衬底之间的电容感应薄膜；该薄膜由两层PECVD SiC薄膜夹上电极组成，悬浮于压力腔上；压力腔表面覆盖有下电极；压力腔上方的第一衬底部分开有深槽，露出上层的PECVD SiC薄膜；CMOS处理电路位于深槽的旁边，并与上电极接通。该传感器以低温淀积的SiC作为感应薄膜，器件性能好且适用于腐蚀性环境。同时，本发明采用post-CMOS方法加工，实现了传感器与处理电路的集成，从而提高了器件的整体精度和稳定性。

公开(公告)号：CN100593436C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200610011875.7

申请日：2006-05-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 谢有畅 ,  唐伟 ,  张佳平 ,  蒋化

IPC: B01J47/10

Abstract: 本发明公布了一种分子筛离子交换新工艺，其特征在于用N个流化床交换柱串联后轮流切换，交换溶液顺序流过，溶液流速控制在使交换柱中的分子筛悬浮流化而又不至于带出到下一个交换柱，各个交换柱按顺序轮流切换，实现交换离子高利用率的连续生产。该方法设备简单、自动化程度高，并且由于分子筛粉末处于流化状态，床层阻力小，溶液通过分子筛需要的外加能量少。此外，通过多级串联，使得交换离子的利用率大为提高，流出的废液中交换离子的含量相应地也大大减少。

公开(公告)号：CN110923650B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201911228670.8

申请日：2019-12-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 吴忠振 ,  刘亮亮 ,  吴忠灿 ,  唐伟 ,  李晓渊

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/48 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开一种DLC涂层及其制备方法。本发明中，在高能脉冲偏压下，实现了沉积与注入结合的涂层生长方法，从而实现了涂层应力的控制。采用该方法制备DLC涂层，大幅降低了DLC涂层的应力，极大提升了DLC涂层的结合力。

公开(公告)号：CN103944443B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310022144.2

申请日：2013-01-21

Applicant: 北京大学科技开发部

Inventor： 张海霞 ,  唐伟 ,  孟博

IPC: H02N1/04

CPC classification number: H02N1/04

Abstract: 本发明公开了一种级联结构发电机。包括多个震动发电机，震动发电机包括拱形摩擦单元1、拱形摩擦单元2，拱形摩擦单元1内侧凹形表面与拱形摩擦单元2内侧凹形表面分别作为摩擦面相对放置，拱形摩擦单元1的外侧凸形表面设有一电极兼支撑材料层，拱形摩擦单元2的外侧凸形表面设有一电极兼支撑材料层；包括若干组与震动发电机的电极兼支撑材料层匹配的第一几何互补形摩擦单元、第二几何互补形摩擦单元；连接两震动发电机的第一几何互补形摩擦单元以及与其连接的电极兼支撑材料层、第二几何互补形摩擦单元以及与其连接的电极兼支撑材料层构成一与震动发电机互补的震动发电机。本发明大大提高发电机的输出电压，有效提高对环境能量的收集和利用。

公开(公告)号：CN103973154B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310032306.0

申请日：2013-01-28

Applicant: 北京大学科技开发部

Inventor： 张海霞 ,  孟博 ,  唐伟

IPC: H02N1/04

CPC classification number: H02N1/04

Abstract: 本发明公开了一种单摩擦表面微型发电机及其制造方法。本发明发电机包括一绝缘基底，所述绝缘基底上表面设有表面摩擦结构层，所述绝缘基底下表面设有第一感应电极，第二感应电极；其中，第一感应电极与作为摩擦表面的表面摩擦结构层位置对应，第二感应电极位于第一感应电极外围且与第一感应电极绝缘分隔。本发明的发电机应用范围广，且制造方法工艺简单、高效、成本低、成品率高。

公开(公告)号：CN102963863A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210532035.0

申请日：2012-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 张海霞 ,  张晓升 ,  孟博 ,  朱福运 ,  唐伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种亲疏水性可调谐柔性碳化硅薄膜制备方法，采用优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，无需掩膜实现高密度纳米碳化硅球状阵列，极大增大表面面积体积比；同时由于优化DRIE工艺中钝化步骤在表面淀积的氟碳聚合物，极大降低表面能，则所制备碳化硅材料具有超疏水特性，静态接触角CA＞160°；再通过强碱性溶液腐蚀去除硅基底，则能够实现柔性碳化硅薄膜；且由于强碱性溶液腐蚀去除表面聚合物钝化层，形成裸露高密度碳化硅尖端阵列，则所制备柔性碳化硅薄膜具有超亲水特性，静态接触角CA＜1°。本发明工艺简单、成本低、产率高、可批量生产，首次实现了超疏水和超亲水可控的碳化硅材料，且为柔性薄膜材料，具有广阔的应用前景和实用价值。

公开(公告)号：CN102723270A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210187294.4

申请日：2012-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 张海霞 ,  唐伟 ,  孙旭明 ,  王子然 ,  彭旭华 ,  孟博

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种使柔性材料层表面平坦化的方法，所述柔性材料层生长于器件表面，首先根据柔性材料层所覆盖的器件表面的凹凸结构制备硬质模版；然后将该模版置于柔性材料层上，使二者对准、紧密接触并固定，在模版的图形区域柔性材料层上的凸起被露出；接着通过等离子体刻蚀方法刻蚀柔性材料层表面的凸起。该方法能将柔性材料层存在的2微米以上的高度差缩减到1微米以内，实现柔性材料层的表面平坦化。

公开(公告)号：CN102642805A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210102560.9

申请日：2012-04-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 张海霞 ,  唐伟 ,  孟博

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种制备碳化硅微纳米针尖的方法，用标准半导体工艺中的光刻和湿法腐蚀在硅片正面制得倒金字塔结构的凹陷，作为针尖的模版；然后在硅片上生长SiC薄膜，并开窗口定义出SiC针尖和悬臂梁结构；同时用光刻和湿法腐蚀(或干法刻蚀)在玻璃片的正面制作出凹槽结构；将硅片和玻璃片的图形面键合在一起；最后腐蚀去除Si衬底，释放出SiC针尖和悬臂梁结构，制得碳化硅微纳米针尖。

公开(公告)号：CN102169287B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110144874.0

申请日：2011-05-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐伟 ,  孟博 ,  张海霞

IPC: G03F1/00 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明提供一种光刻掩膜版及其制备方法，该光刻掩膜版包括衬底，在衬底的一面附着有通过等离子加强化学气相淀积方法生长而成SiC薄膜，在SiC薄膜上具有光刻模版图形，位于光刻模版图形下的衬底部分被去除，使光刻模版图形区域悬空。该掩膜版的应力在0～100MPa，且具有非常好的耐腐蚀性，将其应用于模版光刻技术，替代传统的光刻胶光刻工艺。

公开(公告)号：CN102169287A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110144874.0

申请日：2011-05-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 唐伟 ,  孟博 ,  张海霞

IPC: G03F1/14

Abstract: 本发明提供一种光刻掩膜版及其制备方法，该光刻掩膜版包括衬底，在衬底的一面附着有通过等离子加强化学气相淀积方法生长而成SiC薄膜，在SiC薄膜上具有光刻模版图形，位于光刻模版图形下的衬底部分被去除，使光刻模版图形区域悬空。该掩膜版的应力在0～100MPa，且具有非常好的耐腐蚀性，将其应用于模版光刻技术，替代传统的光刻胶光刻工艺。