公开(公告)号：CN117230344A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202310689382.2

申请日：2023-06-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 付恩刚 ,  杜进隆 ,  吴泽峰

IPC: C22C9/00 ,  B22F1/054 ,  C22C1/02 ,  C22F1/08

Abstract: 本发明属于冶金领域，提供了一种铜合金及其制备方法。所述铜合金包括铜基体和分布在其中的高熵合金纳米析出相，所述高熵合金纳米析出相包含铁元素、钴元素、镍元素和铬元素。本发明将高熵合金作为纳米析出相引入铜基体，获得的铜合金同时兼具高的电导率和导热性及强度和延展性。

公开(公告)号：CN108364856A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810162045.7

申请日：2018-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强 ,  赵云彪 ,  付恩刚 ,  王绪 ,  韩冬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供了一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法，包括以下步骤：提供多层膜衬底，所述多层膜衬底包括依次设置的Si层、SiO2层、非晶SiC层、Cu层和Ni层；所述非晶SiC层可替换为DLC膜；在所述多层膜衬底的Ni层表面进行氮离子注入，得到氮掺杂衬底；将所述氮掺杂衬底进行退火，得到氮掺杂石墨烯。本发明结合离子注入技术和固态碳源法，以非晶SiC或者DLC膜为碳源，通过氮离子注入，使氮原子和碳原子共偏析一步制备出氮掺杂的石墨烯；通过对离子注入参数的控制实现对氮原子的掺杂量的控制。实验结果表明，本发明提供的方法能够精确控制氮原子的掺杂量，得到的氮掺杂石墨烯电子迁移率可达850cm2V-1s-1。

公开(公告)号：CN119552404A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202311126194.5

申请日：2023-09-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 付恩刚 ,  姚宇樑 ,  樊勇

IPC: C08J7/12 ,  C08L27/18

Abstract: 本发明属于聚合物改性领域，提供一种提升聚四氟乙烯耐磨性的方法和交联聚四氟乙烯。该方法包括以下步骤：(1)提供聚四氟乙烯烧结块；(2)利用第一质子束对所述聚四氟乙烯烧结块进行第一辐照处理；(3)利用第二质子束对步骤(2)所得物料进行第二辐照处理；(4)冷却步骤(3)所得物料，以获得交联聚四氟乙烯。通过对聚四氟乙烯烧结块进行第一辐照处理和第二辐照处理，获得的交联聚四氟乙烯交联程度较高且分布均匀，该交联聚四氟乙烯表现出较优的耐磨损性能。

公开(公告)号：CN118854196A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410689748.0

申请日：2024-05-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 付恩刚 ,  李良忠 ,  郝立宇

IPC: C22F1/18 ,  C21D9/00 ,  A61L27/06 ,  A61L27/50

Abstract: 本发明公开了一种超细晶钛基材料及其制备方法和应用，所述制备超细晶钛基材料的方法包括：将原始钛基材料进行热拉伸处理、辊轧处理、ECAP处理和冷挤压处理，得到超细晶钛基材料。由此，得到的所述超细晶钛基材料具有优异的强度和韧性。

公开(公告)号：CN115430837A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210946131.3

申请日：2022-08-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 付恩刚 ,  郝立宇 ,  樊勇 ,  刘星 ,  申尚昆 ,  吴泽峰

IPC: B22F3/105 ,  B22F9/04 ,  G21C7/10 ,  H05H1/34

Abstract: 本发明公开了一种六角密排相纳米晶/超细晶铪及其制备方法和应用，其中制备方法包括：(1)将Hf粉在氮气气氛下进行球磨，以便得到球磨后料；(2)将所述球磨后料依次进行放电等离子预烧结和烧结处理，其中，在步骤(1)中，所述球磨时间为3h～8h；在步骤(2)中，所述预烧结的温度为400～450℃，保温时间5～10min；所述烧结的温度为750～1100℃，保温时间为3～30min。采用本申请的方法制备得到的六角密排相纳米晶/超细晶铪电导率低至3.2×105S/m，致密度高达95％以上，硬度高达15.64GPa，约为传统粗晶铪硬度的7‑8倍，从而利于Hf成为优异的空气/水蒸气等离子炬用阴极材料和核裂变反应堆用控制棒材料。

公开(公告)号：CN110273093B

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN201910505776.1

申请日：2019-06-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 付恩刚 ,  吴早明 ,  张俊

IPC: C22C27/04 ,  C22C1/05 ,  C22C1/04 ,  C22C1/10

Abstract: 本发明涉及聚变堆中面向等离子体材料技术领域，公开了一种纳米晶钨合金及其制备方法，通过将钨粉末和1wt％‑8wt％第二相金属纳米颗粒粉末掺杂混合，经高能球磨后，进行超高压通电烧结，烧结温度为1000℃‑1200℃，烧结时间为1‑6h，烧结压强为2‑13GPa，升温速率为50‑200℃/min，降温速率为50‑200℃/min，即可制备具超高硬度的平均晶粒尺寸为9‑14nm的纳米晶钨合金。本发明的技术优势在于能够有效控制烧结过程中钨晶粒的长大，这种控制作用其一在于掺杂第二相颗粒为纳米颗粒；其二在于烧结方式和烧结参数的设置，本发明首次采用了超高压通电烧结技术，超高压加载及低温烧结可以有效抑制晶粒的长大，从而成功制备出纳米晶钨基材料。

公开(公告)号：CN108359955B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201810064123.X

申请日：2018-01-23

Applicant: 北京科技大学 ,  北京大学

Inventor： 刘雄军 ,  王晶 ,  李睿 ,  胡召一 ,  王辉 ,  吴渊 ,  付恩刚 ,  吕昭平

IPC: C23C14/48 ,  C23C14/02 ,  G01N21/65

Abstract: 本发明涉及一种提高纳米多孔金属表面增强拉曼散射性能的方法，属于纳米材料领域。所述方法包括：首先以非晶合金薄带为前驱体，通过化学脱合金法制备出三维双连续的纳米多孔金属；然后采用高能金属离子辐照源对纳米多孔金属进行合适剂量的离子辐照。辐照过后的纳米多孔金属表面变粗糙，韧带变粗，孔隙变小，从而能提供更多的活性位点，可将纳米多孔金属的表面增强拉曼散射的增强因子提高2～10倍。本发明有望在化工、环境、生物医药和传感器等领域具有良好应用前景。

公开(公告)号：CN105880585A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610428021.2

申请日：2016-06-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 付恩刚 ,  梁艳霞 ,  吴早明 ,  杜进隆 ,  王佩佩

IPC: B22F1/00 ,  B22F9/04 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B22F1/0003 ,  B22F1/0018 ,  B22F9/04 ,  B22F2009/043 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米晶钨和纳米晶钨基粉末的制备方法，以粗晶钨或者粗晶钨和第二相粒子粉末作为原始球磨材料，在氮气或惰性气体的保护下进行球磨，其特征在于，采用无水乙醇作为过程控制剂，以4:1～20:1的球料比和500～900rpm转速球磨40～80h，得到晶粒尺寸在30nm以下(最小晶粒尺寸达到3nm)的纳米晶钨和纳米晶钨基粉末。相比于其它方法，本发明制备的钨粉具有更小的晶粒尺寸以及更高的表面能，可以用于制备力学性能和抗辐照性能优异的纳米晶钨和纳米晶钨基块体材料，包括但不限于应用于聚变堆中面向等离子体材料，特别是聚变堆中第一壁和偏滤器及限制器材料。