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公开(公告)号：CN117723575A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311616789.9
申请日：2023-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/207 , G01N23/203 , G01N23/20 , G01N23/04 , G01N23/2251
Abstract: 本发明属于材料缺陷表征领域，提供一种评估材料辐照损伤程度的方法，包括以下步骤：(1)提供辐照样品；(2)利用EBSD获取所述辐照样品的晶粒取向信息，并根据所述晶粒取向，挑选目标晶粒，调整电子枪加速电压值和所述辐照样品的位置，以对所述目标晶粒进行ECCI表征；(3)对比S/TEM表征结果中所述辐照样品缺陷的总面密度ρ1与ECCI表征结果中所述辐照样品缺陷的总面密度ρ2是否满足|ρ1‑ρ2|≤1×1017个/m2，若否，则执行步骤(4)；(4)调整电子枪加速电压，以对所述目标晶粒进行ECCI表征；(5)重复步骤(3)‑(4)，直至ρ1和ρ2满足|ρ1‑ρ2|≤1×1017个/m2。由此，该方法可以便捷地评估块体材料的辐照损伤程度，并快速筛查经离子辐照后的材料。
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公开(公告)号：CN115430837A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210946131.3
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种六角密排相纳米晶/超细晶铪及其制备方法和应用，其中制备方法包括：(1)将Hf粉在氮气气氛下进行球磨，以便得到球磨后料；(2)将所述球磨后料依次进行放电等离子预烧结和烧结处理，其中，在步骤(1)中，所述球磨时间为3h～8h；在步骤(2)中，所述预烧结的温度为400～450℃，保温时间5～10min；所述烧结的温度为750～1100℃，保温时间为3～30min。采用本申请的方法制备得到的六角密排相纳米晶/超细晶铪电导率低至3.2×105S/m，致密度高达95％以上，硬度高达15.64GPa，约为传统粗晶铪硬度的7‑8倍，从而利于Hf成为优异的空气/水蒸气等离子炬用阴极材料和核裂变反应堆用控制棒材料。
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公开(公告)号：CN116275012A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310152701.6
申请日：2023-02-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米晶铪及其制备方法和应用，所述纳米晶铪在1000℃‑1100℃下的电子发射密度为0.00134A/m2‑0.01827A/m2。该纳米晶铪具有优异的热电子发射性能，从而为空气/水蒸气等离子炬用阴极材料和核裂变反应堆用控制棒提供了有力保证。
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公开(公告)号：CN119800162A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411771956.1
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高抗辐照铝合金材料及其制备方法。所述高抗辐照铝合金材料含有铝元素、镍元素、钴元素、铁元素和铬元素，铝元素、镍元素、钴元素、铁元素和铬元素的摩尔比为(90～96):(1～2.5):(1～2.5):(1～2.5):(1～2.5)，所述高抗辐照铝合金材料包括基体和纤维相，所述纤维相分布在所述基体中，镍元素、钴元素、铁元素、铬元素富集在所述纤维相中。由此，该高抗辐照铝合金材料兼具多组元合金及铝合金的优点，密度低，并且，具有较高的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN115430837B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202210946131.3
申请日：2022-08-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种六角密排相纳米晶/超细晶铪及其制备方法和应用，其中制备方法包括：(1)将Hf粉在氮气气氛下进行球磨，以便得到球磨后料；(2)将所述球磨后料依次进行放电等离子预烧结和烧结处理，其中，在步骤(1)中，所述球磨时间为3h～8h；在步骤(2)中，所述预烧结的温度为400～450℃，保温时间5～10min；所述烧结的温度为750～1100℃，保温时间为3～30min。采用本申请的方法制备得到的六角密排相纳米晶/超细晶铪电导率低至3.2×105S/m，致密度高达95％以上，硬度高达15.64GPa，约为传统粗晶铪硬度的7‑8倍，从而利于Hf成为优异的空气/水蒸气等离子炬用阴极材料和核裂变反应堆用控制棒材料。
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