公开(公告)号：CN110550869A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910966638.3

申请日：2019-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强 ,  赵云彪 ,  李越

IPC: C03C23/00 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明涉及石墨烯制备技术领域，提供了一种离子注入辅助制备石墨烯玻璃的方法。本发明提供的方法包括以下步骤：在玻璃衬底上进行金属离子注入，得到金属离子掺杂的玻璃；在金属离子掺杂的玻璃表面进行化学气相沉积，直接得到石墨烯玻璃。本发明使用离子注入技术，将金属离子引入到玻璃表面，在石墨烯生长过程中，注入的金属离子在表面析出并有效地提升玻璃表面对于碳源的裂解能力，进一步促进石墨烯晶畴的成核和生长。实验结果表明，本发明提供的方法能够有效控制石墨烯的层数和改善石墨烯的质量，得到的石墨烯玻璃的光学透过率为79.9％～95.2％，面电阻为2.31～7.84kΩ/sq。

公开(公告)号：CN1268672A

公开(公告)日：2000-10-04

申请号：CN99126623.4

申请日：1999-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强

IPC: G02B1/00 ,  G02F1/01

Abstract: 本发明是利用磁控溅射产生金属团簇和蒸发介质的方法,将产生的纳米Cu团簇嵌埋在绝缘介质CaF2中,可以直接形成金属/绝缘体嵌埋团簇膜,制备方法简单实用。金属/绝缘体嵌埋团簇膜有较大第三级非线性系数,由Kerr效应测量结果表明,Cr/CaF2复合膜的光电响应时间小于150fs,该膜是一种很好的光电开关材料,在未来光子电子器件中将作为快速光电响应材料有着极为广泛的用途。

公开(公告)号：CN119530856A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411583005.1

申请日：2024-11-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强 ,  李越 ,  冯雪廷 ,  徐杨

IPC: C25B11/081 ,  C25B11/075 ,  C25B11/091 ,  C25B11/061 ,  C25B11/065 ,  C25B11/052 ,  C25B1/04 ,  C23C14/48 ,  C23C14/18 ,  C23C14/16

Abstract: 本发明提供了一种离子注入加载催化剂的方法及制备的催化剂和应用，属于电化学产氢技术领域。本发明在集流体或载体材料表面进行金属离子注入，带来两种不同的效应，包括能量效应和质量效应，能量效应指金属离子注入会在集流体或载体材料上引入缺陷位点等，辅助催化或者辅助锚定注入的离子；质量效应指通过金属离子注入的方式在集流体或载体材料上引入催化剂原子，加载的催化剂的存在形式为单原子或少原子团簇，该方法可以在减少催化剂加载量的同时增加催化剂的比表面积，来降低过电位，提高催化性能。同时，该方法是一种普适的催化剂加载方法。实施例的结果显示，本发明制备的催化剂在加载量为5wt％时可达到20wt％商业Pt/C才能够实现的过电位。

公开(公告)号：CN117623282A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202210979953.1

申请日：2022-08-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 张锦 ,  谢颖 ,  李越 ,  钱柳 ,  赵子强

IPC: C01B32/159 ,  C01B32/162

Abstract: 本发明公开一种单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。其制备方法，包括：S1，对单晶蓝宝石基底表面进行重构；S2，通过离子注入将催化剂前体注入经过重构的单晶蓝宝石基底；及S3，将经过离子注入后的基底放置于竖直喷淋化学气相沉积设备中，使其垂直于竖直喷淋的气流进行气相沉积生长单壁碳纳米管。本发明的单壁碳纳米管水平阵列的生长面积可达一英寸，密度最高可达140根/微米，且表现出超高质量。该制备方法结合了激光划刻技术、离子注入技术以及竖直喷淋设备，实现了蓝宝石单晶基底的表面重构、其上催化剂分布以及气流与基底作用模式的同步优化，从而显著提升了单壁碳纳米管水平阵列的生长尺寸、密度和均匀性，且该方法具有可控、稳定、易放大等特点。

公开(公告)号：CN108364856A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810162045.7

申请日：2018-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强 ,  赵云彪 ,  付恩刚 ,  王绪 ,  韩冬

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供了一种离子注入制备氮掺杂石墨烯的方法，包括以下步骤：提供多层膜衬底，所述多层膜衬底包括依次设置的Si层、SiO2层、非晶SiC层、Cu层和Ni层；所述非晶SiC层可替换为DLC膜；在所述多层膜衬底的Ni层表面进行氮离子注入，得到氮掺杂衬底；将所述氮掺杂衬底进行退火，得到氮掺杂石墨烯。本发明结合离子注入技术和固态碳源法，以非晶SiC或者DLC膜为碳源，通过氮离子注入，使氮原子和碳原子共偏析一步制备出氮掺杂的石墨烯；通过对离子注入参数的控制实现对氮原子的掺杂量的控制。实验结果表明，本发明提供的方法能够精确控制氮原子的掺杂量，得到的氮掺杂石墨烯电子迁移率可达850cm2V-1s-1。

公开(公告)号：CN1100269C

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN99126623.4

申请日：1999-12-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强

IPC: G02B1/00 ,  G02F1/01 ,  C23C14/00

Abstract: 本发明是利用磁控溅射产生金属团簇和蒸发介质的方法，将产生的纳米Cu团簇嵌埋在绝缘介质CaF2中，可以直接形成金属/绝缘体嵌埋团簇膜，制备方法简单实用。金属/绝缘体嵌埋团簇膜有较大第三级非线性系数，由Kerr效应测量结果表明，Cu/CaF2复合膜的光电响应时间小于150fs，该膜是一种很好的光电开关材料，在未来光子电子器件中将作为快速光电响应材料有着极为广泛的用途。

公开(公告)号：CN110590173A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910992686.X

申请日：2019-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强 ,  李越 ,  赵云彪

IPC: C03C17/22 ,  C01B32/186 ,  C03C17/36 ,  H05B3/14 ,  H05B3/84

Abstract: 本发明涉及石墨烯制备及应用领域，提供了一种金属纳米颗粒辅助制备石墨烯玻璃的方法及一种石墨烯玻璃和一种除雾玻璃。本发明提供的方法包括以下步骤：将金属纳米颗粒分散液预置在玻璃衬底上，去除溶剂后得到预处理衬底；在预处理衬底表面进行化学气相沉积，在衬底表面得到高质量石墨烯，从而得到石墨烯玻璃。本发明利用金属纳米颗粒进行辅助催化，大幅提升了玻璃表面碳源的裂解能力，并有效提高了石墨烯晶畴的成核及生长速率。实验结果表明，本发明提供的方法得到的石墨烯玻璃的光学透光率较高，其面电阻较低，具有良好的导电性能，所得除雾玻璃能够在10s内实现除雾。

公开(公告)号：CN110550869B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201910966638.3

申请日：2019-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 赵子强 ,  赵云彪 ,  李越

IPC: C03C23/00 ,  C03C17/22

Abstract: 本发明涉及石墨烯制备技术领域，提供了一种离子注入辅助制备石墨烯玻璃的方法。本发明提供的方法包括以下步骤：在玻璃衬底上进行金属离子注入，得到金属离子掺杂的玻璃；在金属离子掺杂的玻璃表面进行化学气相沉积，直接得到石墨烯玻璃。本发明使用离子注入技术，将金属离子引入到玻璃表面，在石墨烯生长过程中，注入的金属离子在表面析出并有效地提升玻璃表面对于碳源的裂解能力，进一步促进石墨烯晶畴的成核和生长。实验结果表明，本发明提供的方法能够有效控制石墨烯的层数和改善石墨烯的质量，得到的石墨烯玻璃的光学透过率为79.9％～95.2％，面电阻为2.31～7.84kΩ/sq。