公开(公告)号：CN102903625B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201210397259.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  云全新 ,  李敏 ,  王佳鑫 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。

公开(公告)号：CN102881562A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210383308.X

申请日：2012-10-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  林猛 ,  李敏 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底的表面钝化方法，属于半导体器件表面钝化方法。该方法包括：1）对半导体锗衬底表面进行清洗，以去除表面沾污和自然氧化层；2）将锗基片放入等离子体腔内；3）利用多键原子对应的反应气体产生等离子体并对锗片进行等离子体浴处理；4）淀积栅介质，进行后续工艺以制备MOS电容或器件。本发明利用等离子体浴的办法，使多键原子和锗表面原子悬挂键结合，而不生成含锗的界面层。从而既钝化了表面悬挂键从而降低界面态，又利用该多键原子与锗表面相邻的锗原子的多键连接，降低锗表面原子脱离锗衬底表面而扩散的几率，达到加固锗表面原子和有效抑制表面锗原子的外扩散效果；同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。

公开(公告)号：CN101866859B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010219177.2

申请日：2010-07-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明涉及CMOS超大集成电路，是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间，插入形变介质层，利用直接与衬底接触的形变介质层，诱使沟道发生应变，用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为，利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变，可用于提升沟道电子迁移率；利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变，可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性，同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件短沟效应抑制能力。

公开(公告)号：CN101924139B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010219179.1

申请日：2010-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  艾玉杰 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849

Abstract: 本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极，其特征在于，所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层，包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部，该复合隔离层又分为两层，即与衬底直接接触的“L”形绝缘薄层和与源漏直接接触的“L”形高应力层。该结构的场效应晶体管通过高应力层在沟道中引入应力，提高了载流子的迁移率，同时从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件的短沟效应抑制能力。

公开(公告)号：CN102270598A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110240190.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。

公开(公告)号：CN102136428A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110026949.5

申请日：2011-01-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志强 ,  郭岳 ,  安霞 ,  云全新 ,  黄英龙 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0895 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同时还能够对锗界面的悬挂键进行钝化；另一方面，由于绝缘介质层的厚度非常薄，电子基本上可以自由通过，所以不会明显增加源漏的寄生电阻。通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。

公开(公告)号：CN103151254A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310084986.0

申请日：2013-03-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  李志强 ,  安霞 ,  黎明 ,  云全新 ,  李敏 ,  刘朋强 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/28537 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/806 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明公布了一种锗基肖特基结的制备方法，包括：对N型锗基衬底进行表面清洗，然后在其表面淀积一层CeO2，再淀积一层金属。稀土气化物CeO2与锗衬底接触，可在界面处形成稳定的Ce-O-Ge键，有利于降低界面态密度低，提高界面质量，并减小MIGS，抑制费米级钉扎。同时，CeO2在其金属与锗衬底之间引入的隧穿电阻相对于Si3N4、Al2O3、Ge3N4等情况要小。鉴于与锗衬底良好的界面特性与小的导带偏移量，CeO2介质层的插入适合制备低电阻率的锗基肖特基结。

公开(公告)号：CN102903625A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210397259.5

申请日：2012-10-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  云全新 ,  李敏 ,  王佳鑫 ,  安霞 ,  黎明 ,  张兴

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开了一种锗基衬底表面钝化方法，先对锗基衬底进行表面清洗，然后将其放入等离子体腔内，利用多键原子对应的反应气体产生等离子体，对锗基衬底表面进行等离子体浴处理，并且在等离子体浴处理过程中施加引导电场，引导等离子体漂移至锗基衬底表面。该处理使活性的多键原子和锗表面原子形成共价键连接，而不生成含锗化合物的界面层，从而既钝化了表面悬挂键，又降低了锗表面原子脱离锗基衬底表面而扩散的几率，同时不会引入界面层而不利于EOT的减薄。而且，施加引导电场能有效抑制锗亚氧化物的形成，提高钝化效率，减小界面态密度。

公开(公告)号：CN101924139A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010219179.1

申请日：2010-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  艾玉杰 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/7849

Abstract: 本发明公开了一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括衬底、源漏、栅介质层和栅极，其特征在于，所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层，包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部，该复合隔离层又分为两层，即与衬底直接接触的“L”形绝缘薄层和与源漏直接接触的“L”形高应力层。该结构的场效应晶体管通过高应力层在沟道中引入应力，提高了载流子的迁移率，同时从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件的短沟效应抑制能力。

公开(公告)号：CN101866859A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010219177.2

申请日：2010-07-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明涉及CMOS超大集成电路，是一种沟道应力引入方法及采用该方法制备的场效应晶体管。本发明在场效应晶体管的源/漏区与衬底之间，插入形变介质层，利用直接与衬底接触的形变介质层，诱使沟道发生应变，用于提升沟道载流子迁移率和器件性能。具体效果为，利用具有张应变的形变介质层可以诱使沟道发生张应变，可用于提升沟道电子迁移率；利用具有压应变的形变介质层可以诱使沟道发生压应变，可用于提升沟道空穴迁移率。本发明既可以保证沟道应力引入的有效性，同时又从根本上改善了场效应晶体管的器件结构，提升了器件短沟效应抑制能力。