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公开(公告)号：CN105590847A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410648558.0
申请日：2014-11-14
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , B81B7/02 , B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构，包括以下步骤：采用刻蚀工艺在被加工工件的被加工面获得微结构；在所述微结构的侧壁和底部沉积保护层；采用各向异性刻蚀工艺去除所述微结构的底部的所述保护层；采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述微结构的底部至所需深度；采用各向同性刻蚀工艺释放所述微结构的下方以释放所述微结构。该微结构释放的方法简单，加工成本低。另外，本发明还提供一种深硅刻蚀微结构。
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公开(公告)号：CN105470193A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410456704.X
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种金属钼材料的刻蚀方法。该刻蚀方法包括以下步骤：在金属钼材料上形成刻蚀掩膜；使用Cl2作为刻蚀气体，对金属钼材料进行刻蚀。通过本发明实施例的刻蚀方法，可以获得较高的刻蚀选择比，节约了光刻胶的用量，提高了刻蚀效率。
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公开(公告)号：CN102468105B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201010532812.2
申请日：2010-11-01
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 蒋中伟
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种电感耦合等离子体装置，包括：反应腔室；电感耦合线圈；静电卡盘，所述静电卡盘设置在所述反应腔室内，用于支撑待处理晶片；气体抽吸单元，所述气体抽吸单元与所述反应腔室相连接，用于对所述反应腔室抽真空；以及气体供给通路，所述气体供给通路选择性地与所述反应腔室和所述气体抽吸单元相连通。本发明的电感耦合等离子体装置可以减少了上步工艺残余气体对刻蚀效果的影响，从而提高了晶片生产的良品率。
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公开(公告)号：CN103887164A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210558737.6
申请日：2012-12-20
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 蒋中伟
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开一种深硅刻蚀方法，该方法包括：沉积步骤，生成保护层以对刻蚀侧壁进行保护；刻蚀步骤，对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；重复所述沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀过程结束；其中，还包括底部平滑步骤，所述底部平滑步骤为：利用含氟气体执行等离子体处理，以去除刻蚀底部由于沉积产生的聚合物；并且，所述底部平滑步骤采用的工艺压力小于所述刻蚀步骤采用的工艺压力，在整个深硅刻蚀过程中执行所述底部平滑步骤至少一次。通过上述深硅刻蚀方法，在深硅刻蚀过程中抑制了刻蚀底部聚合物的逐渐增加，抑制微掩膜或者硅草的产生，从而提高深硅刻蚀的刻蚀速率以及选择比，并改善刻蚀底部的粗糙度。
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公开(公告)号：CN104370268B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310359176.1
申请日：2013-08-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 蒋中伟
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/3065 , B81B2203/033 , B81B2203/0376 , B81C1/00103
Abstract: 本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：顶部圆角刻蚀步骤，向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启激励电源和偏压电源，以在基片的位于掩膜与基片交界处刻蚀形成侧壁顶部具有圆角的沟槽；基片刻蚀步骤，继续向反应腔室内通入刻蚀气体，并保持激励电源和偏压电源开启，或者仅关闭偏压电源，以使沟槽达到预定深度；其中，刻蚀气体为碳氟类或碳氢氟类气体中的至少一种气体、氧气以及不含碳和氢的氟类气体的混合气体。本发明提供的基片刻蚀方法，其不仅可以获得顶部具有圆滑圆角的、倾斜的侧壁形貌，而且可以提高刻蚀深度和刻蚀速率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105470104A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410456701.6
申请日：2014-09-09
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种刻蚀方法，用以去除孔底部的绝缘层，包括以下步骤：对孔底部进行刻蚀；采用第一清理气体，在第一压力和第一偏压射频功率的条件下对孔进行第一等离子体清理；以及采用第二清理气体，在第二压力和第二偏压射频功率的条件下对孔进行第二等离子体清理，其中，第一压力大于第二压力，第一偏压射频功率小于第二偏压射频功率。本发明实施例的刻蚀方法具有简单易行、得到的孔表面粗糙度低且损伤少等优点。
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公开(公告)号：CN105097488A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410208594.5
申请日：2014-05-16
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供的硅片刻蚀方法，其包括以下步骤：硅片刻蚀步骤，在具有预设厚度的硅片上表面刻蚀斜槽或斜孔，且该预设厚度大于工艺所需的目标厚度；研磨步骤，自硅片上表面研磨硅片，以使硅片的厚度整体减薄至目标厚度。本发明提供的硅片刻蚀方法，其不仅可以避免出现over-hang以及顶部锯齿的现象，而且可以增大刻蚀工艺参数的可调范围，从而可以提高工艺结果的稳定性。
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公开(公告)号：CN104952788A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410119631.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种斜孔刻蚀方法，其包括下述步骤：S1，采用可提高沉积速率与刻蚀速率之比的第一偏压功率，刻蚀硅片至第一预设深度，用以降低在斜孔侧壁的顶部形成的碗状形貌的厚度；S2，采用第二偏压功率，继续刻蚀硅片至第二预设深度，且第二偏压功率大于第一偏压功率，用以提高刻蚀速率。上述斜孔刻蚀方法可以在较短的时间内刻蚀出顶部碗状形貌较小的斜孔，从而提高了斜孔刻蚀的效率，并改善了斜孔侧壁的形貌。
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公开(公告)号：CN104671193A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310643211.2
申请日：2013-12-03
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：首先将涂有光刻胶的硅晶片放入刻蚀设备的腔室中，采用Bosh刻蚀工艺，获得具有陡直深沟槽形貌的硅晶片；然后去除硅晶片表面剩余的光刻胶；最后在所述刻蚀设备的腔室中对硅晶片进行顶部开口刻蚀，获得具有V型顶部形貌的硅晶片。其保证了得到的硅晶片具有顶部V型开口、中部和底部陡直、底部光滑的形貌；且该方法步骤简单，容易实现。
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公开(公告)号：CN103832965A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210482401.6
申请日：2012-11-23
Applicant: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
Inventor： 蒋中伟
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L21/32137 , B81C1/00531 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , H01L21/30655
Abstract: 本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积作业，用以在硅槽侧壁上沉积聚合物；刻蚀作业，用以对所述硅槽侧壁进行刻蚀；重复所述沉积作业和刻蚀作业至少两次；其中，在完成所述刻蚀作业的所有循环次数的过程中，反应腔室的腔室压力按预设规则由预设的最高压力值降低至最低压力值。本发明提供的基片刻蚀方法能够避免产生侧壁伤害的问题，从而可以使侧壁形貌光滑。
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