抑制电力电子变换器的电磁干扰新型混沌控制方法

    公开(公告)号:CN104901529A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510325190.9

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 本发明提出一种抑制电力电子变换器的电磁干扰新型混沌控制方法,包括以下步骤:根据多涡卷多翅膀混沌系统状态方程生成多涡卷多翅膀混沌吸引子,并根据混沌吸引子得到多涡卷多翅膀混沌系统的状态变量;对多涡卷多翅膀混沌系统的状态变量进行采样,以得到混沌序列;根据混沌序列得到频率混沌变化的混沌载波信号,其中,混沌载波信号的频率通过如下公式表示:fc=fr+xi·Δf,xi∈(-1,1),i=1,2,…,其中,fc为混沌载波信号的频率,fr为基准载波频率,Δf为最大频率波动值,xi为混沌序列;根据混沌脉宽调制信号与混沌载波信号生成混沌脉冲宽度调制PWM控制信号,以控制电力电子变换器。本发明的方法能够更为有效的抑制电力电子变换器的电磁干扰,提高电力电子变换器的电磁兼容性。

    基于编程的电力电子变换器自动时域建模方法及装置

    公开(公告)号:CN118133500A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410083499.0

    申请日:2024-01-19

    Abstract: 本发明公开了基于编程的电力电子变换器自动时域建模方法及装置,该方法包括:将电力电子变换器的器件连接关系表示为连接矩阵;将连接矩阵转化为相应的有向图和无向图,并分析有向图和无向图得到电力电子变换器每个模态的割集矩阵和环路矩阵;利用割集矩阵和环路矩阵推导出对应的Kirchhoff电流定律方程组和Kirchhoff电压定律方程组;通过状态空间平均法对Kirchhoff电流定律方程组和Kirchhoff电压定律方程组进行平均处理,得到最终的状态方程组和雅可比矩阵。本发明能够显著提高复杂变换器系统状态方程组及其雅可比矩阵的获取速度和保证所得系统状态方程组及其雅可比矩阵的正确性。

    基于非谐振软开关的两级式升压逆变器

    公开(公告)号:CN115037181B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202210513957.0

    申请日:2022-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于非谐振软开关的两级式升压逆变器,该逆变器包括:输入电源、第一电感、第一开关管、第一电容、第一二极管、第二电感、第二电容、第二二极管、第三二极管、第三电容、第二开关管、第三开关管、第四开关管和第五开关管,其中,输入电源与第一电感、第一电容、第一开关管和第二二极管相连;第一电感与第一开关管、第一二极管和第二电容相连;第一电容与第二电感相连;第一二极管与第三二极管和第二电感相连;第三二极管与第二开关管、第三开关管和第三电容相连;第二二极管与第二电容、第四开关管和第五开关管相连;第二开关管与第四开关管相连;第三开关管与第五开关管相连。该逆变器在提高功率密度的同时保证了转换效率。

    基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路

    公开(公告)号:CN112946447B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110043527.2

    申请日:2021-01-13

    Abstract: 本申请提出一种基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路,涉及电力电子技术领域,包括:电压互感器(PT)一次侧并联在电力电子电路中的SiC MOSFET的漏极和源极;积分电阻(R)一端与电压互感器(PT)二次侧一端连接,积分电阻(R)另一端、积分电容(C)一端、开关管(S1)一端与运算放大器的反相输入端连接;电压互感器(PT)的二次侧的另一端和运算放大器同相输入端接地,积分电容(C)另一端、开关管(S1)另一端与运算放大器的输出端连接,运算放大器的输出端与比较器的反相输入端连接,比较器的同相输入端与参考电压连接。由此,可以快速检测SiC MOSFET短路情况并输出短路信号,且母线电压越大时短路保护动作越迅速,能够提高电力电子系统的可靠性。

    基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路

    公开(公告)号:CN112953174A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110184242.0

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 本申请提出一种基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路,涉及电力电子技术领域,钳位有源驱动电路包括:驱动推挽电路、驱动电阻Rg、dv/dt检测电路和钳位电路,可以通过检测dv/dt变化率,将其转化为电压信号并作为钳位电路的输入,通过钳位电路使得被驱动功率SiC MOSFET栅源电压在受到干扰后能快速稳定至关断偏置电压VEE,解决高频大功率变换器中SiC MOSFET应用中出现的串扰问题,可以保护被驱动SiC MOSFET在发生正向串扰时不会误导通,在发生负向串扰时不会过压击穿,有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源极电压产生的串扰问题。

    抑制电力电子变换器的电磁干扰混沌控制方法

    公开(公告)号:CN104901529B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201510325190.9

    申请日:2015-06-12

    Abstract: 本发明提出一种抑制电力电子变换器的电磁干扰混沌控制方法,包括以下步骤:根据多涡卷多翅膀混沌系统状态方程生成多涡卷多翅膀混沌吸引子,并根据混沌吸引子得到多涡卷多翅膀混沌系统的状态变量;对多涡卷多翅膀混沌系统的状态变量进行采样,以得到混沌序列;根据混沌序列得到频率混沌变化的混沌载波信号,其中,混沌载波信号的频率通过如下公式表示:fc=fr+xi·Δf,xi∈(‑1,1),i=1,2,...,其中,fc为混沌载波信号的频率,fr为基准载波频率,Δf为最大频率波动值,xi为混沌序列;根据混沌脉宽调制信号与混沌载波信号生成混沌脉冲宽度调制PWM控制信号,以控制电力电子变换器。本发明的方法能够更为有效的抑制电力电子变换器的电磁干扰,提高电力电子变换器的电磁兼容性。

    一种基于编程的直流变换器拓扑自动寻优与推荐方法

    公开(公告)号:CN119691944A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411523139.4

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本发明提出一种基于编程的直流变换器拓扑自动寻优与推荐方法,该方法包括确定工程需求和工程所需直流变换器拓扑图的器件类型和器件数量,利用基于顶点素数度的直流变换器拓扑图构建方法生成第一表,第一表包括多种直流变换器拓扑图;利用预设第一条件对第一表中的直流变换器拓扑图进行结构分类生成第二表;利用预设第二条件对第一表中的直流变换器拓扑图进行纹波分类生成第三表;利用预设第三条件对第一表中的直流变换器拓扑图进行增益分类生成第四表;利用工程需求、第二表、第三表和第四表对第一表中的直流变换器拓扑图进行筛选生成第五表;利用预设第四条件对第五表中的直流变换器拓扑图进行筛选生成第六表,第六表包括最佳直流变换器拓扑图。

    一种基于模态重构的开关变换器拓扑衍生方法和装置

    公开(公告)号:CN114640254B

    公开(公告)日:2024-11-12

    申请号:CN202111451875.X

    申请日:2021-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种基于模态重构的开关变换器拓扑衍生方法和装置,其中,该方法包括:设定目标开关变换器输入、输出及无源支路的数量与类型,以及模态数量;使用设定的输入、输出及无源支路,进行结构初始化得到回路结构表;选择回路结构表中符合第一预设条件的回路,得到第一结构表;对第一结构表中结构添加器件实际方向,得到第二结构表;基于模态数量,从第二结构表中选取预设的模态数量的回路结构进行组合得到第三结构表;对第三结构表进行第二预设条件筛选得到第四结构表;对第四结构表添加开关器件还原实际开关变换器。本发明能够针对开关变换器进行拓扑的衍生,实现使用计算机程序方式实现PWM型开关变换器拓扑的衍生功能。

    电力电子变换器传导电磁干扰全频域建模仿真方法及设备

    公开(公告)号:CN118862407A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410739467.1

    申请日:2024-06-07

    Abstract: 本公开实施例提供一种电力电子变换器传导电磁干扰全频域建模仿真方法及设备,该方法针对现有方法难以精确的预测电力电子设备产生的全频域传导电磁干扰噪声的问题,通过分析电力电子设备传导电磁干扰关键影响因素,搭建高频等效模型,从而建立电力电子变换器传导电磁干扰全频域仿真模型,去仿真预测电力电子设备传导电磁干扰噪声,有利于电力电子设备的电磁兼容设计,解决了电力电子设备传导电磁干扰全频域仿真建模难题,节省电磁兼容测试时间和成本。

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