公开(公告)号：CN112946447B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202110043527.2

申请日：2021-01-13

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  王玉婷 ,  邵天骢 ,  张波 ,  郑琼林

IPC: G01R31/26

Abstract: 本申请提出一种基于漏源导通电压积分的SiC MOSFET短路检测电路，涉及电力电子技术领域，包括：电压互感器(PT)一次侧并联在电力电子电路中的SiC MOSFET的漏极和源极；积分电阻(R)一端与电压互感器(PT)二次侧一端连接，积分电阻(R)另一端、积分电容(C)一端、开关管(S1)一端与运算放大器的反相输入端连接；电压互感器(PT)的二次侧的另一端和运算放大器同相输入端接地，积分电容(C)另一端、开关管(S1)另一端与运算放大器的输出端连接，运算放大器的输出端与比较器的反相输入端连接，比较器的同相输入端与参考电压连接。由此，可以快速检测SiC MOSFET短路情况并输出短路信号，且母线电压越大时短路保护动作越迅速，能够提高电力电子系统的可靠性。

公开(公告)号：CN111460748B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202010212540.1

申请日：2020-03-24

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  王玉婷 ,  蒋艳锋 ,  曾洋斌

IPC: G06F30/33

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法，其中，方法包括：获取SiC MOSFET的静态特性、瞬态热阻抗和短路波形；根据瞬态热阻抗建立热模型，并且由热模型和短路波形得到SiC MOSFET短路时的结温特性；根据短路持续时间逐渐增加时的漏源电流波形得到泄漏电流波形和沟道电流波形；根据SiC MOSFET的静态特性和结温特性建立沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结温特性建立漏源极泄漏电流模型；根据沟道电流模型和泄漏电流模型得到SiC MOSFET短路仿真模型。本发明实施例可以得到可适用于正常工况和短路情况下的SiC MOSFET仿真模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，为驱动电路的短路保护电路设计提供了指导，降低电路设计成本。

公开(公告)号：CN111460748A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010212540.1

申请日：2020-03-24

Applicant: 北京交通大学

Inventor： 李虹 ,  王玉婷 ,  蒋艳锋 ,  曾洋斌

IPC: G06F30/33

Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET短路仿真模型的建立方法，其中，方法包括：获取SiC MOSFET的静态特性、瞬态热阻抗和短路波形；根据瞬态热阻抗建立热模型，并且由热模型和短路波形得到SiC MOSFET短路时的结温特性；根据短路持续时间逐渐增加时的漏源电流波形得到泄漏电流波形和沟道电流波形；根据SiC MOSFET的静态特性和结温特性建立沟道电流模型；根据SiC MOSFET的结温特性建立漏源极泄漏电流模型；根据沟道电流模型和泄漏电流模型得到SiC MOSFET短路仿真模型。本发明实施例可以得到可适用于正常工况和短路情况下的SiC MOSFET仿真模型，进而更好地应用于电力电子电路仿真，为驱动电路的短路保护电路设计提供了指导，降低电路设计成本。