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公开(公告)号：CN112290778B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202011102501.2
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路，用于功率半导体器件Q的关断，连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间，包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络，功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态，改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗，稳定功率半导体器件Q的栅源电压；所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性，利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性，采用一路驱动信号，就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
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公开(公告)号：CN112434401B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202011102502.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
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公开(公告)号：CN112290778A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011102501.2
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路，用于功率半导体器件Q的关断，连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间，包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络，功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态，改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗，稳定功率半导体器件Q的栅源电压；所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性，利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性，采用一路驱动信号，就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。
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公开(公告)号：CN117647715A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311428304.3
申请日：2023-10-31
Applicant: 北京交通大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET阈值电压在线检测方法，用于在线检测SiC MOSFET的阈值电压，包括：电流采样单元、阈值电流识别单元和阈值电压生成单元，所述电流采样单元连接至所述阈值电流识别单元，所述阈值电流识别单元连接至所述阈值电压生成单元，所述电流采样单元分别连接所述碳化硅器件的栅极以及漏极；所述电流采样单元对碳化硅器件的栅极电流和漏极电流分别进行采样，通过阈值电流识别单元进行放大，通过阈值电压生成单元获取到碳化硅器件的阈值电压，在不改变功率变换器的功率电路和驱动电路的基础上，能够实现对SiC MOSFET阈值电压的实时在线检测。
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公开(公告)号：CN112953174A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110184242.0
申请日：2021-02-08
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本申请提出一种基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路，涉及电力电子技术领域，钳位有源驱动电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻Rg、dv/dt检测电路和钳位电路，可以通过检测dv/dt变化率，将其转化为电压信号并作为钳位电路的输入，通过钳位电路使得被驱动功率SiC MOSFET栅源电压在受到干扰后能快速稳定至关断偏置电压VEE，解决高频大功率变换器中SiC MOSFET应用中出现的串扰问题，可以保护被驱动SiC MOSFET在发生正向串扰时不会误导通，在发生负向串扰时不会过压击穿，有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源极电压产生的串扰问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112446131A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011101998.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化；验证杂散电感是否足够小，以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比；设计辅助并联电容标幺值，使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下，获得适度的、持续时间较短的过渡过程，确保辅助并联电容不会过度影响开关速度；设计驱动电阻标幺值，均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡，并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。
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公开(公告)号：CN112434400A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011101993.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。
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公开(公告)号：CN112421940B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202011102468.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路，用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理，在不牺牲开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括：驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片，驱动电阻为电阻R，辅助电容为电容C，辅助MOSFET为P沟道MOSFET Qp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单，易于实现，可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下，自动抑制栅源电压干扰，实现高速开关下的栅压稳定。
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公开(公告)号：CN112614826A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011565442.2
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
IPC: H01L25/07 , H03K19/0175
Abstract: 本发明提供了一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路,包括主功率单元以及辅助稳定单元，所述主功率单元为第一MOSFETQ1，所述辅助稳定单元为第二MOSFETQ2；在较高的漏源电压电流变化率条件下，保持MOSFET栅源电压稳定性，让MOSFET获得鲁棒免疫高开关速度干扰的特性。采用该功率半导体器件的电力电子变换器系统能够可靠工作于更高频率、更高电压的环境。
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公开(公告)号：CN112436725B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202011102001.9
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFET(Q1)，被驱动功率MOSFET(Q1)通过驱动芯片作开关动作，包括一驱动管(Q2)；通过驱动管(Q2)的跨导增益，经过被驱动功率MOSFET(Q1)内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFET(Q1)的寄生输入电容充放电，基于跨导增益构建负反馈调节机制，在外界干扰下，控制栅源电压保持稳定，同时抑制栅源电压正向和负向电压发散振荡。
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