一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路

    公开(公告)号:CN112290778B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202011102501.2

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路,用于功率半导体器件Q的关断,连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间,包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络,功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态,改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗,稳定功率半导体器件Q的栅源电压;所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性,利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性,采用一路驱动信号,就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。

    一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路

    公开(公告)号:CN112290778A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011102501.2

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种用于串扰抑制的非线性阻抗驱动电路,用于功率半导体器件Q的关断,连接于驱动芯片以及功率半导体器件Q之间,包括基于功率半导体器件Qa的非线性阻抗驱动网络,功率半导体器件Qa用于负责跟随功率半导体器件Q开关状态,改变非线性阻抗驱动网络的输出阻抗,稳定功率半导体器件Q的栅源电压;所述功率半导体器件Q和功率半导体器件Qa具有对偶的沟道特性,利用功率半导体器件Qa与功率半导体器件Q的沟道互补特性,采用一路驱动信号,就可以实现功率半导体器件Qa和功率半导体器件Q的互补开通。

    一种基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET阈值电压在线检测方法

    公开(公告)号:CN117647715A

    公开(公告)日:2024-03-05

    申请号:CN202311428304.3

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明提供一种基于PCB罗氏线圈的SiC MOSFET阈值电压在线检测方法,用于在线检测SiC MOSFET的阈值电压,包括:电流采样单元、阈值电流识别单元和阈值电压生成单元,所述电流采样单元连接至所述阈值电流识别单元,所述阈值电流识别单元连接至所述阈值电压生成单元,所述电流采样单元分别连接所述碳化硅器件的栅极以及漏极;所述电流采样单元对碳化硅器件的栅极电流和漏极电流分别进行采样,通过阈值电流识别单元进行放大,通过阈值电压生成单元获取到碳化硅器件的阈值电压,在不改变功率变换器的功率电路和驱动电路的基础上,能够实现对SiC MOSFET阈值电压的实时在线检测。

    基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路

    公开(公告)号:CN112953174A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202110184242.0

    申请日:2021-02-08

    Abstract: 本申请提出一种基于dv/dt检测的抑制SiC MOSFET串扰的钳位有源驱动电路,涉及电力电子技术领域,钳位有源驱动电路包括:驱动推挽电路、驱动电阻Rg、dv/dt检测电路和钳位电路,可以通过检测dv/dt变化率,将其转化为电压信号并作为钳位电路的输入,通过钳位电路使得被驱动功率SiC MOSFET栅源电压在受到干扰后能快速稳定至关断偏置电压VEE,解决高频大功率变换器中SiC MOSFET应用中出现的串扰问题,可以保护被驱动SiC MOSFET在发生正向串扰时不会误导通,在发生负向串扰时不会过压击穿,有效地抑制桥臂电路中SiC MOSFET的栅源极电压产生的串扰问题。

    一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法

    公开(公告)号:CN112446131A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202011101998.6

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法,用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括:构造干扰路径传递函数的特征多项式;根据特征多项式构造标准二阶系统;取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化;验证杂散电感是否足够小,以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比;设计辅助并联电容标幺值,使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下,获得适度的、持续时间较短的过渡过程,确保辅助并联电容不会过度影响开关速度;设计驱动电阻标幺值,均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡,并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。

    一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路

    公开(公告)号:CN112421940B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202011102468.3

    申请日:2020-10-15

    Abstract: 本发明提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路,用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理,在不牺牲开关速度的前提下,自动抑制栅源电压干扰,实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括:驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片,驱动电阻为电阻R,辅助电容为电容C,辅助MOSFET为P沟道MOSFET Qp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单,易于实现,可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件开关速度的前提下,自动抑制栅源电压干扰,实现高速开关下的栅压稳定。

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