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公开(公告)号：CN112434401B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202011102502.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的方法，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
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公开(公告)号：CN116317534A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310107956.0
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本发明提出一种抑制MMC共模电磁干扰的相位补偿式载波移相调制方法，包括，在模块化多电平换流器MMC典型载波移相调制三相多载波相同相位首项和相位公差的条件下，分别计算三相上桥臂电压脉冲之间的相位差、三相下桥臂电压脉冲之间的相位差，得到计算结果；其中，所述三相包括A相、B相、C相；保持所述A相所有子模块载波相位不变，根据所述计算结果将所述B相、C相的各子模块载波相位增加对应的补偿值，得到所述MMC各子模块更新后的载波信号；将所述MMC各子模块电压参考信号与所述更新后的载波信号比较，产生驱动脉冲并作用于所述MMC各子模块。通过本发明提出的方法，在不降低MMC载波移相调制的直流电压利用率的基础上，实现MMC共模电压波动的减小。
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公开(公告)号：CN112434401A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011102502.7
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压响应高频脉冲干扰的数学模型，将受到干扰的栅源电压划分为干扰动态分量以及稳态分量；根据干扰动态分量以及稳态分量建立栅源电压的动态响应模型，用于预测高频大功率变换器中，MOSFET栅源电压的干扰尖峰和振荡，具备简洁的数学表征和直观的物理意义。
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公开(公告)号：CN118862407A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410739467.1
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京交通大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/16 , G06F119/10
Abstract: 本公开实施例提供一种电力电子变换器传导电磁干扰全频域建模仿真方法及设备，该方法针对现有方法难以精确的预测电力电子设备产生的全频域传导电磁干扰噪声的问题，通过分析电力电子设备传导电磁干扰关键影响因素，搭建高频等效模型，从而建立电力电子变换器传导电磁干扰全频域仿真模型，去仿真预测电力电子设备传导电磁干扰噪声，有利于电力电子设备的电磁兼容设计，解决了电力电子设备传导电磁干扰全频域仿真建模难题，节省电磁兼容测试时间和成本。
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公开(公告)号：CN113890405B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110955314.7
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本申请提出了一种消除MMC共模电压的脉冲顺接载波移相正弦脉宽调制方法，涉及电力电子技术领域，其中，该方法包括：步骤S1：将调制波与载波进行比较，得到脉冲信号；步骤S2：捕获脉冲信号的脉冲下降沿；步骤S3：对子模块进行分组，并通过已捕获的脉冲下降沿产生开关管的驱动脉冲。采用上述方案的本申请能够消除MMC系统共模电压，有效降低了系统漏电流和共模噪声，有效解决了现有MMC中存在着的高频共模电压通过杂散电容产生漏电流、共模干扰，危害电机轴承、通信系统等的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113890405A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110955314.7
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京交通大学
Abstract: 本申请提出了一种消除MMC共模电压的脉冲顺接载波移相正弦脉宽调制方法，涉及电力电子技术领域，其中，该方法包括：步骤S1：将调制波与载波进行比较，得到脉冲信号；步骤S2：捕获脉冲信号的脉冲下降沿；步骤S3：对子模块进行分组，并通过已捕获的脉冲下降沿产生开关管的驱动脉冲。采用上述方案的本申请能够消除MMC系统共模电压，有效降低了系统漏电流和共模噪声，有效解决了现有MMC中存在着的高频共模电压通过杂散电容产生漏电流、共模干扰，危害电机轴承、通信系统等的技术问题。
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公开(公告)号：CN112446131A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011101998.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化；验证杂散电感是否足够小，以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比；设计辅助并联电容标幺值，使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下，获得适度的、持续时间较短的过渡过程，确保辅助并联电容不会过度影响开关速度；设计驱动电阻标幺值，均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡，并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。
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公开(公告)号：CN112434400A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011101993.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。
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公开(公告)号：CN112446131B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011101998.6
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiC MOSFET的输入电容Ciss和栅极内电阻Rg为基准值进行参数标幺化；验证杂散电感是否足够小，以保证标准二阶系统具有足够的阻尼比；设计辅助并联电容标幺值，使得标准二阶系统在具备充足的阻尼比前提下，获得适度的、持续时间较短的过渡过程，确保辅助并联电容不会过度影响开关速度；设计驱动电阻标幺值，均衡抑制栅源电压的干扰尖峰和干扰振荡，并防止因为驱动回路截止频率过低导致栅源电压变化过缓增大开关损耗。
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公开(公告)号：CN112434400B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011101993.3
申请日：2020-10-15
Applicant: 北京交通大学 , 泰科天润半导体科技(北京)有限公司
Abstract: 本发明提供一种MOSFET栅源电压干扰传导路径模型的建模方法，包括描述脉冲电压和脉冲电流干扰传导过程的双回路传递函数、描述干扰传导路径的标准二阶系统的特征方程。该模型用于揭示高频大功率变换器，MOSFET高速开通和关断时出现的栅源电压干扰机理，所述干扰传导路径模型，可以综合考虑脉冲电压和脉冲电流对MOSFET栅源电压干扰的影响，用于直观、迅速地判断功率变流系统中MOSFET驱动参数、MOSFET封装结构，以及PCB布局设计的合理性。
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