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公开(公告)号：CN100536093C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200810222662.8
申请日：2008-09-22
Applicant: 北京交通大学
IPC: H01L21/36 , H01L21/363
Abstract: 本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法，属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为：步骤1，将清洗过的ITO衬底传入MBE系统，在750-850℃下高温处理20-60分钟；步骤2，在500-700℃下，氧等离子体处理30-50分钟；步骤3，在400-500℃下生长厚度为1.5-6nm的MgO柔性层；步骤4，在700-850℃下，退火处理10-20分钟；步骤5，在500-600℃下进行外延生长ZnMgO合金薄膜。ITO代替蓝宝石和硅衬底生长高质量ZnMgO合金薄膜，生长出高质量的ZnMgO合金薄膜。优点是工艺简单、成本低，器件结构简单，有利于光电子器件的应用。
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