一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法

    公开(公告)号:CN111913083A

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN202010786658.5

    申请日:2020-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,针对热控等薄膜材料中导电层/介质层相结合的结构特点,综合考虑了薄膜材料导电层对空间低能电子屏蔽效应、以及高能电子强穿透特性,采用蒙特卡洛方法计算获得介质层的电子沉积最小能量和最大能量值,并以此为依据分析现有的空间电子能谱环境,构建影响介质层充放电效应的有效电子能谱,最终获得模拟试验中的辐照电子能量和束流密度,采用电流探头与示波器相结合方法测试薄膜材料静电放电特性,从而建立多层薄膜材料空间充放电效应模拟试验方法,解决了多层薄膜材料空间充放电效应的模拟试验参数的选取问题,为其空间环境适应性评价提供了一种有效方法。

    一种双线式防静电手腕带及实时接地监测装置

    公开(公告)号:CN108226648B

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN201810063344.5

    申请日:2018-01-23

    Abstract: 本发明提出了一种双线式防静电手腕带,所述双线式防静电手腕带包括:腕带连续监测仪和双线腕带;所述双线腕带,用于绑定在人体手腕上,所述双线腕带内部设置有与人体手腕皮肤相接触的金属电极;所述腕带连续监测仪,用于连接所述双线腕带,使所述双线腕带接地,同时监测所述人体手腕的电压。本发明还提出了一种双线式防静电手腕带的实时接地监测装置。本发明采用施加双极性对称电压的方式,在测量电阻时,可以避免提高被测人员的电位。在保留了防静电腕带接地功能的同时,不仅能实时监测接地电阻的大小还能实时监测人体的电压。

    驻极体材料及静电除尘装置

    公开(公告)号:CN108480050A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810132932.X

    申请日:2018-02-09

    CPC classification number: B03C3/47 B03C3/02 B03C2201/06 B03C2201/24

    Abstract: 本发明提供一种驻极体材料及静电除尘装置。该驻极体材料以聚丙乙烯,以及聚四氟乙烯/聚偏氟乙烯为原料混合而成,其中聚四氟乙烯/聚偏氟乙烯的粒径为1~10μm。本发明通过改进驻极体材料,提高了采用驻极体材料制成的微通道结构的静电积尘过滤器的过滤性能。本发明提供的静电除尘装置,通过检测环境颗粒物浓度,设计荷电部件的结构形式与控制发射电流,释放并重建内部电场,降低积尘微通道的内部表面电场强度趋同的方式,减少极化现象的发生概率,进而提升驻极体材料微通道结构静电积尘过滤器的容尘能力和提升积尘效率,提升容尘量的同时延长清洗维护周期,降低使用维护成本。

    一种零待机零功耗节能插座

    公开(公告)号:CN103618178B

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201310692874.3

    申请日:2013-12-17

    Abstract: 本发明提供一种零待机零功耗节能插座,包括插座本体和插座本体上设置的主控插孔座,该插座本体中还包括自动开关继电器JK1、手动触控按键开关K1、电源模块以及按顺序连接的电流监测模块、信号调理模块,比较模块、延时控制模块、继电器驱动模块和J1继电器线包;所述继电器JK1和手动触控按键开关K1并联后一端连接在外接电路入口的火线L上,另一端分别连接电源模块以及通过电流监测模块连接主控插孔座。本发明插座通过各个模块和J1继电器线包之间的信号传速和作用,控制JK1继电器的开合,从而控制主副控插孔座的开合,从而实现真正意义上的节能环保,并且该插座使用方便,安全环保,易于推广普及。

    氮化镓器件特性的调制方法和结构

    公开(公告)号:CN112687569B

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202011575949.6

    申请日:2020-12-28

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,提供一种氮化镓器件特性的调制方法和结构。方法主要包括:对氮化镓器件施加外界电场,外界电场通过逆压电效应耦合作用于氮化镓器件;通过变化外界电场的强度和方向对氮化镓器件的特性进行调制。本发明可以根据氮化镓器件不同的应用场景,通过调整外界电场的强度和方向,对氮化镓器件特性进行特定调制,以适应不同场景下氮化镓器件应用需求,促进氮化镓器件性能的更充分发挥,带动氮化镓器件在宇航、雷达、电子对抗等国防军事领域以及5G、电力电子等民用领域的更有效利用。

    一种集成晶体光波导的制备方法

    公开(公告)号:CN111427119B

    公开(公告)日:2021-07-30

    申请号:CN202010141772.2

    申请日:2020-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种集成晶体光波导的制备方法,首先选取无杂质、无色透明的晶体,选定晶体的尺寸并利用激光对晶体进行切割;接着利用软件设计并优化所需光波导的参数,并对光波导进行模式分析和弯曲处的损耗计算,以确定光波导在不同的芯径下的传输模式和传输损耗;利用飞秒激光按照设计好的光波导并根据晶体材料调整飞秒激光的参数,对晶体进行刻画,得到集成晶体光波导;若在晶体的深部刻画光波导,则在两块晶体表面各刻画一半光波导,再将两块晶体固定,形成完整的光波导。本发明提供的集成晶体光波导制备方法,实现了高精度的集成光波导制备,适用于大多数晶体材料。

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